单晶硅棒加工工艺是怎样的?

单晶硅棒加工工艺是制备用于半导体器件制造的一种关键工艺,其加工工艺主要包括拉棒、切割、抛光和清洗等环节。 首先,单晶硅棒的制备是通过Czochralski法(CZ法)或者Float Zone法(FZ法)培养单晶硅棒,然后通过拉棒的方式将单晶硅块加热至熔点,然后通过拉力拉长并形成尺寸适当的单晶硅棒。 其次,在切割环节中,将拉制好的单晶硅棒经过切割机进行切割,使其成为合适尺寸的硅片。这些硅片是半导体器件的基本材料。切割的过程需要精确控制刀片的运动速度和位置,确保切割出的硅片尺寸和表面质量符合要求。 接下来,对切割好的硅片进行抛光处理。抛光是通过机械研磨和化学腐蚀的方法将硅片表面的不平整去除,使其表面平整光滑,并去除切割产生的划痕和杂质,以提高其表面质量和光洁度。 最后,清洗环节是通过一系列的化学清洗工艺将抛光后的硅片进行清洗,去除残留的研磨液和其它杂质,以及净化处理,以确保硅片表面干净,并且无金属或有机杂质。 总的来说,单晶硅棒加工工艺是通过一系列的高精度加工步骤,将单晶硅原料经过拉棒、切割、抛光和清洗等环节加工成为合格的硅片,确保其表面质量和尺寸精度符合半导体器件制造的要求。这些加工工艺对设备和操作要求都非常高,需要精密的设备和技术支持,以确保加工出来的硅片质量和稳定性。

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名称价格范围均价涨跌单位日期
P级高导电6寸单晶碳化硅衬底11000-12000115000元/片2025-04-16
P级高导电4寸单晶碳化硅衬底4000-460043000元/片2025-04-16
P级半绝缘8寸单晶碳化硅衬底93500-96500950000元/片2025-04-16
P级半绝缘6寸单晶碳化硅衬底27000-28000275000元/片2025-04-16
P级半绝缘4寸单晶碳化硅衬底10800-11800113000元/片2025-04-16
D级高导电6寸单晶碳化硅衬底4000-480044000元/片2025-04-16
D级高导电4寸单晶碳化硅衬底2500-270026000元/片2025-04-16
D级半绝缘8寸单晶碳化硅衬底43500-46500450000元/片2025-04-16
D级半绝缘6寸单晶碳化硅衬底7800-830080500元/片2025-04-16
D级半绝缘4寸单晶碳化硅衬底3900-410040000元/片2025-04-16

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