多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。    灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 　　多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。国际多晶硅主要技术特征（1）多种生产工艺路线并存， 产业 化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低 价格 工艺；冶金法从 金属 硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。多晶硅 产业 发展 预测　　高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏 产业 的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏 产业 主要原材料。 　　随着信息技术和太阳能 产业 的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛， 市场 供不应求。世界多晶硅的 产量 2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15600吨，供不应求。近年来，全球太阳能电池 产量 快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅 价格 快速上涨。 　　中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了 产业 化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，环境污染严重，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止，国内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料厂（所）、四川新光硅业科技有限责任公司3家企业。 　　中国集成电路和太阳能电池对多晶硅的需求快速增长，2005年集成电路 产业 需要电子级多晶硅约1000吨，太阳能电池需要多晶硅约1400吨；到2010年，中国电子级多晶硅年需求量将达到约2000吨，光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。而中国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口，95%以上多晶硅材料需要进口，供应长期受制于人，再加上 价格 的暴涨，已经危及到多晶硅下游众多企业的发展，成为制约中国信息 产业 和光伏 产业产业 发展的瓶颈问题。 　　由于多晶硅需求量继续加大，在 市场 缺口加大、 价格 不断上扬的刺激下，国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。多晶硅项目的投资热潮，可以说是太阳能电池 市场 迅猛发展的必然结果，但中国硅材料 产业 一定要慎重发展，不能一哄而上；关键是要掌握核心技术，否则将难以摆脱受制于人的局面。 　　作为高科技 产业 ，利用硅矿开发多晶硅， 产业 耗能大，电力需求高。目前电价已成为中国大多数硅矿企业亟待突破的瓶颈之一。因此中国大力发展多晶硅 产业 ，亟需在条件成熟的地方制定电价优惠政策，降低成本。 　　由于需求增加快速，但供给成长有限，预估多晶硅料源的供应2007年将是最严重缺乏的一年，预计到2009年，全世界多晶硅的年需求量将达到6.5万吨。在未来的3至5年间，也就是在中国的“十一五”期间，将是中国多晶硅 产业 快速发展的黄金时期。    

  中环股份 （002129）子公司天津市环欧半导体材料技术有限公司，与江苏顺大电子材料科技有限公司签订了《多晶硅材料供应－采购长期合同》，由江苏顺大向环欧公司提供多晶硅原材料。　　上述合同年限为10年，从2008年至2017年，其中2008年度、2009年度双方确定的供应－采购量分别为32吨、270吨，其余年度为360吨，合同总供应－采购量为3182吨。双方2008年至2013年的 交易 总量为1742吨，以此期间合计供应－采购金额作为合同金额，为13.2亿元。　　双方约定，环欧公司于2008年按照合同金额的一定比例向江苏顺大支付合同预付款，并按照履行期限内的实际供应－采购金额向江苏顺大支付货款；江苏顺大根据合同约定向环欧公司提供多晶硅原材料，在2009年至2014年期间逐年以双方约定比例归还合同预付款，并于2014年末留存少量预付款作为2015年至2017年合同履行的保证金。　　中环股份表示，目前由于传统能源 价格 日趋高涨，太阳能电池 产业 对单晶硅材料的需求快速释放，公司单晶硅业务维持较高利润水平，制约业务发展的主要因素为上游多晶硅原材料供应，本合同的签订将在一定程度上解决原料供应瓶颈。　　据悉，合同所采购多晶硅材料主要用于环欧公司半导体器件、太阳能电池用直拉单晶硅的生产制造，合同供应量将能充分满足环欧公司直拉单晶硅业务的现有产能及今后扩产的需要。 

多晶硅碎片用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法，其中利用包括粉碎工具和筛分装置的装置对来自西门子法的多晶硅进行粉碎和分级，并利用清洁浴清洁由此获得的多晶硅碎片，其特征在于，所述粉碎工具和所述筛分装置与多晶硅接触的表面主要由一种材料制成，该材料仅以杂质颗粒污染多晶硅碎片，随后通过清洁浴针对性地去除该杂质颗粒。    背腐蚀工艺是将扩散后的硅片漂浮在腐蚀 液上面，扩散面向上，背面扩散的少量ｎ层被腐蚀液去掉，达到分离ｐ－ｎ结的目 的。目前，Ｒｅｎａ公司已经开发出适用于背腐蚀的设备，在电池效率接近的情况 下，碎片率明显减小。正面无保护背腐蚀分离ｐ－ｎ结工艺是酸液腐蚀体系在太阳 能电池工艺中应用的新领域。自从多晶硅材料被用来代替单晶硅以降低晶体硅太阳能电池的成本以来，制 备高质量的绒面结构以提高其光吸收率的尝试就没有停止过。经过研究者的探 索，最终选择了用酸液各向同性腐蚀硅片制备绒面。 这里的酸液主要指ＨＦ／ＨＮ０３体系。酸液对硅片腐蚀最大的缺点是反应的自 催化性，产品质量的可重复性难以控制，这无疑会给大规模生产带来很大的困难。 在应用于工业化生产实际过程中，技术人员通过加冷却装置、循环装置等附属装 置来控制反应，这又增加了工艺成本。 对于工艺控制而言，富氧化体系（ＨＮ０３含量远多于ＨＦ含量的体系）中， 决定反应速率就仅仅在于ＨＦ的扩散和硅片表面氧化产物的溶解。相对氧化控制， 这一步更容易控制。 

   多晶硅坩埚,该炉用于多晶硅铸锭坩埚的烘烤、多晶硅铸锭坩埚氮化硅喷涂后的烧结。   最近几年由于全球能源紧缺，开发新能源是各国解决能源危机的唯一出路。各国正在把太阳能的开发利用作为能源革命的主要内容和长期规划。光伏 产业 已成为国际上快速发展的 行业 。太阳能光伏电池的迅猛发展，造成全球太阳能多晶硅片持续紧张。多晶硅 产业 已成为全球投资的一大热点。在我国，多晶硅已成为新的 产业 区。目前，生产多晶硅的企业和在建企业有400多家，预计产能达9万多吨。河南省投产和在建的多晶硅生产企业达几十家。随着金融危机的好转，相信光伏 产业 还会有一个较大的发展。    多晶硅 产业 的发展，多晶硅铸锭需要大量的石英坩埚。洛阳北苑特种陶瓷有限公司具有生产石英陶瓷制品10多年的经验。针对多晶硅用石英坩埚，要求化学纯度高（SiO2≥99.5%），外形尺寸大（最大边长1100mm），成型和烧成难度高，经过长达4年的研究和试制，克服重重困难，具有自主知识产权，已完全掌握多晶硅用石英坩埚的生产技术，产品质量达到国外同类产品的先进水平。2008年已建成年产500只的中试生产线。2009年开始建设年产15000只多晶硅铸锭用石英坩埚，现主要设备已安装完毕，预计2010年3月投产。    此生产线投产后可根据用户的不同要求，生产方形720*720、878*878、1100*1100，圆形Φ200－Φ1000不同尺寸的坩埚。相信此生产线投产后可基本满足河南省及周边部分省份对多晶硅铸锭坩埚的使用需求。    洛阳北苑特种陶瓷有限公司2010年3月份15000只坩埚投产后，根据 市场 情况，计划2011年使年 产量 达到5万只多晶硅铸锭用石英坩埚的生产能力。 

     乐电天威硅业科技有限公司是由乐山电力和天威保变共同出资组建的专业从事多晶硅、单晶硅以及太阳能电池组件产品生产、销售的高新技术企业。该年产3000吨多晶硅项目是乐山建设国家级硅材料 产业 基地，实施工业强市战略的“一号工程”。对于项目的实施与完成,天威多晶硅大批招聘相应人员.    乐电天威多晶硅项目顺利试产,天威保变（600550）和乐山电力（600644）双双发布公告称，控股子公司乐山乐电天威硅业科技有限责任公司3000吨/年多晶硅项目设备调试顺利，于2009年9月23日投料试生产出第一炉多晶硅产品，硅棒直径达到120毫米，单炉重量达2吨左右，产品质量合格。　乐电天威注册资本5亿元，其中天威保变出资2.45亿元，持有49%的股权，乐山电力持有51%的股权。该公司主要生产、销售多晶硅、单晶硅、单晶切片、多晶锭、多晶切片、太阳能电池、组件和系统；生产、销售多晶硅副产物综合利用产品；承担与多晶硅生产相关的工程服务和咨询服务。另外,天威多晶硅对于人才招聘和项目工程后期也有一定的规划。 

      目前国内多晶硅 现货价格 已突破50万元/吨，主流报价在48.5~50.5万元/吨，较7月底上涨超过20%。多晶硅网上报价亦有浮动。　　下游需求激增是推动多晶硅 现货 涨价的主要原因。全球光伏 行业 在今年突然复苏， 行业 调查机构IMSResearch统计数据显示，今年上半年全球光伏组件出货量在7GW上下，已经接近去年全年的7.4GW水平。　　据专家分析，此次多晶硅 价格 上涨的 行情 将一直持续到12月，而2011年上半年 价格 将会逐渐平稳并再次小幅回落。近日来各供应商多晶硅网上报价

      多晶硅人才招聘指多晶硅人才招聘是人才交流中心为用人单位招聘录用紧缺急需、专业对口的各类人才的活动。    当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其 市场 占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、 市场 垄断的状况。 　　多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏 产业 的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。   近年来，在中央政府大力推广新能源政策的支持下，各地方省份也是积极跟进，培养优势 产业 。也因为这样,多晶硅人才招聘更是特别注重。 

       中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了 产业 化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，环境污染严重，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止，国内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料厂（所）、四川新光硅业科技有限责任公司3家企业。       四川新光硅业科技有限责任公司承建的年产1260吨多晶硅项目，是由原国家计委在2001年以计高技［2001］522号文批准建设的高技术 产业 化示范项目，并作为四川省委省政府的“一号工程”，也是目前国家正式批准立项在建的年产千吨多晶硅生产项目。 　　多晶硅是制造芯片的必不可少的原材料，目前，世界上98%的芯片是以多晶硅为基础原料，预计中国在15年内将成为世界第三大芯片 市场 。集成电路生 产量 年均增长率将达到34-40%。目前我国的信息 产业 总体规模已居世界前列，每年电子级多晶硅的需求量为3000多吨，但国内年 产量 不到100吨，处于微不足道的地位。电子信息 产业 正在迅猛发展使全球多晶硅 市场 供不应求。 　　另外多晶硅还是太阳能电池必不可少的基础材料，最近能源危机的阴影再一次笼罩全球，寻找可持续能源和绿色环保能源已成为世界各国努力的方向。太阳能的大力开发利用是缓解危机的有效途径之一，这导致对多晶硅材料的需求猛烈增长。       新光硅业年产1260吨多晶硅 产业 化工程，概算总投资约 12.9亿元人民币，项目达产后年产值约为6亿元。项目采用了在目前国际上多晶硅生产厂家通用的现代化生产方法——改良西门子工艺技术。其中具有世界先进水平的关键技术:三氯氢硅精馏、大型节能还原炉、四氯化硅氢化、还原尾气干法回收等配套工艺技术。新光硅业多晶硅产品主要用是电子芯片用多晶硅和太阳能电池用多晶硅。项目涉及美国、德国、俄罗斯等国设备与技术和工艺。

     多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。    多晶硅是太阳能电池中的一种重要材料。    从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细 金属 栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。     多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、 市场 垄断的状况。 世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000吨。     中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了 产业 化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，环境污染严重，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止，国内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料厂（所）、四川新光硅业科技有限责任公司3家企业。　同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在 产业 化方面的差距主要表现在以下几个方面：1、产能低，供需矛盾突出。　　2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单 　　晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和 市场 仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国 产业 发展。2、生产规模小　　现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模在2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。3、工艺设备落后　　同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力。其他4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。 　　5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。 　6、地方政府和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐忧。 　　7、产生大量污染。   多晶硅是高污染项目，中国多数多晶硅企业环保不完全达标。生产多晶硅的副产品——四氯化硅是高毒物质。用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地，草和树都不会在这里生长。它具有潜在的极大危险，不仅有毒，还污染环境，回收成本巨大。

     《2009年中国太阳能多晶硅 行业 投资价值分析报告》首先介绍了太阳能多晶硅 行业 的发展运行概况，接着分析了太阳能多晶硅相关 行业 的发展情况，另外分别从四个方面详细分析了2008-2009年中国太阳能多晶硅 行业 的整体运行状况，供需发展态势，然后分析了中国太阳能多晶硅 行业 的 市场 发展趋势。同时，报告分析了太阳能多晶硅 行业 的进出口现状，并对未来几年的进出口形势进行了 预测 。接着报告分析了中国太阳能多晶硅 行业 重点区域的发展情况，报告同时对太阳能多晶硅 行业 竞争格局进行了详细分析，对中国太阳能多晶硅 行业 的重点企业的发展运营状况进行了详细分析。最后报告探讨了新经济形势下太阳能多晶硅 行业 投资策略,对太阳能多晶硅 行业 的未来发展趋势进行了 预测 。   高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏 产业 的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏 产业 主要原材料。　　随着信息技术和太阳能 产业 的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛，多晶硅 价格 也随之暴涨。自2006年以来，受 市场 虚高 价格 与短期暴利诱惑，我国掀起了一波多晶硅项目的建设高潮，规模与投资堪称世界之最。我国多晶硅 产量 2005年时仅有60吨，2006年也只有287吨，2007年为1156吨，但2008年狂飙到4000吨以上，2009年，中国多晶硅 产量 达1.5万吨。　　2008年在金融危机影响下，多晶硅 价格 暴跌，从最高时的四五百美元/公斤，跌至最低至每公斤五六十美元。2010年随着海外 市场 复苏，多晶硅进入新一轮投产热，乐电天威、鄂尔多斯子公司等多晶硅生产企业纷纷发布投产消息。多晶硅 价格 重拾回升态势。由于2010年整个光伏 行业 的复苏，其 产业 链上的所有产品如太阳能电池硅片、电池片、组件等都呈现出供不应求的态势。　　总体来看，目前国内多晶硅 行业 的两极分化趋势明显，这同时也是 行业 整合期如期到来的表现。　　中投顾问发布的《2010-2015年中国多晶硅 产业 投资分析及前景 预测 报告》共十章。首先介绍了多晶硅的定义、理化特性、发展意义等，然后分析了国际国内多晶硅 产业 的发展概况。随后，报告对多晶硅 产业 做了 价格 变动及供需分析、区域发展分析、生产工艺技术分析、关联 产业 发展分析和国内外重点企业经营状况分析，最后分析了多晶硅 产业 的投资潜力与未来前景。您若想对多晶硅 产业 有个系统的了解或者想投资多晶硅相关 行业 ，本报告是您不可或缺的重要工具。 

当前，国内正在掀起一轮多晶硅投资高潮，但投资方也许没有意识到，等项目投产后，面对的可能是一个供给过剩的 市场 环境。　　太阳能电池业的发展导致多晶硅短缺，随之而来的是大规模的多晶硅项目投建热潮。然而，在可预计的产能过剩之下，技术与成本俱无优势的国内多晶硅厂，未来将何以自处?　　目前，受新一轮能源危机影响，A股 市场 上的新能源板块成为人们关注的热门题材，尤其是多晶硅概念，因其是光伏发电上游的重要原材料，而吸引了大部分投资者的目光。多晶硅被人们称为新时期的暴利 行业 ，形象地说，生产多晶硅消耗1度电便可以换回20~30度电，而它的每公斤售价可以超出成本最高达到10倍之多，加之现在国内企业有能力进行生产的企业屈指可数，规模也都不是很大， 市场 份额远远没有达到饱和。　　多晶硅作为生产太阳能电池最重要的生产原料，自然会受到人们的追捧，无论是普通投资者，还是机构投资者，甚至是多晶硅从业者，都对未来的多晶硅 行情 表示关注，其未来制造成本和利润 走势 如何，将直接影响多晶硅投资者的判断。

目前关于多晶硅股票，行内人事的看法是，多晶硅 行业 未来的竞争格局，我们认为将呈现经典的“短缺—>扩产—>均衡—>过剩—> 行业 整合、部分企业退出—>短缺”的周期。目前需要确认的两个问题:何时出现 价格 拐点、景气低点时的多晶硅 价格 在什么水平。　　 价格 拐点最早将在2009年下半年出现，之前 价格 将维持高位;2010车到2012军价粉务维拜下降趋势；景气最低点时的多晶硅 价格 应该在 行业 平均的总成本附近，由于多晶硅企业成本参差不齐，当 价格 跌至这一水平时，低水平多晶硅厂出现亏损，一方面迫使这些企业退出，另一方面也遏制新进入者。　　优秀多晶硅企业仍将获得稳定利润。即使按照最低谷 价格 计算，技术领先企业的毛利率仍将维持30%以上，仍然是值得投资的盈利良好的企业;电力成本、副产物处理仍是判断国内多晶硅企业水平的主要标准。　　Ａ股上市企业涉及多晶硅股票的有：  

仅仅在几个月之前,多晶硅 产业 依然被各种利空言论包围,“多晶硅产能过剩”、“多晶硅企业将出现关门潮”、“中小（多晶硅）企业裸泳”等等论调让整个 产业 笼罩在愁云惨雾之中。　　然而,“忽如一夜东方来,千树万树梨花开”。越来越多的迹象表明,我国多晶硅太阳能 产业 在经历了2006—2007年的高峰和2008—2009年的低谷之后,正在迎来第二春。“现在国际订单多得每家企业都做不过来,很多企业都在扩充产能,也满足不了需求。”在接受记者采访时,因赞助世界杯而声名鹊起的英利绿色能源董事长苗连生透露。　　由于国际 市场 需求旺盛,导致多晶硅原料和太阳能电池组件缺货,多晶硅 价格 已经从低谷时低于50美元/公斤,上涨到目前的65美元/公斤甚至更高。　　多晶硅的国际 价格 在2008上半年高峰期一度达到400—500美元/公斤,但自2008年下半年开始迅速回落,一度跌到50美元/公斤,使得多家多晶硅生产企业要么关门,要么减产,多晶硅 产业 陷入低谷之中。　　然而,随着国际 市场 的转暖, 市场 需求也带动了多晶硅原料 价格 的触底反弹。据了解,由于今年光伏 产业 全 行业 满载生产,受光伏 产业 和半导体 产业 双重需求拉动,多晶硅供应紧张,目前多晶硅 价格 已经从50-52美元/公斤上涨到60-65美元/公斤。诸多 行业 一线厂商预计,多晶硅 价格 将会逐步上涨到70-80美元/公斤。中国多晶硅 产业 迎来第二春。

    低温多晶硅的全称是“Low Temperature Poly-Silicon（LTPS，多晶硅又简称为p-Si，下同）”，它是多晶硅技术的一个分支，是新一代薄膜晶体管液晶显示器制造流程。    与传统的高温多晶硅相比，低温多晶硅虽然也需要激光照射工序，但它采用的是准分子激光作为热源，激光经过透射系统后，会产生能量均匀分布的激光束并被投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构的玻璃基板吸收准分子激光的能量后，就会转变成为多晶硅结构。    LTPS与传统非晶硅a-Si TFT-LCD最大差异在于,LTPS薄膜晶体管经过雷射回火(Laser Anneal)制程步骤,将a-Si的薄膜转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜层,可大幅提升晶体管载子移动率达200倍以上。    仅管薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）已经吸引台湾业者大幅投入2，000亿元以上资金，更新一代的低温多晶硅（LTPS）技术却来势汹汹，国内包括统宝光电以及东芝与松下在海外合资全球最大的LTPS工厂，使得液晶 产业 技术的推陈出新引发全球观注目光。    低温多晶硅TFT-LCD与现有的非晶硅TFT-LCD技术相较，多了一道雷射热退火的制程，由于LTPS技术使电子移动的速度加快，并将十颗以上的驱动IC整合，因此在性能上，可以比非晶硅TFT-LCD更轻、更薄，同时可以提升分辨率，未来如果生产设备标准化、进入大量投产阶段，成本大幅降低，要取代现有的非晶硅TFT-LCD不是不可能。

“多晶硅标准”曲线发展 工信部酝酿产业化招标。部委对多晶硅门槛准入标准无法达成一致，使得标准迟迟无法推出。此背景下，工信部为推动多晶硅产业的发展正拟推出多晶硅产业化招标。    改委与工信部、科技部等部门的争议焦点在多晶硅电耗指标。发改委要求还原电耗60千瓦时/千克，但工信部、科技部认为应定在80千瓦时/千克，双方难以协调，因此标准难以出台。　　2010年3月29日，国内首个千吨示范项目拥有者四川新光硅业总工程师张惠国向本报记者表示，还原电耗标准合理水平在80千瓦时/千克，但国内最大的多晶硅制造商江苏中能总经理蒋文武称，“60千瓦时/千克也行，关键是把标准具体化，不同设备对应不同标准”。　　标准的推迟出台已对行业产生了不可低估的影响。2009年9月26日，发改委、工信部等10部委正式发布通知[国发(2009)38号](下称38号文件)，指出多晶硅行业存在过剩产能的情况。　　随之，国内主要银行被要求冻结对多晶硅项目的贷款，这导致国内在建多晶硅项目资金一度紧张，新建多晶硅项目亦无法获得银行信贷支持。一位参与标准制订的人士向本报记者透露，“在多晶硅行业准入标准未出台之前，新的多晶硅项目几乎停滞”。　　为了推动多晶硅的发展，工信部正在实施多晶硅产业化招标，以科研攻关的方式，上马年产3000吨以上的大型多晶硅项目。    在38号文件的影响下，国内近期新建多晶硅项目停止备案与审批，据记者调查，业内正在等待多晶硅准入标准的出台，以建设新的多晶硅项目。　　但由于多晶硅标准争议难以解决，作为力推多晶硅的工信部、科技部等拟推出产业化招标，以特招的形式给新的多晶硅项目放行。据参与产业化招标文件起草的人士透露，此次工信部产业化招标规定为每条线的生产能为3000吨/年以上，“基本上就是一个大型多晶硅项目，竞标成功的企业将分享工信部1亿元的科研资金”。　　科研资金并不是关键，事实上，一个年产3000吨的多晶硅项目总投资约27亿元，上述峨嵋人士称，“如果企业竞标成功，亦等于即获得一个多晶硅项目的许可，企业形象也大幅提升，同时另外还能获得相应的技术支持，特别是对获得银行融资有非常大的帮助，这可是国家项目”。    在38号文件中，多晶硅被指为属于高耗能和高污染产品，并存在产能过剩的问题。但上海市太阳能学会理事长崔容强向记者表示，多晶硅并不存在高能耗与高污染的问题，更不用担忧产能过剩。    “一旦制订多晶硅准入标准，许多具有特点的多晶硅项目可能被扼杀在摇篮中。”崔容强称，在这一轮多晶硅降价潮中，不少多晶硅企业关门出局，“那些技术不好、污染严重的企业肯定会被淘汰出局，多晶硅通过市场竞争来筛选就可以了”。　　国内多晶硅新进入者——鄂尔多斯 多晶硅有限公司总经理张开军向记者表示，“降低能耗是一个必然的趋势，只有不断降低成本才能生存下来，60千瓦时/千克也没问题”。　　国内从事多晶硅业务的河南尚宇新能源副董事长吴胜利亦认为，应该让市场来优胜劣汰，“就像我们生产的三氯氢硅（多晶硅生产的原料），原来的行业标准已经不适应现在市场对产品的要求，如果你的产品只达到行业标准，那肯定活不下去。另外，行业标准要执行很难，难保不会出现上有政策、下有对策的情况”。 本文为转载稿，仅代表作者本人的观点，与本网立场无关。上海有色网信息科技有限公司不对其中包含或引用的信息的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。对于任何因直接或间接采用、转载本文提供的信息造成的损失，上海有色网信息科技有限公司均不承担责任。媒体合作事宜， 敬请联系info@smm.cn 或 021-6183 1988 转 5009。

       针对近期多晶硅 价格 频频躁动的现状,天威集团副董事长,天威新能源董事长丁强表示,多晶硅 价格 的快速回升意味着新能源 市场 需求不断扩大,所谓的多晶硅过剩论有些言过其实。    最新数据显示,自7月22日以来,国内多晶硅 市场 报价连创新高。在短短2个月内,多晶硅 价格 从60美元/公斤底部区域,一度以每周10%的涨幅强势上行,截至9月22日,多晶硅 价格 已跃过95美元,累计涨幅高达50%。“毫无疑问,多晶硅 价格 快速回升的背后,是下游终端 市场 需求超预期的回暖的刺激。”丁强表示,此轮终端需求猛增主要来自以德国为代表的欧洲 市场 ,“对于 市场 目前争论较多的多晶硅 价格 运行趋势的问题,至少我个人认为 行情 的这种高景气有望延续,毕竟需求是在回暖”。    来自海关的统计数据显示,我国前7月的累计进口多晶硅达2.3万吨,已超过去年水平。其中,6月份进口量高达3784吨,同比增幅高达208.1%,7月的3682吨进口量也显示其目前仍维持高位。　　多晶硅进口量高位运行的背后,折射出的正是今年上半年多晶硅“一单难求”的繁荣景象。一时间,国内多晶硅2008年的产能过剩论也成为 市场 热议的话题。“在我看来,所谓的过剩论其实在统计方面存在着一些问题,至少数据是不完整的。”丁强指出,就在之前 市场 一致认为多晶硅产能过剩的情况下,国内的硅料却一直需要进口,“即便是在去年 行情 处在低谷的情况下,国内进口的比例依然达到1/3,而这一比例在今年已提高到了1/2,这样来看,产能过剩的说法并不准确,随着下游需求的不断提升,整个新能源 市场 仍有广阔的发展空间。” 

  中电电气多晶硅一期项目投产,近日，中电电气江西景德半导体新材料有限公司多晶硅一期年产1500吨电子级多晶硅项目正式投产。　　据了解，江西景德半导体新材料有限公司成立于2008年4月，是中电电气集团旗下一家专业生产电子级多晶硅材料的新能源企业。该公司投产的多晶硅一期项目投资12亿元，规划年产电子级多晶硅1500吨。　　中电电气集团董事长陆廷秀表示，江西景德半导体新材料有限公司正式投产，是中电电气集团投资光伏 产业 的又一个重大项目，借此中电电气顺利打通硅料、拉棒、电池、组件和终端系统等光伏 产业 链各关键环节，为中电电气跻身光伏 行业 第一方阵奠定坚实基础。

      多晶硅 市场 前景，我国太阳能资源非常丰富，大多数地区年平均日辐射量在每平方米4千瓦时以上，理论储量达每年1.7万亿吨标准煤，太阳能资源开发利用的潜力非常广阔。   从全国太阳年辐射总量的分布来看，青藏高原和西北地区、华北地区、东北大部以及云南、广东、海南等部分低纬度地带均为太阳能资源丰富或较丰富的地区。   我国太阳能发电 产业 的应用空间也非常广阔。第一，我国有荒漠面积100余万平方公里，主要分布在光照资源丰富的西北地区，如果利用荒漠安装并网太阳能发电系统则可以提供非常可观的电量；第二，太阳电池组件不仅可以作为能源设备，还可作为屋面和墙面材料，既供电节能，又节省了建材，具有良好的经济效益；第三，迄今我国边远地区仍有较多居民尚未用电，如果单纯依靠架设电网供电，则成本高，建设周期长，不经济。   太阳能发电无需架设输电线路，且建设周期短，可以有效解决边远地区用电的难题。太阳能是一种可再生的洁净能源，为推动我国光伏技术和 产量 的发展，2007年6月，国务院审议通过了《可再生能源中长期发展规划》，明确指出太阳能发电是可再生能源发展的重要组成部分，当前和今后一段时间要加快开发利用。按照国家规划，到2010年中国光伏发电的累计装机将达到350MW，到2020年将达到1.8GW（百万千瓦），到2050年将达到600GW（百万千瓦）。按照中国电力科学院的 预测 ，到2050年，中国可再生能源的电力装机将占全国电力装机的25％，其中光伏发电装机将占到5％。   2020年光伏发电总容量180万千瓦，其中偏远农牧区应用50万千瓦，建筑物和公共设施应用100万千瓦，大型并网光伏电站20万千瓦，其他商用应用10万千瓦，按照 行业 统计，太阳能电池总量中90%是晶体硅太阳能电池，据此测算，到2020年仅供纯发电所需的晶体硅太阳能电池将达162万千瓦,这还不包括 市场 潜力巨大的晶体硅太阳能电池消费产品需求。   电子信息 产业 是国家发展的支柱 产业 ，作为半导体 产业 最基础的功能材料多晶硅，是当前国家重点鼓励发展的 产业 、产品。即使在建的多晶硅项目投产，国内多晶硅 产量 仍不能满足 市场 需求。随着我国集成电路高速增长的势态，以及“光明工程”的实施，光伏发电技术及其 产量 的腾飞，对多晶硅的需求量将持续增长。国内多晶硅需求将以15~20%的速度增长，预计到2010年国内为3500吨。   更多多晶硅辐射讯息请查看上海 有色 网。    

“多晶硅标准”曲线发展 工信部酝酿 产业 化招标。部委对多晶硅门槛准入标准无法达成一致，使得标准迟迟无法推出。此背景下，工信部为推动多晶硅 产业 的发展正拟推出多晶硅 产业 化招标。    改委与工信部、科技部等部门的争议焦点在多晶硅电耗指标。发改委要求还原电耗60千瓦时/千克，但工信部、科技部认为应定在80千瓦时/千克，双方难以协调，因此标准难以出台。　　2010年3月29日，国内首个千吨示范项目拥有者四川新光硅业总工程师张惠国向本报记者表示，还原电耗标准合理水平在80千瓦时/千克，但国内最大的多晶硅制造商江苏中能总经理蒋文武称，“60千瓦时/千克也行，关键是把标准具体化，不同设备对应不同标准”。　　标准的推迟出台已对 行业 产生了不可低估的影响。2009年9月26日，发改委、工信部等10部委正式发布通知[国发(2009)38号](下称38号文件)，指出多晶硅 行业 存在过剩产能的情况。　　随之，国内主要银行被要求冻结对多晶硅项目的贷款，这导致国内在建多晶硅项目资金一度紧张，新建多晶硅项目亦无法获得银行信贷支持。一位参与标准制订的人士向本报记者透露，“在多晶硅 行业 准入标准未出台之前，新的多晶硅项目几乎停滞”。　　为了推动多晶硅的发展，工信部正在实施多晶硅 产业 化招标，以科研攻关的方式，上马年产3000吨以上的大型多晶硅项目。    在38号文件的影响下，国内近期新建多晶硅项目停止备案与审批，据记者调查，业内正在等待多晶硅准入标准的出台，以建设新的多晶硅项目。　　但由于多晶硅标准争议难以解决，作为力推多晶硅的工信部、科技部等拟推出 产业 化招标，以特招的形式给新的多晶硅项目放行。据参与 产业 化招标文件起草的人士透露，此次工信部 产业 化招标规定为每条线的生产能为3000吨/年以上，“基本上就是一个大型多晶硅项目，竞标成功的企业将分享工信部1亿元的科研资金”。　　科研资金并不是关键，事实上，一个年产3000吨的多晶硅项目总投资约27亿元，上述峨嵋人士称，“如果企业竞标成功，亦等于即获得一个多晶硅项目的许可，企业形象也大幅提升，同时另外还能获得相应的技术支持，特别是对获得银行融资有非常大的帮助，这可是国家项目”。    在38号文件中，多晶硅被指为属于高耗能和高污染产品，并存在产能过剩的问题。但上海市太阳能学会理事长崔容强向记者表示，多晶硅并不存在高能耗与高污染的问题，更不用担忧产能过剩。    “一旦制订多晶硅准入标准，许多具有特点的多晶硅项目可能被扼杀在摇篮中。”崔容强称，在这一轮多晶硅降价潮中，不少多晶硅企业关门出局，“那些技术不好、污染严重的企业肯定会被淘汰出局，多晶硅通过 市场 竞争来筛选就可以了”。　　国内多晶硅新进入者——鄂尔多斯 多晶硅有限公司总经理张开军向记者表示，“降低能耗是一个必然的趋势，只有不断降低成本才能生存下来，60千瓦时/千克也没问题”。　　国内从事多晶硅业务的河南尚宇新能源副董事长吴胜利亦认为，应该让 市场 来优胜劣汰，“就像我们生产的三氯氢硅（多晶硅生产的原料），原来的 行业 标准已经不适应现在 市场 对产品的要求，如果你的产品只达到 行业 标准，那肯定活不下去。另外， 行业 标准要执行很难，难保不会出现上有政策、下有对策的情况”。 

     氨纶、粘胶 价格 暴涨，基金等机构大举杀入化纤板块，近期新乡化纤等一系列相关化纤股果然大涨特涨，有个别反应“迟顿”的基金经理现在还邀请笔者去已暴涨的化纤公司处调研，准备调研后再加仓。在交流中，有基金经理认为央企整体上市办法很快出台，军工整体上市概念值得关注，由军工企业改制而来的上市公司科研力量雄厚，纪律性强，受政策扶持，集团若整体上市，注入的资产质量会非常之高，将成为机构的下一个目标。陕西省军工企业占全国总数的48％，其中彩虹股份（600707）是军工改制央企彩虹集团的“独生子”，彩虹集团现有总资产88亿元，综合经济实力在电子信息百强企业排名中名列前茅，在 行业 的排名为中国第一，彩虹集团于今年1月开工建设我国第一条液晶玻璃基板生产线，对TFT-LCD 产业 来讲，其重要性不亚于硅晶圆对半导体 产业 的重要性。彩虹集团还准备介入LED、多晶硅，以及稀土永磁等项目，彩虹集团的转型对彩虹股份来说，是充满机遇，公司也会跟随集团转型，集团未来若注入主要资产甚至是整体上市的话，那公司将再度腾飞。　　在当今的液晶平板时代，全球TFT用玻璃基板 市场 掌握在四大厂商的手中，其中美国康宁的 市场 占有率超过60％，获得了每年超过5亿美元的利润，其他份额被三家日本厂商旭硝子、电气硝子、NHTechnoglass瓜分，我国的液晶生产企业却沦为外资的“打工仔”，微利甚至亏损，现彩虹集团利用长期从事精密型电子玻璃生产的经验，走自主创新与技术整合相结合之路，力争在2008年以前建成国内第一条TFT-LCD用的玻璃基板生产线。在新型显示器件方面，PDP等离子显示屏是彩虹集团的最大专长，彩虹集团在北京建有一条全国规模最大的中试线，并积极与四川长虹联手打造PDP生产基地，力争在2008年前建成年产70万枚PDP屏的生产线。在其他平板显示器件方面，彩虹集团重点研究对比PLED/OLED/FED/SED（表面传导电子发射显示器）等新型显示器件，力争新型平板显示器件领域多点突破。特种荧光粉项目是彩虹集团创新 产业 策略初见成效的一个项目，集团具有20多年的三基色荧光粉研制、生产、营销经验，这些优势为开发CCFL（冷阴极灯）、LED（发光二极管）、PDP用荧光粉提供了必要条件。光电子 产业 是21世纪的朝阳 产业 ，有人预言，其发展速度将超过微电子 产业 。在环保和节能大潮的引领下，光伏电池 产业 在全球受到追捧，国内的许多地方和企业也对太阳能电池 产业 投入极大热情，但太阳能电池生产所需的多晶硅材料却成为主要瓶颈之一，彩虹集团将充分利用自身资源，发挥优势，谋求多晶硅领域取得新的发展，彩虹集团还将适时选择、建设太阳能电池用超白玻璃生产线。　　军工整体上市概念成为氨纶、粘胶板块暴涨后，机构主力的下一个目标，彩虹股份是彩虹集团的核心企业，公司向平板液晶转型乃大势所趋，在国资委主任李荣融发出央企母公司要整体改制上市或主营业务整体上市的总动员令后，彩虹股份将成为央企彩虹集团整体上市的主要平台。彩虹股份现还持有西部信托3000万股，占6.54％股权，西部信托又持有创新类券商西部证券2亿股，占西部证券20％股份，西部信托已成为我国信托业中为数不多的资产质量较好、管理健全、颇具规模的信托公司，所以彩虹股份持有的西部信托股权价值不菲，增值巨大。彩虹股份作为“军工整体上市”概念的代表之一，股价较低，配合去年业绩大幅增长，未来爆发潜力很大，近期有突破迹象，值得重点关注。

     中国多晶硅产品出口依存度过高，90%以上产品用于出口，面临贸易保护主义和欧洲补贴下调风险;多晶硅生产能耗和综合利用率有待提高;高端设备存在较大差距，仍然依赖进口。   目前，中国大陆已经形成了包括高纯硅生产、太阳能电池及组件制造、光伏系统安装及相关配套 产业 在内的较完整的太阳能光伏 产业 链。现有多晶硅投产企业25家，产能4.4万吨，2009年 产量 2万吨，出口达到90%以上，国内 市场 未打开;2009年太阳能电池 产量 超过4GW，同比增长74%，占世界 市场 份额40%，全年出口额达到71亿美元。　 太阳能光伏 产业 链包括上游多晶硅(电子级、太阳能级)、硅片制作;中游光伏电池、太阳能电池;下游光伏系统应用产品(发电系统等，农牧民用电，和LED的复合应用)等。      面对多晶硅贸易,吸收别人长处,弥补自己短处.我们还是需要加强生产综合能力,提高设备等方面的技术,这样我国多晶硅产品出口才会有进一步发展 

      据光伏 行业门户网站日前发布消息指，国内多数多晶硅厂商在Solarbe光伏 行情信息中心更新了其太阳能级原生多晶硅报价，每吨49万元~55万元。而在7月底，这一 价格 尚保持在近两年均值区间的41.5万元，即一个多月内的涨幅已达25%。  “多晶硅上涨最主要原因是需求的超预期。”国金证券 (600109 ,股吧 ) 行业 分析师张帅表示，今年多晶硅下游太阳能电池需求尤其是德国地区保持超预期增长，同时国内政策限制导致 行业 最近两年没有新项目，都是供不应求的原因。预计今年全年全球太阳能电池安装量为13.9GW，需要多晶硅11.7万吨，略有缺口，故结构性短缺将持续一段时间。　　受此影响，近期部分多晶硅概念股整体走强，其中乐山电力 (600644 ,股吧 )、南玻A及航天机电 (600151 ,股吧 )已创出新高，乐山电力昨日更逆势上涨3.31%，报于13.10元。    目前，两市沾上“新能源概念”光环的个股 近百只，但当中属多晶硅生产的上游企业却要少得多。　　据国金证券统计，按“含量排序法”筛选（以明年的权益多晶硅 产量 除以总市值排序），目前“纯正”多晶硅概念股仅6家，其中乐山电力以32的 产量 市值比稳居榜首；其次是天威保变， 产量 市值比为10；航天机电、南玻A、川投能源 (600674 ,股吧 )及特变电工 (600089 ,股吧 )皆在3以上。加上控股年产1500吨多晶硅宁夏阳光硅业的江苏阳光 (600220 ,股吧 )，组成多晶硅“七剑客”。    根据已披露的信息，目前涉身多晶硅 行业 的公司中，在国内上市的就有南玻Ａ、川投能源、天威保变、特变电工、江苏阳光、乐山电力、岷江水电、通威股份等。其中，天威保变、乐山电力、川投能源、岷江水电分别持有新光硅业这一多晶硅生产公司的股份。 

      多晶硅电阻电阻率很小，与掺杂的程度相关。一般通过各种沉积方法在硅衬底上沉积而成的。生产的方法有很多种，常见的是化学气相沉积。  NEC(NEC电子设备)推出了模拟母片LSI的新产品 Analog Master II，μPC5700系列 的4种产品。通过采用绝对精度为±10%的多晶硅电阻的双极工艺技术，使该产品的精度提高到原产品的2倍以上，以此来实现运算放大器及稳压器。而且通过将电阻的面积缩小为原来的1/10左右，配备了约2倍的电阻。另外，通过采用更为微细化的制造工艺，还配备了数量约1.2倍的晶体管。Analog Master II 共有4个品种，它们分别是电路组件为936个的 μPC5701 、1840个的 μPC5702 、2840个的 μPC5703 、3628个的 μPC5704 。 价格 随品种及封装等用户的要求不同而各异。μPC5701采用16针SSOP型封装，每月购买3万个时，开发费用为550万日元，芯片单价为100日元。μPC5704采用48针的QFP型封装，每月购买3万个时，开发费为720万日元，芯片单价为330日元  多晶硅电阻及其制作方法,一种电阻，具有多晶硅的电阻本体（１１）和设置在电阻本体（１１）上和／或电阻本体（１１）内的电端子（２３，１５），所以电阻部分（１３）形成在端子之间，并产生有用的电阻值。电阻本体的材料用受主类型和施主类型的掺杂剂掺杂。为了相当大程度地阻断晶界处的电荷载流子陷阱，并由此使电阻具有良好的稳定性，当在制造期间暴露到不同的物质时，用高浓度的施主掺杂，如果材料中仅存有施主原子基本不存在受主原子时，可认为材料近乎被重掺杂。特别是提供到电阻本体中的施主原子的浓度至少为３··１０↑［１９］ｃｍ↑［－３］，材料具有１０００＊的平均晶粒尺寸，使用磷作为施主类型的掺杂剂。

     由中国电子材料 行业 协会主办的“2009多晶硅 产业 政策与 市场 高峰论坛”在北京隆重召开。国家发展和改革委员会高技术司江川处长、工业与信息化部电子信息司刁石京副司长、商务部 产业 司高新处钟路扬副处长以及中国科学院王占国院士应邀出席了此次论坛，来自多晶硅生产企业、国内太阳能电池、单晶、多晶硅片等相关生产企业、设备、配套材料企业的高层领导、经营管理人员等百余人参加了此次会议。会议由袁桐秘书长主持。    江处长表示，多晶硅 行业 发展现在正处于发展的关键时期，而此时国务院及时颁发了“国务院批转发展改革委等部门关于抑制部分 行业 产能过剩和重复建设引导 产业 健康发展若干意见的通知”[国发（2009）38号文，以下简称《若干意见》]，正是为了更好地引导 行业 健康地发展。各级地方、部门和企业都应该深入领会和贯彻《若干意见》，将发展我国多晶硅 产业 的指导思想与行动统一到党中央、国务院的决策部署上来。国家发展改革委员会也将继续采取一系列措施对 产业 进行引导，使 产业 回归到理性、健康的轨道上来。　　刁副司长则在讲话中说，由于全球能源短缺，光伏 产业 已成为推动世界经济发展的重要领域。但是，国内没有一个 行业 的发展速度如此迅猛。近期工信部调研统计数据证实了 行业 发展的确堪忧。他说，中国整个光伏企业已经超过300家，多晶硅企业近70家，部分企业涉足 产业 链的多个环节。全国28个省市都有光伏企业，尤其以江苏、河北、江西、四川最为集中。2009年全国多晶硅企业投产20多家，实现产能3万多吨，但是全部规划总和20万吨，数据惊人。而上游多晶硅产品产能的急剧放大面对的却是国外逐渐疲软的应用 市场 ，补贴政策也并不乐观，因此，政府的正确引导非常重要，已经刻不容缓、迫在眉睫。在这个 行业 的发展过程中，必须要采取严格的 市场 准入制度、强化 市场 监管、严格供地用地审批等一系列措施来保障其健康发展。工信部正在抓紧研究和制定相关实施细则。　　国家发改委能源研究所李俊峰副所长、中科院电工所王文静主任、中国电子材料 行业 协会袁桐秘书长、晶龙实业集团任丙彦副总经理、英利绿色能源控股有限公司首席战略官马学禄、新光硅业公司陈绍章董事长、洛阳中硅高科技公司严大洲副总经理、江苏中能硅业科技发展有限公司吕锦标副总经理、极特太阳能设备贸易（上海）有限公司Chad Fero先生、南安三晶阳光公司郑智雄董事长、天津希力斯新能源技术研发有限公司徐岳生教授，广州吉必盛实业公司王跃林董事长、国电科环集团太阳能 产业 筹备组汪光裕研究员也在会上做出了精彩的演讲，他们对最新的国内外 市场 环境、我国光伏 行业 发展的现状和存在的问题、 市场 结构的变化及发展趋势等内容进行了深入探讨，详细分析了多晶硅的成本结构、变化空间，同时也交流了多晶硅生产在高效、节能、安全、环保、提高质量和综合利用等方面的经验、体会。这些报告为到会代表提供了难得的交流和学习，将促进彼此更加紧密的合作。   从“2009多晶硅 产业 政策与 市场 ”会议报告中，我们太阳能级多晶硅 产业 处于发展初期，而且被公认前景乐观。必将吸引很多投资者的目光，我国多晶硅的生产企业的数量将在一段时间内保持加速膨胀的状态，近年来的发展态势也证明了这一点。 

        多晶硅发展的利与弊   在多晶硅发展的技术进步、应用规模扩大和原材料 价格 下降等多重因素作用下，光伏发电的成本呈逐年快速下降趋势。目前占光伏组件总成本近40%的多晶硅 价格 ，已由2006年的250美元/千克下降到2008年的140美元/千克，光伏发电的成本下降到2.3～1.7元/千瓦时，且还有很大的下降空间。这种下降速度远远超出了当年众多学术机构和投资者的预期。目前国际上一些权威机构对未来光伏发电成本的 预测 都持很乐观的态度。其中最为乐观的 预测 认为，到2015年光伏发电的成本会降到1.0～0.7元/千瓦时，也就是说再用5年左右的时间就可实现光伏发电成本达到传统电力的水平。中国的尚德、天合等光伏企业更是提出只用3年左右时间实现光伏发电成本下降到1.0元/千瓦时。多晶硅已出现“暴生暴滥”苗头    中国已是全球最大的光伏电池生产国，光伏电池 产量 占全球总 产量 的三分之一。在全球排名前30位的光伏电池生产企业中，中国已占了10家。但在发展中也暴露出严重问题，主要也反映在多晶硅 产业 上。    我国光伏 产业 早期发展的突出特征是“两头在外”：关键材料多晶硅来自国外、产品销往国外。前者是因为国内缺乏技术能力，后者是因为国内难以承受光伏发电的高成本。发展模式是先从封装组件等技术含量较低的 产业 低端做起，然后快速向多晶硅生产等 产业 高端环节升级。近年来，当国内多晶硅瓶颈制约越来越突出的时候，一些已有一定 产业 经验和资金积累的国内企业，从2006年起开始进入多晶硅生产领域。目前国内已有近50家企业投资多晶硅生产。2008年我国多晶硅 产量 达到4500吨，产能达到2万吨，在建产能估计已超过4万吨。中国多晶硅只能依靠进口的局面很快就会改变。    现在各方面普遍担心光伏 产业 是否会重蹈其他新兴 产业 覆辙，发展快也乱得快。我国很多新兴 产业 发展常常经历的一个怪圈是，当该 产业 出现重大发展机会的时候，各种资本会大举进入该 产业 ；在没有自主技术支撑的情况下，企业就通过引进国外技术和生产线在国内迅速形成巨大的生产能力，往往在一半甚至更短的时间内达到国外经过多年才能实现的产能。这种“一哄而上”的结果很容易迅速导致国内甚至全球的产能过剩。而面对产能过剩的巨大压力，很多企业又偏好于采取以规模化获取低成本和超低 价格 的竞争战略全力打压竞争对手，整个 行业 很快陷入恶性竞争。低水平竞争导致企业利润率降低，结果是严重削弱了企业和 行业 的研发投资，使整个 行业 长期停留在低水平，新 产业 很快被做“滥”了。需要警惕的是，我国光伏 产业 的发展已经出现了这样的苗头，如不及时进行政策引导和调整，其也难逃“暴生暴滥”的命运。    我国光伏 产业 在发展中暴露出的问题，正是反映在多晶硅 产业 盲目扩充产能、低价恶性竞争、污染控制不严格、大部分企业技术能力不足上。    投资过于盲目。自2006年以来，国内光伏领域的投资呈爆炸式增长。尤其是在全球金融危机发生后，该领域的投资逆市而上。目前国内多晶硅的产能已由2006年的3300吨猛增至2008年的2万吨，增长了5倍多，有的一家企业就可形成4000吨的产能。然而2008年全球的多晶硅需求只有4.52万吨。原因之一是投资界和 产业 界对国内光伏应用 市场 抱有极为乐观的态度，带有赌国内光伏应用必定会有爆炸式增长的意图。原因之二是光伏 产业 的高利润率。就多晶硅环节，2008年的利润高达45%，在金融危机发生后还保持在30%以上。第三个原因是基于地方发展经济追求GDP的强烈驱动。    恶性竞争严重。一哄而上和各自为政的结果就是产能迅速过剩和恶性竞争。在高端多晶硅环节利润率仍有30%的情况下，光伏组件企业的利润不足10%，而且还在持续走低，惨烈的 价格 战不断升级。前几年，由于国内企业各自为政，在进口多晶硅时相互抬价，使国际多晶硅的 价格 由2005年50美元/千克陡升至2008年的410美元/千克。在国内多晶硅电池成本2.04美元/瓦时，国外仅1.08美元/瓦，几乎高一倍，让国外多晶硅企业坐收利润。这两年国内众多企业又都争着上多晶硅项目，产能已呈现出过剩，企业间相互残杀的局面很可能会在多晶硅领域重演。    增长过快和监管不到位造成环境污染和产品质量问题。如前所述，光伏 产业 本身所造成的污染不是不能控制。西方国家以及国内少数先进企业目前都已能解决多晶硅提炼环节产生的四氯化硅等污染物的回收和再利用问题。但是一些地方政府和环保部门为了上项目保发展而有意放松环境监管，有关部门又没有及时出台或更新有关光伏 产业 的环保和产品标准，而企业为压低成本有意减少必须的污染控制投入。其结果是在国外没有产生污染的光伏 产业 ，在国内却成为一些地方的重要污染源。    自主创新能力不足。截止到目前，国内很多曾一度被追捧为高新技术企业的光伏企业，实质上并没有太多技术含量。由于依靠快速生产和低成本战略能很快取得回报，多数企业根本顾不上搞研发，也没有经过必要的技术积累过程。从整体上看，在多晶硅提纯技术、电池转换率、切片技术、系统集成等关键技术和工艺上，以及基础科学和未来新技术研发上我们与国外仍有较大差距。    光伏 产业 技术经济性的持续重大改进，决定了光伏 产业 发展已进入到了可大规模发展的阶段。这个判断是国家如何定位光伏 产业 以及国家应采取什么样的发展战略和政策的基本前提。    我们认为，国家对光伏 产业 发展的支持政策必须着眼于引导技术创新和 产业 升级，而不是在现有的技术水平和 产业 格局下通过大规模补贴来启动国内光伏 市场 。因此，国家应该首先严格执行环保和产品准入政策，坚决淘汰落后产能，支持优势企业技术创新。特别是在多晶硅生产中，政府要支持相关单位和企业从事从基础理论到生产工艺的研究和开发。支持重点包括

    多晶硅英文polycrystalline silicon,多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。   多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。   高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏 产业 的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏 产业 主要原材料。   随着信息技术和太阳能 产业 的飞速发展，全球对多晶硅polycrystalline silicon的需求增长迅猛， 市场 供不应求。世界多晶硅的 产量 2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15600吨，供不应求。 

       中环股份今日公告其子公司天津市环欧半导体材料技术有限公司与江苏顺大电子材料科技有限公司签订了《多晶硅材料供应—采购长期合同》，环欧公司拟以13.2亿元向江苏顺大购买多晶硅原材料。       公告称，双方对合同期限内商品 价格 及供应—采购量进行约定，合同年限为10年，2008年度、2009年度供应—采购量分别为32吨、270吨，其余年度为360吨，合同总供应—采购量为3182吨。双方2008年至2013年的 交易 总量为1742吨，以此期间合计供应—采购金额作为合同金额，为13.2亿元。合同期限为2008年5月至2017年12月。        公司称，对于多晶硅购买,由于传统能源 价格 日趋高涨，太阳能电池 产业 的对单晶硅材料需求快速释放，公司单晶硅业务维持较高的利润水平，制约业务发展的主要因素为上游多晶硅原材料供应，该合同的签订将在一定程度上解决原料供应瓶颈。 

    四氯化硅是多晶硅生产中产生量最大的副产物，未经处理回收的四氯化硅是一种具有强腐蚀性的有毒有害液体，对安全和环境危害很大。按目前国内最好控制水平，生产1000吨多晶硅将产生四氯化硅8000吨。    从工业硅提纯高纯度多晶硅是一种高耗电、高污染的化工项目，涉及电力、煤炭、硅砂、氯气、氢气等多种主要原料，生产过程中会有大量废水、废液排出，如生产1000吨多晶硅会有三氯氢硅3500吨、四氯化硅4500吨废液产生，同时消耗大量电能，甚至需要建立专用电网、专用排污系统等，而未经处理回收的三氯氢硅、四氯化硅是一种有毒的液体，环境污染极为严重。　 也正因此，国际上所谓掌握多晶硅提纯项目，实际上也包括建立对有毒液体、气体的回收系统以及保护环境的能力。但国内一些企业甚至在还没有能力建立齐全回收系统的情况下，盲目上马多晶硅项目，这不仅能源消耗大，还会带来严重的环境污染。 

多晶硅炉主要是指多晶硅铸锭炉。铸锭炉是专为太阳能工业设计的专用设备，使多晶硅铸锭的必需设备。该型设备能自动或手动完成铸锭过程，高效节能，运用先进的计算机控制技术，实现稳定定向凝固，生产的多晶硅硅锭质量高，规格大。 　　该型设备的优点有：生产效率高，产品质量高；加热速度快，效率高；安全可靠，多重设备防护，保障人身安全；全中文操作，全程自动报警，省时省力。多晶硅炉是一种硅重熔的设备，重熔质量的好坏将直接影响硅片转换效率和硅片加工的成品率。由于技术原因，2008年之前，国内的多晶硅铸锭炉 市场 一直被国外 市场 垄断。多晶硅炉产品一直以来都是太阳能多晶硅 产业 链上的瓶颈，一旦下游光伏 市场 启动，设备生产企业将呈爆发式增长。多晶硅 价格 理性回归，有利于 行业 集中度的提高和下游应用领域企业的投资热情。多晶硅的性质：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。想要了解更多多晶硅炉的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

多晶硅生产过程存在的危害多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有： 　　１）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。 　　２）氧气：易燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性物质。与易燃物(如乙炔、甲烷等)形成有爆炸性的混合物。 　　３）氯：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。几乎对 金属 和非 金属 都起腐蚀作用。属高毒类。是一种强烈的刺激性气体。 　　４）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。能与一些活性 金属 粉末发生反应，放出氢气。遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。 　　５）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯化物气体。与氧化剂发生反应，有燃烧危险。极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化硅。 　　６）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。 　　７）氢氟酸：腐蚀性极强。遇H发泡剂立即燃烧。能与普通 金属 发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。 　　８）硝酸：具有强氧化性。与易燃物(如苯)和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。与碱 金属 能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。 　　９）氮气：若遇高热，容器内压增大。有开裂和爆炸的危险。 　　１０）氟化氢：腐蚀性极强。若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。 　　１１）氢氧化钠：本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。