稀土靶材　　对溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。 　　溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。 　　溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差（因为是脉冲溅射），晶向（外沿）生长的控制也比较一般。以pld为例，因素主要有： 　　靶材与基片的晶格匹配程度 　　镀膜氛围（低压气体氛围） 　　基片温度 　　激光器功率 　　脉冲频率 　　溅射时间 　　对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。 　 供应真空溅射稀土靶材： 金属 靶材：钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Su、铪靶Hf、铅靶Pb、镍靶Ni、银靶Ag、硒靶Se、铍靶Be、碲靶Te、碳靶C、钒靶V、锑靶Sb、铟靶In、硼靶B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、硅靶Si、钽靶Ta、锌靶Zn、镁靶Mg、锆靶Zr、铬靶Cr、不锈钢靶材S-S、铌靶Nb、钼靶Mo、钴靶Co、铁靶Fe、锗靶Ge等…… 　　稀土合金靶材：铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi、铬硅靶CrSi、锌铝靶ZnAl、钛锌靶材TiZn、钛铝靶TiAl、钛锆靶TiZr、钛硅靶TiSi、 钛镍靶TiNi、镍铬靶NiCr、镍铝靶NiAl、镍钒靶NiV、镍铁靶NiFe等…… 　　稀土陶瓷靶材：ITO靶，一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2，三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、五氧化二钽靶Ta2O5，五氧化二铌靶Nb2O5，氧化锌靶ZnO、氧化锆靶ZrO、氧化镁靶MgO、单晶硅靶、多晶硅靶.、氟化镁靶MgF2、氟化钙靶CaF2、氟化锂靶LiF、氟化钡靶BaF3，碳化硼靶B4C，氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC，硫化锌靶ZnS、硫化钼靶MoS、氧化铝靶Al2O3、钛酸锶靶SrTiO3、硒化锌靶ZnSe、砷化镓靶、磷化镓靶、锰酸锂靶，镍钴酸锂靶，钽酸锂靶，铌酸锂靶，氧化锌镓靶，氧化锌硼靶等… 纯度：《99.9%—99.9999%》根据客户要求加工成各种规格尺寸的靶材更多有关稀土靶材的内容请查阅上海 有色 网

铜合金靶材的微观结构对溅射沉积性能的影响   磁控溅射中高沉积速率有利于获得高纯度薄膜,节省镀膜时间;高沉积效率的靶材可制备出更多数目的晶圆。通过建立平面靶的溅射模型研究了Al-Cu合金靶的晶粒取向和晶粒尺寸对溅射速率、沉积速率和沉积效率的影响。实验结果显示,溅射速率与靶材的原子密排度成正比关系,靶材的原子密排度受晶粒取向和晶粒尺寸的影响,有特定的变化范围,因此溅射速率也只在一个范围内变化。沉积速率和沉积效率受靶材表面空间内原子密排方向分布的影响,原子密排方向分布则由靶材的晶粒取向和晶粒尺寸决定。   钬铜合金是优质的高性能铜材，添入稀土钬Holmium有助于促进铜细化、净化及合金化，提高其强度、硬度和导电性，被广泛应用于各种高端机械制造，深受国内外用户的好评，欢迎广大新老朋友来电洽谈。   钬铜合金描述如下:【化学式】Ho-Cu；【英文名称】alloy of Cuprum- Holmium；【学名】铜钬中间合金，又称铜钬合金；【品种属性】铜稀土合金；【物理性状】淡红色 金属 光泽， 金属 铸锭块状或溅射靶材；【含量比例】Ho-Cu≥99%，Ho含量根据需要；【参考标准】GB/T 18115.5-2006；【主要用途】高性能铜材，用于各种高端机械制造；【包装】25kg/桶；【贮存】室温干燥处密封保存，尽可能在氩气中贮存，以延长保质期；【安全说明】非放射性 金属 ；【注意事项】避免钬铜合金长时间或反复暴露   一种铜合金靶材的制造方法，其包括：形成一靶材初坯；以及将靶材初坯在５００－８５０℃区间进行热机处理或热退火处理，以令所制成的靶材中化合物相小于整体靶材面积的２５％。本发明涉及一种铜合金靶材；本发明还涉及一种薄膜，其是使用如上所述的铜合金靶材经由溅镀所形成的；本发明另关于一种太阳能电池，其包含如上所述的薄膜。通过本发明（近）单相组织的铜合金靶材，使其应用于溅镀过程中不会诱发微电弧现象，而且也因着靶材（近）单相组织，使得靶材表面各处的溅镀速度相等，促使形成的薄膜成分均匀，故能提升薄膜质量及良率。     新铜合金靶材的特点   这次，三菱Materials公司和ULVAC公司共同开发出了使用耐抗性能良好的Cu-Ca合金以及Cu-Mg合金材料制造而成的新铜合金靶材以及该靶材的特殊制作工艺。使用重新开发的Cu-Ca以及Cu-Mg合金材料而形成的氧混合溅射膜，是将不需要通过氢等离子进行还原的稳定复合氧化层与底层结合形成界面，其具有良好的紧贴性和屏障性。   运用新技术的铜配线制作工艺的特点   采用ULVAC公司的氧混合溅射技术，将三菱Materials公司开发的新铜合金材料制成铜合金靶材。使用该铜合金靶材的铜配线制作工艺有以下特点∶① 低成本② 低电阻③ 与玻璃基板或底层的紧贴性能良好④ 硅底层的屏障性能良好⑤ 便于湿刻⑥ 和ITO（铟氧化锡）的电接触性能良好⑦ 后道工程的氢等离子耐受性能良好 

    洛阳晶晨半导体材料有限公司是专业从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业，公司成立以来，一直致力于半导体硅单晶和多晶的研究和生产。目前已经形成了单晶硅片、靶材类硅单晶和多晶、太阳能级单晶三大优势产品系列。产品远销国外。公司拥有先进的生产设备和一支精干的技术队伍，为生产高质量的产品提供了有力保障。硅靶材类产品可根据客户需要，加工任何形状和尺寸的单晶硅靶材和多晶硅靶材。  CF-81XXITO靶材系列：应用于薄膜太阳能电池ITOFilm和ITOGlass；  CF-83XX ZAO/ZTO/ZnO靶材：应用于薄膜太阳能电池（CIGS、CdTe、a-Si:H），建筑节能玻璃（LOW-Eglass）等；太阳能材料：一、非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜太阳能电池1、铜铟镓硒（CIGS）系薄膜太阳能电池2、硒铟铜（CIS）系薄膜太阳能电池3、碲化镉/硫化镉（CdTe/CdS）系薄膜太阳能电池4、非晶硅薄膜（a-Sithinfilm）、非晶硅/非晶硅双叠层太阳电池、非晶硅/非晶硅锗三叠层太阳电池、非晶 硅/微晶硅叠层、非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三叠层太阳电池、半透明硅基薄膜电池(BIPV)太阳能电池5、多晶硅薄膜（poly-仁不带兵 义不行贾Sithinfilm）太阳能电池、微晶薄膜太阳能电池、纳米晶化学太阳能电池、二、聚光太阳能电池(CPV)：砷化镓（GaAs）太阳能电池、高效聚光硅类太阳能电池三、有机和染料敏化太阳能电池：染料敏化二氧化钛（DSSC色素增感）型太阳能电池、光电化学太阳能电池、有机和塑料太阳能电池四、集热太阳能电池系统(STC)10g尼龙丝试验：五、光热镜场太阳能电池(CSP)六、聚合物多层修饰电极型太阳能电池：Si,化合物，聚合物七、荧光光波导等效聚焦太阳能电池八、多带隙太阳电池九、热载流子太阳电池除此以外，上海常祥实业可以提供太阳能电池材料的整体解决方案，如：3MBBF,3MEPE,3MEVA,3M导电胶带,3M密封胶,3M氟橡胶,3M美观胶带,3MVHB胶带,3M测试胶带等系列材料。  太阳能概念，曾几何时是那样的炙手可热。新能源、高科技、巨额利润的旗号吸引着无数企业投身其中，而十余家企业先后在海外上市，更是为太阳能争足了面子。然而物极必反，过度灼热的太阳能 产业 终于在金融危机的肆虐之下，迎来了与世纪初的互联网泡沫相同的洗牌命运。　但中国乃至世界范围的光伏从业者似乎并不愿看到，属于他们的辉煌时代就这样一夜之间化为乌有。于是薄膜太阳能 被狂热吹捧，而光伏泡沫也找到了新的“代言人”。　在目前光伏 产业 链上游硅料供应持续吃紧的局面下，众多光伏电池生产厂家已经加大了在薄膜太阳能 电池研发方面的投入，这使得未来薄膜太阳能 电池的转换效率会进一步提升，加之来薄膜电池大面积生产的成本优势，其 市场 占有率有望进一步提升。欧洲能源协会 预测 ，到2010年薄膜太阳能 电池将占据光伏 市场 20%份额。这便是众多分析人士为薄膜太阳能 描写的光明前景。　在此推动之下，全球薄膜太阳能 电池的 产量 增幅惊人。据中投顾问能源 行业 研究部数据分析显示，2008年全球薄膜太阳能 电池 产量 达892MW，同比增长123%，而在2007年全球薄膜太阳能 电池 产量 达到400MW，也较2006年的181MW增长120%。　产能大幅增长，并不代表薄膜太阳能 电池的前景一片光明。中投顾问能源 行业 分析师姜谦表示，当初很多厂家之所以选择入主薄膜太阳能 领域，最主要的原因是多晶硅原料缺乏， 价格 居高不下，而随着近期多晶硅 价格 的一泻千里，这些企业的如意算盘落空，日子可想而知。 行业 龙头赛维LDK将2009年1GW的薄膜太阳能 产能缩减80%，已经是最好的证明。         

美国杜克大学（Duke University）的研制团队宣告，他们发现了简易制造铜（Cu）纳米线的办法。据介绍，通过在通明薄膜上进行涂布，便能够以低成本完成柔性通明电极。 　　铜纳米线指直径为90±10nm、长度为10±3μm、呈微细棒状的铜。杜克大学化学系助教Benjamin Wiley的研讨小组开发出了选用化学手法制造铜纳米线的办法。 　　具体办法是向放在烧杯里的硝酸铜（Cu(NO3）2）水溶液中参加（NaOH）、乙二胺（EDA）以及肼（H2NNH2）等，然后在80℃的温度下保存一个小时。溶液中首先会构成直径为几百nm的铜的粒子，铜纳米线就会从粒子中成长出来，就像种子发芽相同。 　　铜纳米线的长度，可通过调整成长时刻来操控。例如，当成长时刻为3分30秒时长度为1μm左右，而当成长时刻为20分钟时，长度将到达几μm。 　　Wiley等人表明，通过选用卷对卷等涂布工艺在通明薄膜上对该铜纳米线进行涂层，然后能够替代ITO用于柔性显示器和太阳能电池中。实践制造的导电性通明薄膜的光透射率为65％。即便通过1000次的曲折实验，以及暴露在空气中一个月后，依然坚持了导电性。 　　现在存在的课题是建立量产技能、下降在通明薄膜上进行涂布时的凝聚，以及避免铜氧化 .

近日，科技部在北京组织召开了“十一五”国家科技支撑计划“铟、铝深加工关键技术攻关与产品开发”重点项目验收会。 　　项目由广西自治区科技厅负责组织实施，研究开发了烧结法制备ITO靶材新技术，生产出超高密度高性能ITO靶材，建设了一条年产10万吨的试验生产线;开发了高纯高密度铜铟镓硒薄膜太阳能电池靶材的多室真空梯度固相合成制备技术，自行设计并制造了多室真空梯度合成一体化工艺装备，建成了年产1000kg的靶材生产线，同时建成了年产1800万件散热器规模的生产线。

2009年我国铟出口价格和出口量在诸多因素的共同推动作用下，于下半年震荡反弹。其中的影响因素有需求回暖，也有出口关税的下调。但国内外市场铟价格和需求仍不稳定。 　　一、2009年我国铟生产情况 　　自2006年全球铟市场供应出现过剩后，我国铟一直呈减产过程中。2009年国内精铟产量为331.9吨，同比下降26.2%；再生铟产量由2008年的65吨减少为零。 　　2007年国家取消了来料加工的优惠政策，从2008年下半年以来，国内再生铟的生产几乎消失了。原有两家的再生铟企业中，南京锗厂已经将再生铟生产转移到了老挝，2009年生产再生铟14吨左右，估计2010年提高到40吨左右。而英格尔公司在柳州的再生铟生产也转移到韩国。 　　2009年我国铟生产集中度有所提高，地区结构有所变化。随着环保日益严格、能源价格上涨和铟价持续下跌，许多小铟厂被迫关闭。国内的铅锌企业越来越重视铟的综合回收工作。河南豫光金铅、青海西部矿业、云南祥云飞龙、云铜锌业等相继生产精铟或者粗铟。过去，江苏、湖南、广西和广东是我国四大铟主产区，年产量都超过100吨。但近年来，上述地区铟产量都出现不同程度的萎缩，而云南地区铟产量增速加快，在全国的占比提高。 　　二、价格反弹缺乏持续性 　　2009年前两个季度，国际市场铟价从每公斤385美元继续下探至340美元。7月份我国下调出口关税后，铟价开始止跌回稳。9月份是传统的铟采购消费旺季，铟价表现活跃，12月底已经突破500美元/千克。这次反弹与中国减产和日本购买询价增加有关，但由于供需基本面变化不大，难以持久。 　　三、我国出口市场份额下降 　　据我国海关统计，2009年我国共出口铟48.532吨，同比下降99.9%。主要是上半年出口微弱造成的。2009年1-6月份，我国共出口铟3.043吨，仅为2008年同期4.6%。2009年我国出口铟主要目的地国家或地区有：香港27.4吨，占56.4%；日本8.8吨，占18.1%；美国8.7吨，占17.8%；德国1.9吨，占3.9%；韩国1.6%，占3.2%。从我国大陆出口到香港特别行政区的铟随后又转口到了日本，美国，台湾省，新加坡等地。 　　据日本海关统计，2009年1-11月，香港出口日本的铟共2.5吨，出口美国的铟共5.9吨。另外，从日本和美国近几年的铟进口来源结构发现，铟的主要消费国日本和美国从我国大陆进口铟呈下降态势。其中日本从韩国和加拿大进口比例呈增长趋势。美国从比利时，日本及香港地区进口比例逐年增长。主要原因有：一是我国取消铟出口退税并反征出口关税后，间接提高了出口成本，给了其它国家企业拓宽市场空间的机会。二是由于铟良好的应用前景，国际跨国公司企业近两年提升了产能和产量，并争夺了一定的市场份额。 　　四、产品结构不合理，实际消费不足 　　目前我国铟产品的需求量超过220吨，但是实际直接消费铟不足40吨。铟的最主要用途是液晶显示器用ITO靶材，但国内ITO靶材尚未实现产业化生产，我国虽然是世界主要液晶显示器生产国之一，但大尺寸ITO靶材几乎完全依靠进口。国内铟的消费，主要是ITO粉生产，用于一般玻璃镀膜和小尺寸靶材。 　　2009年我国平液晶显示器用ITO靶材消费量约300吨左右（折合铟约200吨），但是绝大部分依靠进口，不直接消耗国内的铟，不构成实际消费。

一、根本特点    物理特点：铟是具有银白色光泽的金属，柔软，用指甲就能够划痕。它的熔点低，为156.6℃，而沸一、根本特点    物理特点：铟是具有银白色光泽的金属，柔软，用指甲就能够划痕。它的熔点低，为156.6℃，而沸点却很高，为2075℃，液态蒸气压很低，具有杰出的可塑性和延展性，能够压成极薄的金属片。铟的导电性比铜低约4/5，其热膨胀系数简直超越铜的一倍。铟锭一般是银白色，其分量一般在2000g±100g左右。 铟锭 铟锭包装     铟在地壳中的散布量很小并且涣散，尽管断定有5种独立矿种（硫铟铜矿、硫铟铁矿、水铟矿等），但这些矿藏在自然界很少遇见，铟的根本量是以杂质成分涣散在其他元素的矿藏中，63％以上涣散在铅锌矿中，因而铟与相似特征的镓、、锗、硒、碲、铼等一同划入稀散金属。    化学性质：铟在空气中很安稳，不易氧化，不会失去光泽。在冷的稀酸中溶解缓慢，能够较剧烈地溶于热的稀酸或浓酸中。铟与沸水或碱一般不起作用。铟磨碎后与水触摸时能构成氢氧化物。铟具有杰出的抗腐蚀功能。铟可与许多其它元素构成二元、三元、四元和更多元合金。一般，在一些金属中参加少量铟就能使金属表面硬化，进步强度和进步抗腐蚀才能。    机械功能：铟的塑性非常优秀，在压力下简直能够加工成恣意形状。加工时，铟不会硬化，所以其延伸率很好。在铟的拉力实验中，简直一切的变形都是局部性的，故铟的断面缩短率很大，有时高达99%。    毒性：铟的毒性较轻，但也有毒，对皮肤无刺激作用，采纳普通的卫生预防措施即能防护。铟不能运用于食品工业，它很简单溶解在食物酸中。若是吸入铟金属，则易引起呼吸道及血液疾病，且很难彻底治愈。铟的产地、产值：    铟虽为涣散元素，但在地壳中的富集却相对比较会集。据2007年美国地质矿产属（USGS）发布的数据，现在世界铟储量为2800吨，根底储量为6000吨。铟资源比较丰富的国家有加拿大、我国、美国和俄罗斯，上述国家铟储量大约占全球铟储量的60%，此外全球铟的首要出产国还有韩国、日本、巴西、澳大利亚等。（总量禁绝需求进一步收集）    2008年之前，全球精铟产值呈逐年添加之势，2007年到达1468吨的顶峰，2008-2009年产值削减。因为全球金融危机对铟下流消费的重创，日本、韩国、加拿大等传统的出产国无不减产，即便澳大利亚和巴西有新增产能，2009全球铟产值仍比2008年削减271吨。    从2006年开端，因为再生铟产值突增，日本超越我国成为世界最大的精铟出产国，但我国仍是世界最大的原生铟出产国。2007年世界再生铟产值占全球精铟产值的56.6%，2009年下降到51%，再生铟产值比重下降应该是暂时的，首要是因为我国再生铟产值消失，正在向其他国家搬运，跟着其他国家再生量进步，再生铟产值比重还会上升。  2006年 2007年 2008年 2009年 日本 614 755 750 600 我国 523 481 450 332 澳大利亚       30 比利时 22 22 20 30 加拿大 72 70 45 45 韩国 55 110 120 80 秘鲁 15 15 20 11 俄罗斯 15 15 15 2 巴西 0 0 0 5 老挝       14 世界算计 1316 1468 1420 1149 原生铟 622 637 635 563 再生铟 694 831 785 586 再生铟产值比重% 52.7 56.6 55.3 50.7我国产值：    我国是世界上铟锭首要出产地，我国的铟散布在铅锌矿床和铜多金属矿床中，保有储量为13014t，散布15 个省区，首要会集在云南(占全国铟总储量的40%)、广西(31.4%)、内蒙古(8.2%)、青海(7.8%)、广东(7%)。二、 商业特点    铟称得上“合金的维生素”，其用处广泛，首要有以下几种首要用处： 1、 铟因其光渗透性和导电性强，首要用于出产ITO靶材（用于出产液晶显现器和平板屏幕）这一用处是铟锭的首要消费范畴，占全球铟消费量的70%。 2、 电子半导体范畴，占全球消费量的12%。 3、 焊料和合金范畴占12%。 4、 研讨职业占6%。     除此之外，铟还能够用作军舰或客轮上的反光镜、原子能工业中的监控剂量材料、无碱性蓄电池中的添加剂、防雾化设备（如防雾灯）、无铅焊猜中的钎焊料以及机械轴承等方面。（下图为部分运用铟制造的产品） 铟靶材 LED设备 液晶屏幕     铟的消费区域：铟首要是运用在一些高科技产品之中，所以美国、日本、欧盟、我国、我国台湾、韩国等是全球首要的铟消费国。其70%以上都是用来出产铟靶材的。全球2009年铟的消费量是1250吨左右。  2006 2007 2008 2009 2010 世界产值 1316 1468 1420 1149 1200 世界消费量 1060 1315 1317 1250 1300 供求平衡 +256 +153 +49 -101 -100近年来铟的产销数据（2010年为猜测）    我国对铟的需求：我国虽是世界上最大的原生铟出产国，但实践上咱们对原生铟的运用量较为有限，绝大部分原生铟是用来出口的。我国铟的需求量超越220吨，可是实践直接消费铟缺乏40吨，用铟最多的是ITO靶材，但铟靶材国内还根本没有完成工业化，首要靠进口。就仅有的消费量来看，也是用于靶材和ITO粉出产，用于一般玻璃镀膜和小尺度靶材。其次是低熔点合金，无碱性锌锰电池等。    国内少量厂商出产的ITO粉首要用在冰柜、冰箱、玻璃幕墙和汽车玻璃镀膜，用于除霜、节能等意图。实践上，我国平板显现职业ITO靶材对铟的需求最多，估量2009年在300吨左右，可是绝大部分ITO靶材靠进口，不耗费国内的铟，实践不构成消费。低熔合金、焊料、无锌锰电池用无锌粉运用精铟、氢氧化铟和氧化铟做缓蚀剂都有必定量的铟消费。    铟的工业及商场：现在我国铟工业的会集程度越来越高，已有很多小冶炼厂商、小矿山被商场筛选。现在国内最大的铟出产商是 南京中锗科技股份有限公司 ，但该厂现已将部分产能搬运至其他国家，国内产值比重有所下降。  江苏、湖南、广西和广东是我国四大铟主产区，年产值都超越100吨，但这几年，上述区域铟产值都呈现不同程度的萎缩。云南区域铟产能产值增速加速，在全国的占比进步，这是区域直销结构上的一个明显变化。    铟的进出口： 海关统计数据显现，2009年我国共出口铟48.532吨，同比下降99.9%。这一巨大的跌幅首要是因为上半年出口弱小形成的。2009年1-6月份，我国共出口3.043吨，较2008年同期66.052吨的出口有巨大距离。    2009年我国出口铟首要意图地国家或区域有：香港27.4吨，占总量的56.4%；日本8.8吨，占18.1%；美国8.7吨，占17.8%；德国1.9吨，占3.94%；韩国1.6%，占3.2%。从我国大陆出口到香港特别行政区的铟随后又转口到了日本，美国，台湾省，新加坡等地。    别的，从日本和美国近几年的铟进口来历结构咱们发现，铟的首要消费国日本和美国从我国大陆进口铟呈下降态势。其间日本从韩国和加拿大进口份额呈添加趋势。美国从比利时，日本及香港区域进口份额逐年添加。这其间首要有以下几点原因：一是我国撤销铟出口退税并反征出口关税后，直接进步了出口本钱，给其它国家供给了时机。二是鉴于铟金属的杰出使用远景，国外厂商近两年提高了产能和产值，并抢夺了必定的商场份额。三是我国私运现象比较猖狂。日本海关发布的数据，2009年度该国从我国进口38.96吨铟，这与我国海关2009全年出口日本的的8.8吨就相差30.16吨。 我国铟的进出口走势     铟的报价： 铟一般分为高纯铟及粗铟，根据我国的标准In－05(In＞99.999%) In－06(In＞99.9999%)的为高纯铟。 普通粗铟为In99.993 In99.97 In99.9 （铟含量 99.993%、99.97%、 99.9%） 一般他们的报价略有不同，报价会跟着铟含量的添加而提高。    铟商场在2005-2006年反常火爆，报价直线上升，世界铟商场铟锭报价从前一度高达1000美元/千克以上，国内每千克铟的赢利高达4000元以上。但自2006年2季度以来，铟价呈现大幅下滑，至2009年1季度世界铟价平均价跌至376美元/千克，2季度跌至354美元/千克，而国内铟价则跌至2800元/千克以下。现在铟金属的报价仍处于金融危机后的康复阶段。  2005至今铟锭走势图(99.99%，元/公斤)  近期金属铟报价走势 近期世界商场铟锭报价走势    影响铟报价的首要因素：影响铟金属报价走势的首要因素有以下几点，1、原材料报价的变化；2、出产本钱的变化；3、下流需求的变化。此外其报价走势还遭到世界金属报价的变化，美元汇率的影响等等。    铟的定价机制：铟锭的报价首要参阅英国伦敦金属导报及欧洲战略小金属价格。国内并没有非常会集的铟贸易商场，国内商场铟锭报价首要参阅，南京、湖南、葫芦岛等铟主产地的出厂价格。（Ivy）

铟产业被称为“信息时代的朝阳产业”。铟金属广泛应用于电子工业、航空航天、合金制造、太阳能电池新材料等高科技领域，在电子、电信、光电、国防、通讯等领域具有战略地位。随着这些领域的发展，特别是平板显示行业的高速增长，铟产业具有广阔的前景，在国民经济中的地位越来越重要。 　　铟主要作为包复层或与其它金属制成合金，以增强耐腐蚀性；铟的反射性，可用来制造反射镜；铟合金可作反应堆控制棒；铟及铟的化合物在无线电和半导体技术中也有重要用途。在1970年以前，铟基本上被应用于实验室。现在，是用来制造液晶玻璃，是制造液晶显示器、手机屏幕不可缺少的材料。此外，添加了少量的铟后，合金轴承的使用寿命提高了4～5倍。铟锭主要用于ITO行业，这一用途是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的84%。铟70%用于制造铟锡氧化物靶材（ITO），ITO用于制造液晶显示器（LCD），因此铟是制造液晶显示屏（LCD）的最重要材料。 　　2000～2006年间，世界铟的消费年均递增14. 4%，2006年为1056吨。由于全球LCD的快速发展，使得其对铟需求的急速增加，2007年全球铟的年需求量逾400吨，但实际供应量不足300吨，再生铟产量亦仅有约30吨， 2008年全球铟需求量达568吨，而供应量却不到400吨，供需缺口持续扩大。预计2008～2010年年均递增17.2%，2010年达到1995吨。 　　在未来，镀膜玻璃依然是铟的最大用途，碱性锌锰电池和光伏电池领域将是主要增长点。

近日，金川集团公司镍盐厂经过一年多的探索实验，从公司铜转炉白烟灰中提取铜、锌、铅、铋、铟等有价金属，成功开发出了氧化铋、氧化锌、金属铟、三盐基硫酸铅等产品，为金川发展循环经济、延伸产品链又添写了浓墨重彩的一笔。 　　建设西部最大综合利用和全球最大镍盐生产厂家，通过项目建设使产品种类由目前的5种增至15种以上；将镍都金川弃渣废液烟尘“吃干榨尽”，是镍盐人在发展循环经济的道路上孜孜奋斗的目标。基于金川铜精矿的来源不同，白烟灰成份复杂，且没有现成的工艺可借鉴。该厂于2006年11月成立了试验组，进行了一系列小型试验，并在实验中不断验证、补充和完善实验工艺流程，初步试验确定了具有自主知识产权的金川白烟灰处理新工艺，通过此工艺获得了四种产品、一种可有效利用的铜溶液。今年在公司大力支持下，该厂又根据小型试验确定的工艺流程，进行了300吨的工业试验，并以工业试验所产海绵铋和铅渣为原料开发出氧化铋和三盐基硫酸铅的实验室试验。 　　氧化铋产品在核反应堆燃料、压敏电阻、热敏电阻、避雷器、显像管、防火纸、电子陶瓷粉体材料、电解质材料、光电材料、高温超导材料、催化剂、高折光率玻璃和核工程玻璃的制造等领域被广泛应用。金属铟用于液晶和等离子显示器透明电极用ITO靶材及溅射靶材背板钎焊，用于电子工业中焊料、低熔合金、高性能发动机的轴承、低温和真空领域作密封件、可溶阳极和核反应堆控制棒等，每吨500万元，可谓价值连城。.

铟锭[有色商机 : 铟锭生产厂]因其光渗透性和导电性强，主要用于生产ITO 靶材（用于生产液晶显示器和平板屏幕），这一用途是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70%。 　　其次的几个消费领域分别是：电子半导体领域，占全球消费量的12%；焊料和合金领域占12%；研究行业占6%。另，因为其较软的性质在某些需填充金。 　　属的行业上也用于压缝。如：较高温度下的真空缝隙填充材料。 　　医学：肝、脾、骨髓扫描用铟胶体。脑、肾扫描用铟－ＤＴＰＡ。肺扫描用铟Ｆｅ（ＯＨ）＊＊３颗粒。 胎盘扫描用铟Ｆｅ抗坏血酸。 肝血池扫描用铟输铁蛋白。高纯铟制成的锑化铟、砷化铟、磷化铟等是良好的半导体材料。也是锗和硅的掺杂元素。锑化铟可用作红外线检波器的材料。磷化铟可制作微波振荡器。飞机和汽车发动机高级轴承镀铟能提高耐磨性和耐蚀性，大大延长使用寿命。舰船用探照灯反光镜镀一层铟，不怕海水腐蚀，也不变暗。铟镉铋合金在原子能工业中用途吸收中子材料；铟箔可用来测量中子流及其能量。铟锡合金，可用作真空密封，能使玻璃与玻璃或玻璃与 金属 相粘接。铟同金、钯、银、铜的合金常用来制作假牙和装饰品。铟也是电光源的材料。铟还是易熔合金及特殊焊料的组元等,在液晶显示器和高等级玻璃的制作中，通过添加金属铟可以使产品具有导电性，同时减少显示器的辐射和提高玻璃的韧性。铟的用途还有：用于平板显示镀膜、信息材料、高温超导材料、集成电路的特殊焊料、高性能合金以及国防、医药、高纯试剂等众多高科技领域，产品附加值高，比如：LCD电视、太阳能 电池 、航空轴承和发动机轴承、高科技武器等产品都离不开铟。 本文为转载稿，仅代表作者本人的观点，与本网立场无关。上海有色网信息科技有限公司不对其中包含或引用的信息的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。对于任何因直接或间接采用、转载本文提供的信息造成的损失，上海有色网信息科技有限公司均不承担责任。媒体合作事宜， 敬请联系info@smm.cn 或 021-6183 1988 转 5009。

纳米氧化铟锡是氧化铟锡的一种产品。纳米氧化铟锡或者掺锡氧化铟是一种铟氧化物和锡氧化物的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。纳米氧化铟锡物态 固体纳米氧化铟锡熔点 1800-2200 K (2800-3500 °F)纳米氧化铟锡密度 7120-7160 kg/m3 at 293 K纳米氧化铟锡颜色 (粉末状) 浅黄到绿黄色，取决于SnO2浓度。纳米氧化铟锡主要用于制作液晶显示器、平板显示器、电浆显示器、触摸屏、电子纸等应用、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。氧化铟锡也被用于各种光学镀膜，最值得注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。纳米氧化铟锡薄膜可以在高于1400 °C及严酷的环境中是用，例如气体涡轮、喷气引擎、还有火箭引擎 。铟在自然界是稀散 金属 ，全世界年产铟约***吨，我国年冶炼铟可达***吨，是铟资源大国。然而我国铟主要供外销，对其高技术的深加工尚处于起步阶段。使铟资源增值、合理利用铟资源的重要途径是生产铟锡氧化物(ITO)靶材和纳米氧化铟等。纳米氧化铟(In2O3)粉末是一种新型的无机材料，具有非常广泛的用途。由于颗粒尺寸的细微化，纳米材料产生了块状材料所不具备的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和 宏观 量子隧道效应。由于纳米In2O3具有许多优异的性能，其制备及应用成为了近几年国内外科技研究的热点之一。想要了解更多关于纳米氧化铟锡的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。 

锌铟公司，一般是指开采锌铟等矿产的公司。锌是一种化学元素，它的化学符号是Zn，它的原子序数是30，是一种浅灰色的过渡 金属 。锌（Zinc）是第四"常见"的 金属 ，仅次于铁、铝及铜，不过地壳含量最丰富的元素前几名分别是氧、硅、铝、铁、钙、钠、钾、镁。外观呈现银白色，在现代工业中对于电池制造上有不可抹灭的地位，为一相当重要的 金属 。锌的用途 　　世界上锌的全部消费中大约有一半用于镀锌，约10％用于黄铜和青铜，不到10％用于锌基合金，约7.5％用于化学制品。 　　通过在熔融 金属 槽中热浸镀需要保护的材料和制品，锌可用于防蚀。对 金属 制品，可分批镀锌；对轧制钢带卷，可连续镀锌。近年来，钢带热浸镀锌量有显著增长。电镀锌也有使用，但该法一般用于较薄的镀层和不同的表面光洁度。 　　使用含锌粉的涂料是涂层的另一种方法；对于与水连续接触的物体，如用于船舶、桥梁和近海油气井架的大的钢构件，只须和大的锌块连接，便可得到保护，不过锌块要定期更换。 　　压铸是锌的另一个重要应用领域，它用于汽车、建筑、部分电气设备、家用电器、玩具等的零部件生产。 　　锌也常和铝制成合金，以获得强度高、延展性好的铸件。在制成薄板时（一般是用连铸连轧法生产薄板），锌还常和少量铜和钛制成合金，以获得必需的抗蠕变性能。 　　国际铅锌研究组 预测 ，2004年全球锌消费量会比2003年的985万t增长4.8%，2005年将再增长4.3%，预计2005年中国将占世界锌消费总量的四分之一，它的消费增长的部分原因是镀锌钢用量的增长。相比之下，美国可能只占全球锌需求的十分之一。铟的用途　　铟锭因其光渗透性和导电性强，主要用于生产ITO 靶材（用于生产液晶显示器和平板屏幕），这一用途是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70%。　　其次的几个消费领域分别是：电子半导体领域，占全球消费量的12%；焊料和合金领域占12%；研究 行业 占6%。另，因为其较软的性质在某些需填充金　　属的 行业 上也用于压缝。如：较高温度下的真空缝隙填充材料。　　医学：肝、脾、骨髓扫描用铟胶体。脑、肾扫描用铟－ＤＴＰＡ。肺扫描用铟Ｆｅ（ＯＨ)３颗粒。 胎盘扫描用铟Ｆｅ抗坏血酸。 肝血池扫描用铟输铁蛋白.想要了解更多关于锌铟公司的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ）小 金属 频道。 

稀土抛光粉种类繁多，样式多样，主要用于液晶显示屏、LCD模块、ITO导电玻璃、高清晰度电视屏、光盘、各种棱镜和反射镜、照相机和各种望远镜、激光光电子、军事领域精密光学元件。SHSP-100白色粉末REO≥99% CeO2/REO≥99% F＝5-7% D50: 0.8um天然水晶、液晶显示屏、LCD模块、ITO导电玻璃、高清晰度电视屏、光盘、各种棱镜和反射镜、照相机和各种望远镜、激光光电子、军事领域精密光学元件SHSP-205亮白色粉末REO≥94% CeO2/REO≥75% F＝4-5% D50:1.0-0.2um适合抛光各种平面或曲面的精密元件，光学透镜、反光镜、电视屏幕。SHSP-239浅白色粉末REO≥95% CeO2/REO≥90%D50:0.8um-1um F＝5-7%液晶显示屏、LCD模块、ITO导电玻璃、高清晰度电视屏、光盘、各种棱镜和反射镜、照相机和各种望远镜、激光光电子、军事领域精密光学元件。SHSP-388-3浅棕红色、 白色粉末REO≥90% CeO2/REO≥75%D50：2um-2.5um F＝4-5%工艺玻璃、平板玻璃、抛光轮、抛光片及饰品的抛光SHSP-389-2白色粉末REO≥90% CeO2/REO≥75% F＝4-5% D50: 1um-1.5um荧光屏、显示屏玻璃、电视玻壳、眼镜片、均胶络板、手机玻璃、手表玻璃、工艺玻璃及饰品的抛光SHSP-577浅棕红 色粉末REO≥88% CeO2/REO≥48%D50:6.5±0.5um F＝0.3-4%用于显像管、玻璃、眼镜片的抛光SHSP-999浅白色粉末REO≥95% CeO2/REO≥75% F＝5-7% D50: 0.8um液晶显示屏、LCD模块、ITO导电玻璃、高清晰度电视屏、光盘、各种棱镜和反射镜、照相机和各种望远镜、激光光电子、军事领域精密光学元件想要了解更多关于稀土抛光粉的信息，请继续浏览上海 有色 网。

钛是一种银白色的金属，钛在人体中分布广泛，正常人体中的含量为每70kg体重不超过15mg。钛铝合金也广泛应用于工业生产中。钛铝合金主要应用在哪些行业？钛铝合金应用在航空领域，钛铝合金制成的飞机具有承载更多游客的优势，比其它金属制成同样重的飞机多载旅客100多人。钛铝合金应用在潜水领域，钛铝合金制成的潜艇，既能抗海水腐蚀，又能抗深层压力，其下潜深度比不锈钢潜艇增加80%。同时，钛无磁性，不会被水雷发现，具有很好的反监视作用。钛铝合金在真空镀膜行业也应用较广，可以做成一定比例的合金靶材，作磁控溅射镀膜的原材料。在做真空镀膜靶材时钛铝合金有多种成分比例。钛铝合金在钛原子含量大于等于50%时可以用真空熔铸的方式生产，当钛含量减少铝含量相对增加时就只能通过粉末冶金的方法来生产才能达到靶材的要求。钛原子大于等于80%时的钛铝合金还可以锻造，可以轧制。

一、用于ITO行业(indium-tin-oxide),ITO俗称铟锡氧化物，应用行业：薄膜晶体、液晶显示器、等离子显示器。占全球消费量83%。 二、化合物消费领域，占全球消费量9%。 三、锑化铟/砷货铟：红外探测、光磁器件、磁致电阻器及太阳能转换器等。。 四、磷化铟用于微波通讯、光纤通讯中的激光光源和太阳能电池材料;、硒铟铜多晶薄膜用于制造太阳能电池，在电池的负极材料中添加铟能起到防腐的作用。 五、合金领域，占全球消费量5%。 六、银铅铟合金可制造高速航空发动机的轴承;、铟锡合金可作真空密封材料和低熔点合金接点材料，作玻璃与玻璃或玻璃与金属之间的粘结剂;低熔点合金(如伍德合金)中加入        七、铟可以降低其熔点，铟的熔点低，度左右。 八、金、钯、银、铜同铟组成的合金可用来制作假牙和装饰品。 九、半导体行业，占全球消费量3%。

贵 金属 废料指的是报废了的贵 金属 。贵 金属 废料回收：1、从ITO废靶中分离回收铟锡研究了铟锡复合氧化物废靶回收工艺中的浸出过程，确定了最佳浸出工艺条件:温度363K;浸出后液酸度100 H2SO4 g/L;浸出时间120 min;液固比8-12; ITO废靶粉粒度一200目。在此条件下，铟的浸出率大于99. 5%，锡的浸出率为8.0%，在此基础上，采用硫化沉淀法分离ITO废靶硫酸浸出液中锢、锡的工艺。平衡计算证明了硫化沉淀分离铟锡的可行性。试验研究了温度、酸度及反应时间对分离过程的影响，正交试验得出最佳工艺条件:温度323K，反应时间20min2、从钴废料回收钴产品研究了从钴锂膜废料和硬质合金处理渣中回收生产氧化钴、氧化亚钴、超细钴粉等钴产品。 依据钴锂膜废料的组成特点，采用碱溶除铝、酸浸出、喷淋沉铁铝之后，溶液直接草酸铵沉钴，再煅烧制取钴氧化物产品工艺处理钴锂膜废料。通过实验室条件试验，确定最佳条件：液固比4:1、温度80℃、时间1h、n(NaOH)／3n(渣中Al)=1.10，在此最佳条件下，85％以上的铝进入溶液，钴浸出率＞99.5％，钴直收率为91.5％，总回收率95.4％，钴氧化物符合国标Y类产品要求，钴粉符合硬质合金生产标准 以钴锂膜废料处理过程中生产的COCl_2溶液制取的Co(OH)_2为原料3、从失效催化剂回收铂工艺介绍了国内外研究现状和技术进展,制定了用硫酸溶解γ-Al_2O_3—焚烧脱炭—“消化”转溶α-Al_2O_3—铂精矿精炼铂的火湿法冶金工艺。分析了工艺过程原理,进行了工艺技术条件研究和生产实践,并作了技术经济评价和环境影响分析。 研究表明,用该工艺处理含Pt 0.186%,Al_2O_3 83.95%(包含α-Al_2O_3 11.75%)和C 13.99%的失效催化剂,工艺技术可行,流程畅通,设备运行正常,各项技术指标稳定,并建成了日处理200kg失效催化剂生产线。铂产品纯度>99.95%,从失效催化剂到铂产品铂的直收率>96%,全流程铂回收率>97.5%,加工成本为5500元/kg·Pt;含铝溶液想要了解更多关于贵 金属 废料的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

氧化铝概述　　氧化铝薄膜具有很多优异的材料特性，特别是高温稳定性、化学稳定性和低导热性。现在氧化铝薄膜被广泛应用在硬质合金刀片上作为耐磨涂层材料。尽管具有这些优异的特性，但是氧化铝薄膜并没有被广泛应用到其它领域，主要原因是当今的行业标准仍然是建立在热化学气相沉积（CVD）工艺基础上的。　　虽然CVD工艺具有很多优点，但也有明显的缺点，即工艺过程所要求的高温（1000℃）。豪泽公司开发出了一种新工艺，能够在350℃～600℃的标准温度下通过物理气相沉积溅射方法（PVDsputtering）沉积氧化铝，这样就大大拓展了其应用范围。　　自从2005年豪泽公司在欧洲机床展览会EMO上宣布Al2O3的PVD涂层方面取得重大突破以来，豪泽公司就已经开始与世界主要刀具制造商和氧化铝模铸模具用户合作进行试验项目。下面将对涂层特性进行讨论，并介绍这种通过电弧和磁控溅射技术相结合的混合工艺进行沉积所取得的新涂层的成果。　　刀具磨损情况　　在加工过程中，刀具将出现几种磨损情况。刀具本身必须要能耐受高温、高压、磨损和热冲击。在切削过程中，刃口温度将超过1000℃。在此高温下，刀具的粘合剂及其它构成部分会出现退化，并导致刀具和工件之间出现有害的化学反应。切削过程总是伴有摩损的发生，刀具和工件切入接触时的压力大于140bar（2000PSI）。　　热冲击——刀具急冷急热，这是铣削加工中普遍发生的。刀片在切削过程中加热，在离开切削面时冷却。在铣削和切削断续的加工表面时会有机械冲击。车削中有时会有机械冲击，具体根据操作情况和工件条件的不同而有所不同。在工件与刀具发生粘结时（产生积屑瘤）会出现粘结磨损。　　CVD和PVD的氧化铝涂层　　如今CVD氧化铝涂层刀片在工业上得到广泛应用，CVD氧化铝涂层的性能也得到广泛认知。由于氧化铝的高硬度（尤其是在高温下）、高氧化温度（>1000℃）、化学惰性和低导热率，氧化铝涂层刀具的性能得到很大提高。然而，CVD工艺过程通常需要在800℃～1000℃的高温下进行，这就限制了CVD工艺在硬质合金底基上的应用。由于硬质合金刀具变脆将导致韧性的降低。而PVD工艺过程因其400℃～600℃的低沉积温度，较之于CVD工艺有明显的优点。　　以PVD工艺制作氧化铝涂层的主要限制因素在于沉积过程中绝缘层沉积在涂层系统内部的所有表面，包括底基和底基座、靶材侵蚀面外的靶材部分和真空腔内壁。这将导致由于靶材“中毒”和阳极消失而引起的偏压电源和阴极（电弧）电源的不稳定情况。解决此问题比较成功的两个技术是：RF（射频）溅射和BP－DMS（两极脉冲双磁控溅射）。　　氧化铝涂层设备　　PVD氧化铝系统应能以较高的沉积速率（短工作周期）沉积较低限度的γ－相氧化铝，并且具有稳定的涂层特性。系统应能够在高温下运行并且技术本身成本不高。较好用单阴极系统，这样可将现存设备升级为可镀氧化铝的涂层设备。豪泽公司的T－模式控制系统可使靶材表面在氧化沉积过程中处于过渡状态，这要求专门的阴极的设计和闭合磁场内的非平衡磁控。为得到较佳的反应气体引入，采用了特殊的控制系统。在约两年的时间内在几个生产设备上得到验证了此系统。

真空电镀（PVD）的基本原理 惰性气体或反应气体电离为气体离子，气体离子因靶（所谓靶是IP电镀的消耗材料）的负电位形成定向运动，轰击固体靶材表面进行能量交换，使靶材获得能量溅射出靶原子或分子，在电场加速运动下产生物理气象沉积（PVD）于所电镀产品表面，形成电镀层。PVD表面处理特点是：1、光泽度好2、无镍环保3、延长基本寿命1~2年与普通水电镀对比：处理方式 IP 水电镀 电泳漆光泽度 好 好 一般抗腐蚀性 好 一般 好耐磨性 优良 一般 差品质保证 1~2年 3~6个月 3个月

高纯氧化铜，顾名思义就是纯度很高的氧化铜。高纯氧化铜的纯度到达99.9%之高，熔点不变，一样为1326℃，密度为6.3 g/cm3，晶体折射率为n=2.6，规格为颗粒、压片、靶材三种，外观为棕黑色。

氧化铟锡或者掺锡氧化铟是一种铟氧化物和锡氧化物的混合物，通常质量比为90% In2O3，10%SnO2。氧化铟锡物态 固体氧化铟锡熔点 1800-2200 K (2800-3500 °F)氧化铟锡密度 7120-7160 kg/m3 at 293 K氧化铟锡颜色 (粉末状) 浅黄到绿黄色，取决于SnO2浓度。氧化铟锡在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。 因为铟的 价格 高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳奈米管导电镀膜是一种有前景的替代品。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段（但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其它的缺点）。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。氧化铟锡主要用于制作液晶显示器、平板显示器、电浆显示器、触摸屏、电子纸等应用、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。氧化铟锡也被用于各种光学镀膜，最值得注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。氧化铟锡薄膜可以在高于1400 °C及严酷的环境中是用，例如气体涡轮、喷气引擎、还有火箭引擎 。想要了解更多关于氧化铟锡的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。 

钛铝合金是一种银白色的金属，钛铝合金有很多优良性能。钛的密度为4.54g/cm3，比钢轻43% ，比久负盛名的轻金属镁稍重一些。机械强度却与钢相差不多，比铝大两倍，比镁大五倍。钛耐高温，熔点1942K，比黄金高近1000K，比钢高近500K。钛铝合金 主要应用在真空镀膜行业，钛铝合金可以做成一定比例的合金靶材，可以作为磁控溅射镀膜的原材料。钛铝合金制成的飞机，承载旅客能力更强；钛铝合金制成的潜艇，不仅能抵抗海水腐蚀，而且能抗深层水压，其下潜深度比不锈钢潜艇增加80%。

铟在地壳中的含量为0.1ppm（1ppm=1μg/g，下同），属稀散元素，它自身不能构成独立的矿藏，在天然条件下零散地涣散在其他矿化矿藏中。铟首要表现出亲硫的性质，在硫化矿藏尤其是铅和锌的硫代锡酸盐和和硫化锑酸盐的一些矿藏中含量较高。铟的首要来历是（铁）闪锌矿，含量为100～1000ppm，在铜矿中也有必定含量的铟。因为铟在矿藏中含量很低，不能作为独自一种工业质料挖掘；及时铟在闪锌矿中含量最富，也依然不能作为独立挖掘的矿藏，只能在重有色金属冶炼过程中做为归纳使用质料的副产品收回。一般在进行质料的归纳冶炼时，只需铟的含量到达200ppm，就具有归纳收回的价值。     铟是一种银白色的金属，相对密度为7.3，熔点为156.6℃，沸点为2075℃；其性质柔软，可塑性强，并有延展性，可压成极薄的薄片，但拉伸极限低，黏度大，故难拉成丝和不利于切削。铟的导电性比铜约低4/5，其热膨胀系数几乎是铜的1倍以上。     铟的化学性质与铁近似，长与锌、铁一同构成类质同象物。铟可生成一价、二价和三价化合物，但只要三价化合物是安稳的，在水溶液中只存在三价铟的化合物。     氧化铟（In2O3）是黄色不溶于水的物质，当铟在空气中氧化或将氢氧化铟煅烧时都可得到氧化铟。氧化铟可在700～800℃时被氢或炭复原成为金属。贱价氧化物InO或In2O是复原时的中间产品。     将碱或与铟盐的溶液效果，可以制得氢氧化铟，呈白色胶状沉淀。氢氧化铟在PH值为3.5～3.7的稀溶液中就开端分出，当铟的浓度添加时，氢氧化铟分出的PH值可向酸性移动。     三氯化铟是无色、易于蒸发的化合物，熔点为586℃，可是，在450℃时已开端提高，可溶解于水。     硫酸铟[In2（SO4）3]是铟的重要盐类之一，在中性溶液中结晶出无水化合物[In2（SO4）3·5H2O]，在100～120℃时，还逐步脱水成为无水化合物。硫酸铟为白色固体，溶解于水。     铟和硫可以生成硫化物，如将通入中性或弱酸性的醋酸铟溶液中，就会分出黄色硫化物InS。     现在，铟的矿产资源首要会集在美国、俄罗斯、加拿大、南非和我国，可是，其他地方如西欧有精粹厂。按USGS计算，2000年国际精矿生产量为220吨，比上年添加了3%，国际贮存（库存）量约5600吨。我国铟矿产资源散布于十多个省份，首要会集在广西、云南、广东和内蒙古四个省区，占全国已探明储量的82.90%，占保有储量的84%。我国稀贵金属资源比较丰富，例如铟资源拥有量现已超越加拿大、美国、俄罗斯、秘鲁和日本，跃居国际第一。我国已探明的铟储量超越一万吨，已探明的铅锌储量分别为3573万吨和9379万吨；我国铅锌矿床含铟率高于国外，与铅锌矿床共生的铟储量为8000吨左右。[next]     铟元素的发现已有100多年的前史，之后通过大约60年，才开端在工业和技能方面得到使用。现在铟的使用领域已显着扩展，这是对元素自身及其化合物越来越透彻了解的成果。     铟是一种多用处的金属，具有熔点低、沸点高、传导性好，氧化物能构成通明的导电膜等特性，其使用规模正在不断扩展，特别是近年来，发现铟的用处越来越广泛，尤其是在半导体、导体、低熔点合金、铟锡氧化物、硒铟铜薄膜太阳能电池、光纤通讯、原子能、电视、防腐以及其他工业方面的使用越来越引起人们的注重和注重。除了以上用处外，使用铟合金熔点低的特色还可制成特殊合金，用于消防系统的闭路保护设备及自动控制系统的热控设备。因为铟具有较强的抗腐蚀性以及对光的反射才能，可以制成军舰或客轮上的反射镜，既可坚持亮光持久不变，又本领海水的腐蚀。别的，铟做为耐磨轴承、牙科合金、钢铁和有色金属的防腐装修件、塑料金属化以及传统首饰纪念物的用处仍在持续增加。     大约70%的铟是用于制备ITO（铟锡氧化物），它可制成通明电极，用于计算机和其他显现屏上，尤其是LCD液晶显现器上，这是ITO的最大（终端）用户。平面显现器是人类与电子国际“沟通”的“界面”，它大大促进了可移动电子设备的开展，例如手机、掌上型电脑等。用于平板显现中的ITO膜对可见光通明、吸收紫外线、反射红外光具有很好的耐蚀性以及环境和热安稳性。     铟的第二大使用领域是焊料，例如焊膏和低熔点（易熔）合金，这些材料又有多方面的使用。铟还用于制造半导体材料，这种所制器材促进了高速数字网络的开展，然后可以处理日益增大的声响、印象和数字传输容量。

CuInSe2(简称CIS)及其衍生物因其低成本、高的光吸收系数(105/cm)和良好的稳定性被认为是最有潜力的薄膜太阳能吸收层材料，近年来逐渐受到研究者的重视。目前CIS系粉体的制备多集中于实验室规模，量产化工艺有待进一步研究和改进。CIS系粉体的应用例举如下。 1 涂覆法制备太阳能电池吸收层 涂覆法是一种很有前景的的CIS系吸收层薄膜低成本制备工艺，该方法先制备出符合原子计量比的前驱物，使用各种涂覆工艺沉积在基板上后在控制气氛下热处理而转变为CIS系薄膜。以CIS系纳米粉末作为涂覆原料可保证薄膜原子计量比接近既定计量比，有利于提高薄膜质量，并且工艺简洁。Ahn等将Cu0.90In0.64Ga0.23Se2.0(15nm)溶于甲醇，使用喷雾的方法沉积到Mo/Glass基板上并在160℃热处理，后经固态源硒化成膜。升高硒源蒸发温度和增加载气流速均有利于形成结晶良好的大尺寸CIGS晶粒，但同时也在Mo和CIGS之间形成MoSe2层。Guo等采用“墨水印刷”的工艺制备CIS系薄膜，将CIS系纳米粉体溶于有机溶剂作为“墨水”，将其直接涂覆于基板上经硒化处理成膜。基于CuInSe2的电池器件达到了3.2%的转换效率;而基于Cu(In1–xGax)(S1–ySey)2的电池器件转换效率为4.76%(有效面积效率5.55%)。 2 纳米晶–聚合物太阳能电池 纳米晶–聚合物太阳能电池又称为混合太阳能电池(Hybrid SolarCell)，是将n型半导体纳米晶植入p型掺杂的聚合物而得的新型异质结太阳能电池。该类太阳能电池近年来成为国内外研究的热点。由于CIS系材料的导电类型依赖于自身的缺陷种类，调整其原子计量比就可以得到所期望的导电类型。Arici等[34]将n型CuInSe2纳米颗粒植入p型P3HT聚合物，在ITO玻璃上制得了异质结。当CISe/P3HT质量比为6:1时，其光电响应较好;所制得的器件开路电压最高值为1V，光电流为0.3 ×10–3 A/cm2。Arici等同时研究了基于CuInS2纳米颗粒的异质结，该工作中，作者采用了不同的聚合物体系。

什么是EMI电磁兼容性（Electromagnetic Compatibility）缩写EMC，就是指某电子设备既不干扰其它设备，同时也不受其它设备的影响。电磁兼容性和我们所熟悉的安全性一样，是产品质量较重要的指标之一。安全性涉及人身和财产，而电磁兼容性则涉及人身和环境保护。 电磁波会与电子元件作用，产生干扰现象，称为EMI（Electromagnetic Interference）。例如，TV荧光屏上常见的“雪花”便表示接受到的讯号被干扰。EMI溅射镀膜的原理原理说明：1. 在高度真空状态下，充入适量氩气；2. 施以高压直流电，将氩气电离成氩离子，加速撞击金属靶材，溅射出金属离子；3. 金属离子在电场中加速溅射在基材（塑壳）上，形成金属离子薄膜。真空溅镀EMI的应用范围真空溅镀EMI具有高导电性和高电磁屏蔽效率等特点，广泛应用于通讯制品(移动电话)、电脑(笔记本)、便携式电子产品、消费电子、网络硬件(服务器等)、医疗仪器、家用电子产品和航空航天及国防等电子设备的EMI屏蔽。适用于各种塑胶制品的金属屏蔽（PC、PC+ABS、ABS等）。EMI溅射镀膜的特点真空技术是结合机械、电机、材料、化工和航太等技术发展出来的产业，亦是目前我国与美、日等国极力推动之十大新兴产业之一。真空技术应用范围日趋广泛，运用对象包括光电、半导体和LCD产业等，近年来尤其在光电、IC和LCD等产业之制造设备，更是成长迅速。EMI溅射镀膜具有以下特点：价格低（国内拥有自主知识产权的话）。 真空溅射加工的金属薄膜厚度只有0.5～2μm，不影响装配。 真空溅射是彻底的环保制程，环保无污染。 欲溅射材料无限制, 任何常温固态导电金属及有机材料、绝缘材料皆可使用（例：铜、铬、银、金、不锈钢、铝、氧化矽SiO2等）。 被溅射基材几无限制（ABS、PC、PP、PS、玻璃、陶瓷、epoxy resin等）。 膜质致密均匀、膜厚容易控制。 附著力强（ASTM3599方法测试4B）。 可同时搭配多种不同溅射材料之多层膜。并且，可随客户指定变换镀层次序.

在熔盐电解和金属热还原方法生产的稀土金属的过程中，由于受原料中的杂质含量、设备容器、操作工具、环境气氛等因素影响，上述两种方法制得的稀土金属杂质含量较高。纯度一般在99%左右。随着高新技术的飞速发展，诸多新型稀土功能材料对稀土金属的纯度提出了大于99.9%、甚至99.99%的更高要求，有的还对部分非稀土杂质的含量做出限制。近年来，高纯稀土金属的应用不断得到开发，比如高纯镝和铽用于Tb-Dy-Fe大磁致伸缩材料，高纯铽、镝、钆用于制备磁光靶材，高纯镝、钬、铒、铥用于高光效金属卤素灯，高纯铒、钬用于磁致冷材料等。稀土金属向高纯化发展已成为当今稀土金属研究开发的重要课题之一。     稀土金属中的杂质可分为稀土杂质和非稀土杂质两种。稀土杂质是指除主体稀土元素以外的其他稀土元素，稀土杂质含量的多少表示稀土元素分离程度的好坏，尽管现有的提纯方法对去除稀土杂质的效果较差，但可使用含稀土杂质极低的高纯稀土氧化物来制备稀土金属；非稀土杂质包括稀土元素以外的其他金属、非金属杂质，特别是C、O、N、H等杂质在金属中溶解度低，多以氧化物、氮化物、氢化物等形式存在，提纯有一定难度。目前，稀土金属的提纯方法主要有真空蒸馏法、真空熔炼法、熔盐萃取法、电迁移法、区域熔炼法、电解精炼法以及区熔-电迁移联合法等[1]。稀土金属的提纯具有如下特点：稀土金属性质活泼，容易与金属和非金属杂质发生作用，因此提纯应在氩气或真空中进行，同时要选择适宜的坩埚和冷凝器，避免对稀土金属造成污染；任何一种提纯方法对去除稀土金属中的稀土杂质的效果都较差，因而应选择稀土杂质尽量低的稀土金属作为被提纯的原料；任何一种提纯方法只能去除稀土金属中的某些杂质，所以在选择提纯方法时要综合考虑杂质的种类、纯度要求、提纯效果，必要时采用几种方法相结合除去杂质。       参 考 文 献     1、钟俊辉，稀土金属的高纯化技术[J]，稀土，1992，13（3）：44

        多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料多晶硅薄膜太阳能电池特点：即将晶体硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电他的激活层，不仅保持了晶体硅太阳电他的高性能和稳定性，而且使硅材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池如能有效突破 产业 化瓶颈，将会在太阳能电池 市场 上占据主导地位。有如下几个特点：1) 材料成本低，工艺较复杂且尚未成熟2) 光电转换效率很高3) 电池稳定性较高4）尚未突破 产业 化瓶颈多晶硅薄膜太阳能电池技术原理1)利用晶体硅薄膜制备太阳电池的基本要求为：（a）晶体硅薄膜厚度为5-150μm；（b）增加光子吸收；（c）晶体硅薄膜的宽度至少是厚度的一倍；（d）少数载流子扩散长度至少是厚度的一倍；（e）衬底必须具有机械支撑能力；（f）良好的背电极；（g）背表面进行钝化；（h）良好的晶粒间界。2）多晶硅薄膜的现有生成方法a)半导体液相外延生长法（LPE法）LPE法生长技术已广泛用于生长高质量的外延层和化合物半导体异质结构，如GaAs、AIGaAs、Si、Ge、siGe等。LPE可以在平面和非平面衬底上生长，能获得结构十分完美的材料。用LPE技术生长晶体硅薄膜来制备高效薄膜太阳电池，近年来引起了广泛兴趣。 LPE生长可以进行掺杂，形成n-型和p-型层，LPE生长设备为通用外延生长设备，生长温度为300°C-900°C，生长速率为0.2μm-2μm／min，厚度为0.5μm-100μm。外延层的形貌决定于结晶条件，并可直接获得具有绒面织构表面的外延层。 b)区熔再结晶法（ZMR法）在硅（或其它廉价衬底材料上）形成SiO，层，用Lp-CVD法在其上沉积硅层（3μm-5μm，晶粒尺寸为0.01-0.μm），将该层进行区熔结晶（ZMR）形成多晶硅层。 控制ZMR条件，可使再结晶硅膜中的腐蚀坑密度由1×I07cm-2下降到1-2×106cm-2，同时（100）晶相面积迅速增加到90％以上。为了满足光伏电池对层厚的要求，在ZMR层上用CVD法生长厚度为50μm-60μm的硅层作为激活层，用扫描加热使其晶粒增大至几毫米，从而形成绝缘层硅结构（SOI），激活层为p 型，电阻率为1Ω·cm-2Ω·cm。为获得高质量的激活层，在进行Lp-CVD前，对ZMR层表面进行HCI腐蚀处理。为制备多晶硅薄膜太阳龟池，在激活层表面进行腐蚀形成绒面织构，并在其上进行n-型杂质扩散形成p-n结，然后进行表面钝化处理和沉积减反射层，并制备上电极，进行背面腐蚀和氢化处理，制作背电极，即制成多晶硅薄膜太阳能电池。 上述结构不但有效地降低串联电阻，还能增加背反射。在10cm×10cm面积上获得转换效率为14. 22％的多晶硅薄膜太阳电池。c）等离子喷涂法（PSM） 采用DC一RF混合等离子系统。以纯度为99.9999％，粒度为50μm一150μm的p-型晶体硅粉作为原材料，用Ar气作为携带气体，由DC-RF等离子体进行喷涂。原料贮存盒和携带气体管道涂覆Si-C-N-O化合物，防止 金属 杂质污染硅粉在高温等离子体中加热熔化。熔化的粒子沉积在衬底上，衬底由加热器加热，沉积前，用红外热偶测试衬底温度，使之保持在1200℃，沉积室由不锈钢制成，用无油泵抽真空，其真空度为1.33×10-2pa。等离子体由Ar和少量H构成，沉积时压强为8×10-8pa。沉积的多晶硅膜厚度为200μm-1000μm。多晶硅晶粒尺寸为20μm-50μm，沉积速率大于10μm／s。用等离子体喷涂沉积多晶硅薄膜太阳电池，全部采用低温等离子CVD工艺。用碱或酸溶液腐蚀沉积的多晶硅层，在其上于200℃用等离子CVD形成厚度约200×10-8cm的微晶硅作为发射层，并制备ITO减反射层和银浆电极构成太阳电池。面积为lcm2，在AM1.5、100mW／cm2条件下，电他转换效率为了η=4.3%。d)叠层法 在较低的温度300℃下，用叠层技术，在经预先氟化处理的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜，该方法类似于沉积a-Si：H薄膜。在低温下用等离子增强化学气相沉积法（PELVD）沉积大面积多晶硅薄膜。 一般，p。型掺杂多晶硅薄膜用叠层技术沉积，其厚度为0.28mm～5.78mm。典型的沉积条件为：SiF4流量为60SCCm，氢流量为15SCCm，沉积温度为300℃，微波功率为200W，压强为53.3Pa。进行卜型掺杂沉积时，在氢气中混合10ppmPH3，流量为18SCCm。每次沉积持续和原子氢处理时间为10s。由于沉积时，掺杂用的PH3和源SiF4加入氢等离子体区域，这样可以较好地控制膜中的P和Si的比例。在100K-400K温度范围内，用霍尔效应和电导测量确定其载流子输运特性。实验表明，材料结构是膜厚的函数，霍尔迁移率随膜厚度增加而增加，样品的最高迁移率区是在薄膜表面附近。载流子电导由晶粒问界势垒决定。e)化学气相沉积法（CVD）用化学气相沉积法（CVD），在铝陶瓷衬底上沉积3μm-5μm的硅薄膜。为了获得高质量的硅薄膜，铝陶瓷衬底上预先沉积Si3N4／SiOx双层膜。在硅薄膜沉积时，引入硼掺杂。用CW-Ar激光束溶化沉积的硅膜，在氮气氛中，400℃-500℃下再结晶。制备薄膜太阳电池时，用常规方法进行P扩散和沉积ITO膜，用氢等离子处理来钝化晶体缺陷。电池也可采用MgF2（110×10-8cm）／TiO2（650×l0-8cm）双层减反射膜，MgF2层用电子束蒸发方法沉积，TiO2层用常压CVD沉积。该方法制备的太阳电池厚度为4．2μm，短路电流为25.5mA／cm2，开路电压为0.48V，FF为0．53，η=6.52％。f)固相结晶法（SPC）开始材料a-Si用SiH，或Si2H，辉光放电沉积在平面或绒面衬底上，沉积时加A PH3，形成p。掺杂层，其作用起增强晶核和形成大晶核的作用。p-掺杂层典型的厚度为170nm，在其上沉积不掺杂的a-Si层。通过改变沉积条件，如压力，RF功率等来改变不掺杂的a-Si层的结构。沉积后，在真空中600℃下进行退火，使a-Si层进行固相结晶，形成多晶硅。用Raman光谱研究未掺杂a-Si结构和多晶硅膜关系，经Secco腐蚀显露出晶界，用扫描电镜测量晶粒尺寸和密度用上述SPC法制备的多晶硅薄膜电池，其结构为衬底采用钨，SPC后n型多晶硅层厚度为～10μm，在n型多晶硅上沉积卜型a-Si和p型a-Si，其厚度为～10μm，在p型a-Si上沉积～70nm的ITO膜，并沉积 金属 电极。制作的多晶硅太阳电池，面积为1cm2，转换效率为6．3％，当波长为900nin时，电他的收集系数为51％，电他少数载流子扩散长度为11μm，最高短路电流为28.4mA／cm2。p型掺杂层的P杂大于1020cm-3。 3)根据目前的文献多晶硅薄膜适用的衬底材料（类似于非晶硅薄膜电池的导电玻璃）如下a)单晶硅 b）多晶硅 c）石墨包SiC d）SiSiC e）玻璃碳 f）SiO2膜多晶硅薄膜太阳能电池近期技术发展情况1)根据公开信息，无锡尚德自2001年起已在研发多晶硅薄膜生产技术，２００５年，尚德在国家科技部和江苏省、无锡市三级的支持下，加快第二代多晶硅薄膜太阳电池大规模 产业 化研究，但目前尚未披露实质性进展；2)德国夫朗霍费太阳能研究所采用RTCVD法在SSP衬底上制备的太阳能电池转换效率可达8％以上；3)1998年北京市太阳能研究所赵玉文等报道了以SiH2Cl2为原料气体，采用快速热化学气相沉积（RTCVD）工艺在石英反应器中沉积多晶硅薄膜。气源为H2和SiH2Cl2的混合物，石英管内配有石墨样品托架，采用程控光源将石墨样品托架加热到1200℃。试验所用衬底为重掺杂磷非活性单晶硅片或非硅质底材。在1030℃下薄膜生长速率为10nm／s，研究了薄膜生长特性，薄膜的微结构，并研制了多晶硅薄

铟称得上“合金的维生素”，铟合金可用作钎焊料，铟是无铅焊料新的重要添加元素，国际无铅焊料的发展趋势有利于铟钎焊料的使用。使用铟合金熔点低的特色还可制成特殊合金，用于消防系统的断路保护设备及自动控制系统的热控设备;添加少数铟制作的轴承合金是一般轴承合金使用寿命的4-5倍;铟合金还可用于牙科医疗、钢铁和有色金属的防腐装修件、塑料金属化等方面。 因为铟具有较强的抗腐蚀性及对光的反射才能，可制成军舰或客轮上的反射镜。铟对中子辐射灵敏，可用作原子能工业的监控剂量材料，现在用在原子能工业的铟，大约与电子工业上的用量附近。 铟可在蓄电池中作添加剂，在无碱性电池中作为缓蚀剂，可使电池成为绿色环保产品。铟在避免雾化层方面的用量不断添加，铟涂层开始是在轿车制作业中选用，有或许遍及到工业及高级民用建筑业中去。日本索尼公司发明晰以铟替代钪的新阴极，这样每根电子的成本就降到了掺钪电子的十分之一左右。因而，在电视机大功率输出、长寿命方面，铟的使用发展远景有目共睹。 在光电子范畴，铟及其化合物半导体具有广泛的用处。在铟基III-V族化合物半导体如锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)等中，研讨和使用最早的是锑化铟(InSb)，而最受注重并具有潜在使用远景的是磷化铟(InP)，它在微波通讯向毫米波通讯方面，作为光纤通讯的激光光源和异质结太阳能电池材料方面，都有突破性发展，展示了铟使用的可喜远景。锑化铟和砷化铟在红外勘探和光磁器材方面也有重要用处。在太阳能电池中，含铟化合物薄膜材料正异军突起，以其高转换率、低成本、便于带着等优势遭到注目。铜铟硒(CIS)等I-II-VI三元化合物薄膜半导体材料，因为有报价低廉、功能杰出和工艺简略的长处，将成为往后大力发展太阳电池工业的一个重要方向，促进铟在该范畴的使用不断增大。以信息技能为中心的新产业现已鼓起，铟锡氧化物(ITO)是各类平板显示器不行短少的要害材料，现在全国际的铟有75%左右耗费在这方面，未来依然大有作为。不仅如此，跟着铟的提取、加工技能不断进步，生产成本的下降，铟的使用还在持续拓宽。

一、前语纯度为 99.9％～99.99％的钴 现已广泛运用于磁性材料、超级合金的制作，99.999％乃至更高纯度的钴则用来做为先进电子元件的靶材。钴靶材中的杂质会影响电子器件的运用功用：碱金属（如 Na，K）、非金属（S，C，P）等杂质能够在半导体之间搬迁，然后影响其功用；Fe会导致电子器件磁功用的不一致；Ti，Cr，Cu元素会影响半导体元件的导电功用；气体杂质（如 O）能够添加半导体元件中的Co和 CoSi2的电阻；Ni会影响半导体的界面功用；放射性元素如U，Th能够辐射出α射线，使半导体失效。因而，研讨高纯钴的制备办法对进步钴靶材的质量有着重要的含义。 在国际上，1956年美国矿业局（Bureau of Mines）初次制备出纯度为 99.99％高纯钴。K.K.Kershner等人通过阳离子交流法和沉淀法除掉四合钴（Ⅲ）盐溶液中的铁、铜、镍等杂质，终究选用阴极电解法制备出高纯钴。跟着离子交流法的开展和高效萃取剂 P507，Cynex272，Cynex301等的呈现，钴溶液提纯技能得到长足开展。美国、加拿大、日本、韩国等国在钴提纯技能上进行了很多研讨工作 ，其间以日本最为杰出。日本 JMc公司于 1997年开端出产高纯钴 ，现有 99.998％高纯钴产品。日矿（Nikko）公司和 日本株式会社化学研讨现已出产出99.999％的高纯钴 ；日本 Furuchi公司出产的高纯钴能够到达 99.999 5％（分析 70种杂质元素），是现在报导中纯度最高的。 在国内，1961年上海有色金属的研讨所以粗钴为质料 ，用次溶液除镍，以离子交流除铝和锌 ，中和水解法除铁，制备高度纯洁的氯化钴溶液进行电解精粹，获得 99.99％高纯钴。金川镍钻研讨设计院的申勇峰等以l#电解钴为质料选用电溶 、离子交流法除掉溶液中的杂质离子电解提纯后的溶液，得到 99.994％的高纯钴。此外北京有色金属研讨总院和北京矿冶研讨总院也正在进行高纯金属的研讨工作。金川有色金属公司是我国镍钴首要出产基地，钴产值居全国之首，并且出产技能也代表了我国最高水平。其选用粗钴阳极隔板膜电解法出产出纯度大于 99.98％的电解钴 ，到达 1#电解钴的标准。 国外首要选用离子交流法除掉溶液中大部分杂质离子，然后通过电解得到金属钴，再选用区域熔炼、电子束熔炼等手法进一步提纯得到高纯钴。国内研讨工作首要会集在离子交流和电解精粹上，现在还没有扩大化出产的报导。 二、高纯钴的制备制备高纯钴的质料是工业电解钴、钴盐等，运用的冶金办法首要有湿法冶金、火法冶金、电化学冶金等。制备进程分为钴盐溶液净化和钴金属精粹 2个阶段：第 1阶段首要选用湿法冶金办法，如溶剂萃取、离子交流、膜别离、电解等，用以除掉粗钴溶液中的大多数金属杂质，首要是镍、铜、锌、铁等杂质，并经电解得到金属钴；第 2阶段首要选用火法冶金办法，如区域熔炼、真空脱气等，用以进一步脱除金属钴中的碱金属、碱土金属、非金属气体杂质，终究得到高纯金属钴。 （一）钴盐溶液的净化 1、溶剂萃取法溶剂萃取法是运用杂质离子在有机相和水相之间的分配比不同到达别离杂质的意图。Ritcey等在20世纪 70年代研讨了运用 D2EHPA进行钴、镍别离的工艺。N.B Devi研讨了硫酸盐系统中选用D2EHPA，PC88A，Cyanex272萃取 Co的行为，并评论了比较、皂化率对萃取因子的影响。M.V.Rane选用 LIX84从废旧的催化剂中萃取钴，然后用沉淀法除铁和铝 ，得到了纯度大于 99.9％的钴 。N.V.Thakur等选用 P204和 P507完成了钴与镍、铜等杂质的别离。 Wang Guangxin等选用溶剂萃取法和离子交流法净化钴溶液，然后经电解得到金属钴，其成果见表 1。能够看出，溶剂萃取法对大多数金属离子有很好的除杂作用，但对铜、锌、钛、铅等金属离子反而起了富集作用。溶剂萃取法适用于大规模提纯钴溶液，但在制备高纯钴方面作用却不显着。 表1  离子交流和溶剂萃取后的杂质含量（×10－4％）注：①溶剂萃取－电积工艺；② 离子交流－电积工艺；③ 溶剂萃取－4次离子交流－电积工艺。 2、离子交流法离子交流法是运用离子交流树脂的功用基团和溶液中杂质离子的交流、解析才能的差异到达别离的意图。K.Mimura等选用阴离子交流法净化钴溶液，再经电解、电弧熔炼、电子束熔炼得到纯度为99.999 7％的高纯钴。Nagao等选用阴离子交流法除掉 Fe，Zn，Sn，Ni，Ca，Mg，Na等，然后选用有机胺萃取别离其它杂质，得到的高纯钴盐溶液经结晶、枯燥后复原得到高纯钴粉，其间的Fe，Zn，Sn，Ni，Ca，Na，Mg含量都低于 0.000 l％。 钴盐溶液中的铜在酸性条件下始终能弱吸附在树脂上，难以与钴别离。为处理铜的共吸附问题，Masahito等将钴溶液 中的 Cu2＋复原为 Cu＋，再选用阴离子交流树脂除掉Cu＋（Co2＋不被吸附），净化后的高纯 CoCl2溶液结晶、枯燥后经复原得到纯度为 99.999 7％的金属钴（RRR=207），成果见表2。由表 2可见，铜杂质含量低于 0.000 005％。 表2  阴离子交流法制备的高纯钴中的杂质含量（×10－4％ ）离子交流法对 Zn，Mo，W，Cu的别离作用并不显着，对铅有显着的富集作用。 3、萃取色层法萃取色层法是运用吸附在大孔树脂上的萃取剂对溶液中离子的挑选性萃取到达别离意图。刘扬中等研讨了添加配位剂基乙酸 ，以替代传统的树脂转型办法进行萃取色层法净化钴溶液。他们调查了淋洗液 pH值、进样量及料液中Co、Ni比等要素对别离的影响，在 pH值为 3.40的条件下用5 g萃淋树脂完成将钴、镍质量比在 1～100范围内溶液中的钴、镍（总量为 1.6 mg）彻底别离，并研讨了基乙酸的配位、缓冲作用对别离进程的影响。 周移等将 P507萃淋树脂转型为 Mg型 ，进步了对 Co2＋的萃取才能 ，完成了钴与镍的彻底别离 ，并进步了柱子运用寿数。周春山等选用转型后的 P204萃淋树脂以 pH值为 2.5的一钠为淋洗液，完成了钴与铜、锌、锰、铬等金属离子的彻底别离。刘展良等具体研讨了 HCl系统中 Zn、Ca、Mg、Fe、Co、Ni和稀土离子在 P507萃淋树脂上的淋洗行为，并探讨了 Fe3＋在柱床上或许存在的反响 机理。萃取色层法既具有液一液萃取中萃取剂的高度挑选性 ，又具有离子交流色层别离的多级性，在别离性质附近的元素上有着优 良的功用，因而在湿法冶金中遭到越来越多的注重。一起萃取色层也存在一些 本身的缺陷 ，如柱子萃取容量比较低 ，萃取剂简单丢失 ，寿数相对较短等。进步柱子的萃取容量，战胜萃取剂丢失，开发挑选性更好的萃取剂是往后萃取色层法获得重大突破的要害。4、膜别离法膜别离法是运用液膜能够挑选性地透过离子并在水相富集而到达别离的意图。Jerzy等选用支撑液膜和大块液膜做载体 ，D2EHPA做萃取剂别离钴和镍 ，探讨了溶液酸度 、膜离子载体浓度、金属离子浓度对别离成果的影响。 Li Longquan等研讨了乳化液在硫酸系统中别离钴、镍的进程。他们选用 EDTA作为掩蔽剂掩蔽料液中的镍离子，以P204的乳化液膜作为载体从硫酸盐系统中收回钴。通过调查 pH值、别离时刻等要素，断定了最佳的别离条件。 虽然膜别离法具有高的挑选性和传质快等长处，但因膜的稳定性差、本钱较高级原因，现在还处于实验室中试阶段。5、电解法钴电解是在酸性钴盐溶液中进行的。电解液的组成、浓度、酸度、温度、电流密度等条件应该严格控制。因为溶液中的Cu2＋，Cu＋，Sn2＋，Ni2＋，Pb2＋，As3＋等杂质离子的电势比钴高（正）或许和钴挨近，在电解时会与Co2＋一起分出；电势比钴更低（负）的金属离子如 Fe，Mn，Zn，Na等杂质离子的存在对钴的质量影响不大，但含量较高也会带来必定的损害。因而要严格控制溶液中的杂质离子含量。 净化后的钴溶液中溶解的少数萃取剂会添加金属钴的杂质含量经活性炭处理得到的电积钴中的 C，O，N，H含量大大下降，见表3所示。 表3  活性炭处理后电积钴的杂质含量（×10－4％）注：① 溶解的有机相用经6 mol／L的HCl处理过的活性炭除掉，经电解、EBM后得到的数据；② 进程相似Example 2经电积得到数据，运用的活性炭未经酸处理；③ 进程相似 Example 2，经电积得到数据，溶液未经活性炭处理。 Isshiki等选用聚乙烯电解槽，用直径为1 mm的高纯钴丝（99.998％）做 阴极，用铂板做阳极，电解高纯 COC12溶液得到直径 5 rain的钴棒。 Shindo等选用离子交流法除掉溶液中的杂质，然后经屡次电解和电子束熔炼得到金属钴 。屡次电解和电子束熔炼后的杂质含量见表4。 由表4能够看出，电解能够别离 Ni，Fe，K，U，Th等杂质，屡次电解精粹能够进一步下降杂质含量；电解精粹后的电子束熔炼能够有用去除Na杂质。 表4  钴电解精粹和电子束熔炼后的杂质含量（二）钻金属精粹为脱除金属钴中剩余的碱金属杂质和部分气 体杂质 ，电解得到的金属钴还需要通过火法精粹。常用的办法有电子束熔炼 、区域熔炼等。区域熔 炼是依据杂质元素在液态和固态平分配系数的差 别，使金属得到提纯。可是 ，对分配系数挨近 1 的元素，如 Fe，Ni，Co，Cr，Mn，A1，Cu，Si很难用区域熔炼法相互提纯。电子束悬浮区熔是制 备高纯金属常用的办法，它能够成长完好的单晶，显着进步金属的 RRR值，如表 5所示。通过区域 熔炼后 ，金属钴的 RRR值分别由236和 116进步到 334和 245。 表5  不同工艺下杂质含量及RRR值的改变（×10－4％）注：A，CoCl2质料；B，氢复原钻；C，电解＋6次电子束悬浮区域熔炼；D，氢复原＋4次电子束悬浮区域熔炼；E，氢复原＋8次电子束悬浮区域熔炼 ；F，氢复原－处理＋4次电子束悬浮区域熔炼。 Miller等运用真空脱气烧结法使金属钴中的Zn，Cd，S，O，C等杂质元素含量显着下降，成果如表6所示。 由表6能够看出，真空脱气烧结法能够有用地脱除金属中的 C，O，N等非金属杂质 ，但关于金属杂质作用并不显着。 表6  真空烧结脱气作用（×10－4％）三、结语 单一的提纯办法无法满意制备 5N以上高纯钴的要求。溶剂萃取法对大多数金属离子有很好的作用的，但对 Ni，Cu，Zn等金属离子的别离作用相对较差；膜别离法存在稳定性差 、本钱高的缺陷。离子交流和萃取色层法对别离性质附近的元素上作用杰出 ，但存在容量低一级问题。火法精粹进程中，区域熔炼可去除金属钴中的碱金属、碱土金属和气体杂质，并有利于生成纯度高、值大的完好钴单晶。因而，制备 5N以上的高纯钴合理的工艺流程为：首要选用离子交流或萃取色层法除掉钴盐溶液中的镍、铜、铁、锌等杂质，然后选用电解进一步除掉 Ni，Fe，K，U，Th等杂质得到高纯金属钴，终究选用区域熔炼除掉其间的碱金属和蒸气压较大的杂质，得到晶型完好的高纯钴产品。

锡回收价是一个很重要的参考值，因此也很广大投资者的重视，而上海有色网对此也十分的关注。锡渣回收价格：根据含锡量计算价格，一般按照长江现货价格的70%计算价格锡的提炼与回收可以分为下面131个方面。1.彩钼铅矿的化学分选方法2.从低品位锡矿中直接提取金属锡的方法3.从镀锡、浸锡和焊锡的金属废料回收锡的方法及其装置4.从炼铜废渣中回收锡、铜、铅、锌等金属的方法5.从氯化渣中综合回收金银及铅锡等有价金属的方法6.从钨酸盐溶液中沉淀除钼、砷、锑、锡的方法7.从锡精矿直接制取锡酸钠的生产方法8.从锡矿石中萃取锡9.低质粗锡直接电解生产优质精锡的方法10.分离回收镀白铜针铜锡的方法及其阳极滚筒装置11.高铟高铁锌精矿的铟、铁、银、锡等金属回收新工艺12.固相反应制备二氧化锡纳米晶的方法13.含锑粗锡分离锑的方法14.含锡渣直接电解生产精锡的工艺15.褐煤炼锡17.纳米锑掺杂的二氧化锡水性浆料及其制备方法18.浅色锑掺杂纳米氧化锡粉体的制备方法19.纳米氧化锡粉体的制备方法20.难选锡中矿的高温氯化方法21.贫锡复杂物料高温氯化焙烧工艺22.浅色锑掺杂纳米氧化锡粉体的制备方法323.铜锡混杂屑末的分离方法24.退锡或锡铅废液中回收锡的方法25.无氧化锡球颗粒的制备方法及所使用的成型机26.锡矿氯化挥发法27.锡粒的制备方法28.镀锡钢板电镀用锡粒的制备方法29.锡石多金属硫化矿无抑制选矿工艺流程30.锡中矿水冶法制取海绵锡和锡盐31.锡中矿液相氧化法制取二氧化锡32.氧化铟锡粉末的制备方法33.一种从铁水中提锡的方法34.用粗焊锡生产高纯锡的工艺35.用绒毯溜槽从重选尾矿中回收钨、锡矿物的选矿方法36.用熔融态锡金属回收处理印刷电路板的方法及其装置37.粗锡精炼除铅.铋的方法及装置38.纳米晶氧化铒-氧化锡粉体材料及其制备方法和用途39.应用混合捕集剂作为非硫化物矿,特别是锡石的浮选助剂40.在碱性介质中用化学和电化学法从废料中提取锡41.锡中矿提取锡的新工艺研究42.从分解钨精矿的滤渣中提取锡和钨43.从黔锡矿中提取锡的新工艺及SnS4^4-的电化学性能44.采用二(2-乙基己基)磷酸从盐酸溶液中提取锡(IV)的液-液萃取45.用废退锡水里的锡制备三水合锡酸钡的方法46.粗焊锡硅氟酸电解提纯工艺研究47.熔锡的提纯处理与零部件搪锡，钎焊质量关系的探讨48.纳米氧化锡粉体的制备及其表征49.喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜50.改性纳米羟基锡酸锌的制备及表征51.聚苯胺／掺锑二氧化锡导电复合材料的制备与表征52.掺锑二氧化锡（ATO）导电粉体的制备与表征53.掺锡氧化锌变阻器的制备和性能研究54.均相沉淀法制备铟锡氧化物纳米材料的研究55.纳米偏锡酸锌粉末的制备及气敏性能研究56.化学镀锡在印刷线路板制备中的应用57.铟锡氧化物（ITO）纳米颗粒的制备及表征58.共沸蒸馏干燥法制备氧化铟锡纳米粉体及其性能表征59.气化法制备超细锡粉的研究60.锡基氧化物薄膜的制备与电化学性能61.超声波-化学沉淀法制备纳米二氧化锡62.sol-gel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征63.纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理64.聚吡咯／二氧化锡杂化材料的制备及气敏性研究65.配合-共沉淀法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）粉66.D-KH法制备金锡合金的组织与67.纳米二氧化锡电极的制备及其用于水体中大肠杆菌的快速计数研究68.微波水解法制备纳米氧化锡气敏材料69.无氧化锡球颗粒制备方法70.BGA封装锡球制备技术研究71.喷雾热解法制备掺锑氧化锡透明导电膜72.纳米氧化锡的制备及其研究进展73.铟-锡复合氧化物粉末的制备及甲烷催化燃烧性能研究74.共沉淀法制备高比表面积的铟锡氧化物超细粉末75.聚合物网络法制备纳米氧化锡粉体76.以硅胶为模板制备二氧化锡纳米粒子77.纳米氧化锡粉体液相制备现状78.沉淀法制备氧化铟锡超细材料的研究进展79.锡深加工及锡粉制备80.液相法制备纳米氧化锡防团聚方法综述81.p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征82. 气-固相反应制备超细氧化锡粉末研究83.锡冶炼炉渣铜锡浮选分离工艺研究84.硫化沉淀法分离ITO废靶浸出液中铟锡的研究85.钨冶炼离子交换工艺中钨锡分离研究现状86.某厂电解锡阳极泥锡、锑分离试验研究87.铁山垅钨矿白钨与锡石分离工艺改进及生产88.湿法炼锌渣中铟铋锡的分离回收89.钛白粉中微量锡的分离与测定90.从湿法冶金工艺溶液中萃取分离锡91.分离粗铅锡合金的真空蒸馏炉92.铜基再生合金中铜锡的电化学分离93.硅胶-TBP萃取层析连续分离与测定微量钼，锡94.硅胶-TBP萃取层析连续分离与测定微量钼，锡95.一种从黑钨矿-白钨矿-锡石混合精矿中回收钨和锡的综合处理工艺：Sreeniras T．，et al．，Mineral　Processiong　＆　Extractive　Metall．Rev96.一种回收锡二次资源的新工艺97.锡石-多金属硫化矿尾矿综合回收试验98.反射炉和澳斯麦特炉粗锡还原熔炼直接回收率的分析与比较99.从锂辉石矿中综合回收钽铌铁矿及锡石的试验研究100.锡阳极泥中回收锡铋铜铅的工业试验101.镀锡铜线表面锡的回收102.复杂多金属物料综合回收铜铅锌锡试验研究103.铝材锡盐型电解着色液的回收利用104.含锡、铋、铟物料的综合回收试验105.浅谈提高来冶锡冶炼回收率的措施106.锑在锡冶炼中的行为、分布及综合回收综述107.从镀锡泥渣中回收金属锡108.脆硫铅锑精矿火法冶炼综合回收锡的探讨109.从合金丝废料回收铅，锡和铟110.火湿法冶金并用从工业废料中回收高铅锡青铜111.用福尔肯选矿机回收锡石112.微细粒锡石回收工艺113.钨矿泥中钨锡矿物综合回收的研究114.提高金子窝矿锡回收率的探讨115.复杂多金属硫化矿中锡石的回收116.从分金炉渣中回收金，银，锡，铅的工艺研究117.沸腾氯化从锡渣及乌钽铌矿富集铌钽综合回收乌，锡有价金属的研究118.从马口铁废料中回收锡119.锡矿石重选特性与回收率关系研究120.回收微粒锡石 提高云锡选矿回收率121.从马口铁废料中回收锡的几个主要生产工艺122.回收低品位难选锡矿的工艺流程及特点123.利用废铜生产锡青铜粉124.提高锡共生金属原料利用率125.国外再生锡回收利用现状126.锡石浮选工艺回水利用探讨127.铜及不锈钢基材上锡／锡-铅合金电镀层的退除128.内燃机轴承铅-锡-铜镀层退除工艺129.滑动轴承铅—锡—铜镀层退除工艺的研究与应用130.滑动轴承铅-锡-铜镀层退除工艺的研究与应用131.含砷混合硫化铜精矿降砷与铜锡分离的研究如果你想对锡回收价以及其他关于锡的信息由更多的了解，你可以登陆上海有色网进行查询，特别是在有色网中的锡专区。

稀土元素本身具有丰富的电子结构，表现出许多光、电、磁的特性。稀土纳米化后，表现出许多特性，如小尺寸效应、高比表面效应、量子效应、极强的光、电、磁性质、超导性、高化学活性等，能大大提高材料的性能和功能，开发出许多新材料。在光学材料、发光材料、晶体材料、磁性材料、电池材料、电子陶瓷、工程陶瓷、催化剂等高科技领域，将发挥重要的作用。 目前开发研究和应用的领域 一、稀土发光材料：稀土纳米荧光粉(彩电粉、灯粉)，发光效率提高，将大大减少稀土用量。主要使用Y2O3、Eu2O3、Tb4O7、CeO2、Gd2O3。高清晰度彩色电视的候选新材料。 二、纳米超导材料：使用Y2O3制备的YBCO超导体，特别薄膜材料，性能稳定，强度高，易加工，接近实用阶段，前景广阔。 三、稀土纳米磁性材料：用于磁存储器、磁流体、巨磁阻等，性能大大提高，使器件变得高性能小型化。如氧化物巨磁电阻靶材(REMnO3等)。 四、稀土高性能陶瓷：使用超细或纳米级的Y2O3、La2O3、Nd2O3、Sm2O3等制备的电子陶瓷(电子传感器、PTC材料、微波材料、电容器、热敏电阻等)，电性能、热性能、稳定性得到许多改善，是电子材料升级的重要方面。如纳米Y2O3和ZrO2在较低温度烧结的陶瓷，具有很强的强度和韧性，用于轴承、刀具等耐磨器件；用纳米Nd2O3、Sm2O3等制作的多层电容、微波器件，性能大大提高。 五、稀土纳米催化剂：在许多化学反应中，使用稀土催化剂，若使用稀土纳米催化剂，催化活性、催化效率将大幅提高。现用的CeO2纳米粉在汽车尾气净化器上，具有活性高、价格低、寿命长的优点，并代替了大部分贵金属，每年用量数千吨。 六、稀土紫外线吸收剂：纳米CeO2粉对紫外线的吸收极强，用于防晒化妆品，防晒纤维，汽车玻璃等。 七、稀土精密抛光：CeO2对玻璃等有较好抛光作用。纳米CeO2则有较高的抛光精密度，已用于液晶显示、硅单晶片、玻璃存储等。总之，稀土纳米材料应用才刚刚开始，而且集中在高科技新材料领域，附加值高，应用面广，潜力巨大，商业前景十分看好