整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

  整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

人造单晶金刚石作为刀具材料，市场上能买到的目前有戴比尔斯(DE-BEERS)生产的工业级单晶金刚石材料。这种材料硬度略逊于天然金刚石。其它性能都与天然金刚石不相上下。由于经过人工制造，其解理方向和尺寸变得可控和统一。随着高温高压技术的发展，人造单晶金刚石最大尺寸已经可以做到8mm。由于这种材料有相对较好的一致性和较低的价格，所以受到广泛的注意。作为替代天然金刚石的新材料，人造单晶金刚石的应用将会有大的发展。

天然单晶金刚石是一种各向异性的单晶体。硬度达HV9000-10000，是自然界中最硬的物质。这种材料耐磨性极好，制成刀具在切削中可长时间保持尺寸的稳定，故而有很长的刀具寿命。     天然金刚石刀具刃口可以加工到极其锋利。可用于制作眼科和神经外科手术刀；可用于加工隐形眼镜的曲面；可用于切割光导玻璃纤维；用于加工黄金、白金首饰的花纹；最重要的用途在于高速超精加工有色金属及其合金。如铝、黄金、巴氏合金、铍铜、紫铜等。用天然金刚石制作的超精加工刀具其刀尖圆弧部分在400倍显微镜下观察无缺陷，用于加工铝合金多面体反射镜、无氧铜激光反射镜、陀螺仪、录像机磁鼓等。表现粗糙度可达到Ra(0.01-0.025)μm。     天然金刚石材料韧性很差，抗弯强度很低，仅为(0.2-0.5)Gpa。热稳定性差，温度达到700℃-800℃时就会失去硬度。温度再高就会碳化。另外，它与铁的亲和力很强，一般不适于加工钢铁。

     国际多晶硅 产业 概况 当前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料,其 市场 占有率在 90%以上,而且在 今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料.多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美,日, 德等 3 个国家 7 个公司的 10 家工厂手中,形成技术封锁, 市场 垄断的状况. 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池.按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级.其中,用 于电子级多晶硅占 55%左右,太阳能级多晶硅占 45%,随着光伏 产业 的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅 需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展。     1994 年全世界太阳能电池的总 产量 只有 69MW, 2004 年就接近 1200MW, 而 在短短的 10 年里就 增长了 17 倍.专家 预测 太阳能光伏 产业 在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一. 据悉,美国能源部计划到 2010 年累计安装容量 4600MW,日本计划 2010 年达到 5000MW,欧盟 计划达到 6900MW,预计 2010 年世界累计安装量至少 18000MW.从上述的推测分析,至 2010 年太 阳能电池用多晶硅至少在 30000 吨以上。     据国外资料分析报 道,世界多晶硅的 产量2005 年为 28750 吨,其中半导体级为 20250 吨,太阳能级为 8500 吨,半导体 级需求量约为 19000 吨,略有过剩;太阳能级的需求量为 15000 吨,供不应求,从 2006 年开始太阳能 级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大. 据日本稀有 金属 杂质 2005 年 11 月 24 日报道, 世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张, 主要是由于以 欧洲为中心的太阳能 市场 迅速扩大,预计 2006 年,2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多 晶硅 价格 方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005 年世界太阳能电池 产量 约 1GW,如果以 1MW 用多晶硅 12 吨计算,共需多晶硅是 1.2 万吨,2005-2010 年世界太阳能电池平均 年增长率在 25%,到 2010 年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过 6.3 万吨. 世界多晶硅主要生产企业有日本的 Tokuyama,三菱,住友公司,美国的 Hemlock,Asimi,SGS, MEMC 公司,德国的 Wacker 公司等,其年产能绝大部分在 1000 吨以上,其中 Tokuyama,Hemlock, Wacker 三个公司生产规模最大,年生产能力均在 3000-5000 吨.     国际多晶硅主要技术特征有以下两点: (1)多种生产工艺路线并存, 产业 化技术封锁,垄断局面不会改变.由于各多晶硅生产工厂所用主辅 原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标,产品质量指标,用途,产 品检测方法,过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产 主要的传统工艺有:改良西门子法,硅烷法和流化床法.其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世 界总产能的 80%,短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变. (2)新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃.除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升 级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的低 价格 工艺;冶 金法从 金属 硅中提取高纯度硅; 高纯度 SiO2 直接制取; 熔融析出法 (VLD: Vaper to liquid deposition) ; 还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si 溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等.     国内多晶硅 产业 概况 我国集成电路的增长,硅片生产和太阳能电池 产业 的发展,大大带动多晶硅材料的增长. 太阳能电池用多晶硅按每生产 1MW 多晶硅太阳能电池需要 11-12 吨多晶硅计算,我国 2004 年多 晶,单晶太阳能电池 产量 为 48.45MW,多晶硅用量为 678 吨左右,而实际产能已达 70MW 左右,多晶 硅缺口达 250 吨以上. 2005 年底国内太阳能电池产能达到 300MW, 到 实际能形成的 产量 约为 110MW, 需要多晶硅 1400 吨左右,预测 到 2010 年太阳能电池 产量 达 300MW, 需要多晶硅保守估计约 4200 吨, 因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加,见表 3. 2005 年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在 20%-30%,半导体用单晶硅企业开工率在 80%- 90%,都不能满负荷生产,主要原因是多晶硅供给量不足所造成的.预计多晶硅生产企业扩产后的 产量 , 仍然满足不了快速增长的需要. 2005 年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为 10448 吨,而 2005 年太阳能用硅材料需求量约为 回收单晶硅公司 15953101283 提供 22881 吨,如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的 65%计,则太阳能电池用多晶硅需求量约为 14873 吨, 这样全球太阳能电池用多晶硅的 市场 缺口达 4424 吨. 2005 年半导体用多晶硅短缺 6000 吨, 加上太阳能用多晶硅缺口 4424 吨,合计 10424 吨,供给严重不足,导致全球多晶硅 价格 上涨.目前多 晶硅 市场 的持续升温,导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划,根据来自国际光伏组织的统计,至 2008 年 全球多晶硅的产能将达 49550 吨,至 2010 年将达 58800 吨.预计到 2010 年全球多晶硅需求量将达 85000 吨,缺口 26200 吨.    从长远来看,考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能 产业 的大力支持, 需求将持续增长.根据欧洲光伏工业联合会的 2010 年各国光伏 产业 发展计划预计,届时全球光伏 产量 将 达到 15GW(1GW=1000MW) ,设想其中 60%使用多晶硅(包括多晶硅和单晶硅)为原材料,如果技术进步每 MW 消耗 10 吨 多晶硅,保守估计全球至少需要太阳能多晶硅 5 万吨以上. 与国际水平相比,国内多晶硅生产物 耗能耗高出 1 倍以上,产品成本缺乏竞争力.  

单晶硅多晶硅都是硅的一种形态。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。想要了解更多单晶硅多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

单晶硅 多晶硅.首先要了解两者的本质和性质。单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。接下来了解两者的性质。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。想要了解更多单晶硅 多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

1、外观上的区别外观上面看的话，单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。2、使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形（四边都是圆弧状），因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满；而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题。3、制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保！

太空中的单晶硅      遥望星空，茫茫宇宙，探索太空是人类几百年的梦想。人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。航天飞机、宇宙飞船、人造卫星都要以单晶硅作为必不可少的原材料。航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。离开单晶硅，卫星会没有能源，没有单晶硅，航天飞机和宇航员不会和地球取得联系，单晶硅作为人类科技进步的基石，为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。火星上的单晶硅    当今，“火星热”在全世界范围内掀起了浪潮，仅在今年，人类就有三颗探测器在火星表面登陆，先是欧州航天局的“猎兔犬”号，接着就是美国的“勇气”号和“机遇”号的两次难度最高、惊心动魄的人工智能控制着陆。现在，两辆火星探测车正在火星表面进行漫步，在地球上的工程技术人员控制下进行火星探测，已经发回了大量珍贵的火星探测数据，甚至还发现了火星曾有水存在的证据，这在人类探索宇宙的历程上无疑是一个里程碑。    火星探测器进行所有的探测活动所需的能源都是由探测器上携带的太阳能电池板转化太阳能得来的，太阳能电池板把太阳能转化为电能，供给火星探测器使用。这样，火星探测器可以在距离地球数千万英里之外的火星上接收来自地球的控制信号，进行一系列复杂的探测活动。这些能源的来源都是以单晶硅为材料制成的太阳能转换器，火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光，探测器白天休息——利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来，晚上则进行科学研究活动。也就是说，只要有了单晶硅，在太阳光照到的地方，就有了能量来源。你身边的单晶硅    不知道你发现了没有，在你的日常生活里，单晶硅可以说是无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中各个角落。    ２1世纪是材料的世纪，科学技术的飞速发展给人们的生活带来了日新月异的变化，而每一项科学技术的应用与普及都与单晶硅有着密不可分的关系，单晶硅作为科技基础材料已经成为科技发展的基石和人们日常生活中必不可少的一部分。

钨是战略资源，是我国的丰产元素和保护矿种。长期以来，我国出口钨的初级产品，进口高端产品，出口产品的价格仅为进口产品的1％，与我国的经济发展要求极不适应。为加快钨新材料研发进程，实现钨产品由初级向高技术含量、高附加值产品的转变，使我国钨资源优势转化为经济优势，研究高性能钨材料的制备技术具有重要的现实意义和发展前景。     由于遗传关系，仲钨酸铵(APT)的晶体特性，如晶体形貌、平均粒度和粒度分布、松装密度和流动性对后续粉末冶金产品－钨粉、钨丝和钨合金的材料性能影响极大。单晶APT因其具有优良的物理性能，是生产高性能钨材料的理想原料。首先，单晶APT粉体具有良好的流动性，由单晶APT经焙烧－氢还原制取的钨粉，在压制过程中因滑动磨擦阻力小，坯料的空洞缺陷明显降低，加工材料的力学性能大幅度提高。由于抗拉、抗断裂性能好，拉制过程钨丝的成品率为90％，而以多晶APT为原料生产的钨丝其成品率仅为70％。因此，单晶APT成为生产车用高品质钨丝的必选粉体原料。此外，单晶APT粉体具有较高的松装密度，坯料中晶粒间隙小而均匀，力学缺陷少，压实密度高，以其制取的合金材料其抗压、抗剪力、抗冲击性能优良。如以单晶APT制取的顶锤寿命是以多晶APT制取的2～3倍。由于配重作用大，单晶APT是生产装甲弹、高密度合金、微钻、数控刀片等高性能钨材料的优良粉体原料。     因此，单晶APT粉体的制备技术及其制备原理的研究，是一关键课题。国内外现有的对APT性能的研究，较多的是关注工艺条件与仲钨酸铵的粒度、粒度分布、松装密度和流动性等晶体特性的关系。笔者在探明单晶APT结晶原理基础上，研究了结晶装置、搅拌转速、温度等因素对仲钨酸铵团聚的影响。     一、试验部分     （一）试验原料及试剂     (NH4)2WO4溶液：为黑钨矿精矿经碱溶、离子交换法除杂净化转型后所得溶液，其ρ（WO3）＝285.66 g/L，pH＝9.80，c（Cl－）＝2.5mol/L，Mo、Si、P、As杂质微量。     试验过程中，溶液结晶至初始溶液体积的40％。     （二）试验仪器     DF－1集热式恒温磁力搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；5312数显搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；0.1mg电光分析天平（成都科学仪器厂）；721型分光光度计（上海精密科学仪器有限公司）；SFC－100FL麦克奥迪显微镜；红外线快速干燥器。     （三）试验装置    试验装置如图1所示。图1  制备球形仲钨酸铵的蒸发结晶装置     二、单晶仲钨酸铵的制取机理     晶粒团聚的先决条件是接触。晶粒的接触方式有2种：一是沉积于结晶器底部的堆积接触；二是悬浮于结晶溶液中的碰撞接触。其中，碰撞接触的机会大小与结晶器内流体的流动方式和溶液中固体颗粒的浓度有直接关系。     堆积接触可以通过搅拌使晶体颗粒悬浮而避免，因此，在保证晶粒处于悬浮前提下，降低以至消除晶粒在溶液中运动碰撞的机会是制取仲钨酸铵单粒晶体的前提。     由于搅拌装置和搅拌转速不同，晶粒在运动中碰撞的机会有很大不同。根据研究，在横截面为圆形的结晶器中，流体围绕搅拌轴做圆周同心层流运动时，晶粒碰撞机会最小。     流体运动是层流还是紊流，取决于流速，即搅拌速度。搅拌越慢，流体偏离紊流越远。因此，在保证晶粒不沉积的前提下，搅拌转速越慢越好。     APT晶粒的沉降速度与其粒度有关。粒度越大，越易沉降，维持其保持悬浮状态所需的转速越快。因此，结晶过程根据晶粒长大的情况，对搅拌转速进行由慢到快的控制，确定不同粒径范围，APT晶粒既不沉积也不碰撞的最佳转速是制取单粒晶形APT的技术关键之一。     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会也与单位体积晶液中颗粒多少（即固相浓度）、晶粒大小有关。根据前期研究结果，在起始钨酸铵溶液浓度相同条件下，降低结晶前期溶液温度、搅拌转速是降低成核数量（即降低固相浓度）和晶粒生长速度（即降低晶粒粒径）、减少APT晶粒碰撞、制取单粒晶形APT的技术关键之二。     三、结果和讨论     （一）结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响     反应条件：搅拌转速70 r/min，结晶温度95℃。定性考察结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响。     结晶装置均为横截面为圆形的结晶器。根据仲钨酸铵结晶动力学理论及流体力学原理，这种结晶装置中，流体围绕搅拌轴作圆周运动，相同半径点的流体速度基本一致，基本实现流体层流。研制的结晶器与普通结晶器流体流动状态显著不同，如图2所示。图2  不同结晶器中流体的流动状态     基于上述原理，对搅拌浆进行改进。装置分为A、B、C 3种。A未进行改进，B、C分别为改进1和改进2装置。试验结果见表1。可见，经过改进的结晶装置，所得APT粉体单晶率明显升高。以下试验均在C装置中进行。 表1  结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响结晶装置APT粉体单晶率/%APT粉体粒度/μmAPT粉体松装密度/（g·cm－3）A46462.2B78351.8C85422.1     （二）搅拌转速对仲钨酸铵团聚的影响     结晶温度95℃，试验结果如图3所示。图3  搅拌速度对APT粉体团聚的影响     由图3可知：1、低搅拌速度下所得APT的单晶率较低，转速为30 r/min时，单晶率为62％。这是因为搅拌转速较慢时，APT颗粒在溶液中不能充分悬浮于溶液中，而是以堆积方式沉积于结晶器底部，这必然导致APT团聚现象发生。随着搅拌速度提高，APT团聚现象逐步得到缓解，因而APT单晶率逐步提高，并在70～90 r/min时达到最佳值，此时单晶率在86％左右。     2、随着搅拌转速的进一步提高，APT单晶率逐步下降。这是因为搅拌转速的提高必然导致结晶器内溶液的流动状态从层流变为紊流，紊流状态使悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞接触机会加大，从而导致APT团聚现象发生。     3、可以得出结论：搅拌转速70～90r/min是一个分界点。低于70r/min，溶液中的APT颗粒有部分因搅拌力不足而沉积团聚；在此范围内，溶液中的APT颗粒基本悬浮于溶液中；大于90r/min，溶液搅拌加剧，悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞加剧而团聚。因而，从结晶的整个过程来看，搅拌转速应控制在70～90r/min范围内。     （三）搅拌转速对不同时期仲钨酸铵团聚的影响     从结晶局部过程来看，搅拌速度70～90r/min并非为最佳值。如前所述，最佳搅拌速度是在保证APT晶粒不沉积前提下越慢越好。但在结晶不同时期，由于晶粒的数量和大小是不同的，因而保证APT晶粒不沉积的最慢转速也不同。因此，有必要进一步探索不同结晶时间时维持层流和阻止晶粒沉积的最佳转速。     结晶从开始到结束，APT颗粒的大小应该呈总体增大趋势，因而搅拌速度在结晶初期可以取较小值，随着结晶过程的进行，搅拌速度应逐步提高。在结晶后期，搅拌转速达到70^90 r/min总体最佳值。     结晶时间取3个点：晶核出现前，晶核出现时和晶核出现后1h。对于时间点1，取转速分别为10，20，30r/min；对于时间点2，取转速分别为30，40，50r/min；对于时间点3，取转速分别为60，70，80r/min；结晶温度为95℃。在此条件下进行正交试验。试验结果见表2。 表2  不同结晶时期搅拌转速对APT团聚的影响试验序号时间点1时间点2时间点3APT单晶率/%120406089230507093340608091420508092530606088640407092720607091830408092940506090     由表2可知：2号试验所得产品单晶率最高，即晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期，搅拌转速控制在70～90r/min范围内。在此条件下，所得产品APT单晶率达93％。     结晶后期指的是溶液中不再形成新的晶核，即溶液的过饱和度达到了最低值。据测算，这个点溶液的密度为1.116～1.125g/cm3。结晶后期到结晶结束，仍有5～6h的结晶时间，但这段时间工艺条件的改变对APT单晶率影响很小，因为这段时间晶体已经长的比较大了，相互的碰撞不再易于团聚。     （四）温度对仲钨酸铵团聚的影响     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会与单位体积溶液中颗粒数量的多少也有关系。如上所述，对APT单晶率影响最大的阶段是结晶前期，即从成核开始至成核结束。因此，着重研究了结晶前期不同温度对APT单晶率的影响。溶液温度仍取95℃，加速加热以缩短周期；成核终了至结晶结束，温度仍控制在95℃。     试验条件：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现后1h，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶终了，搅拌转速为80r/min。结晶前期，改变蒸汽温度，试验结果如图4所示。图4  结晶温度对APT粉体单晶率的影响     由图4可知：适当降低结晶前期的温度，APT粉体的单晶率有较大的提升空间，但温度不能降低得太多；温度为80℃时，APT单晶率达到最佳值，为96％；进一步降低温度，晶体成核率过低，晶体长大速度过快，晶粒粗大，反而对APT粉体单晶率有负面影响。     四、验证试验     根据上述试验结果，在最佳工艺条件下进行验证试验。结果表明，APT粉体单晶率大于95％，松装密度1.5～3.0 g/cm3，费氏粒度在30～60μm之间，霍尔流动性30～50s/50g。产品单晶电镜扫描图如图5所示。图5  单晶APT电镜扫描图     五、结论     采用改进的结晶装置，APT粉体单晶率明显提高。这种改进主要体现在搅拌浆上，可以促进结晶器内溶液层流的实现。所研发的单晶APT粉体制备流体层流控制技术及装置，可有效减少晶粒间的碰撞，使制备出的单晶APT粉体单晶率达90％以上。     APT粉体最佳结晶条件为：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶结束，搅拌转速为70～90r/min；适当降低结晶前期温度，APT粉体单晶率有较大提升空间，在结晶温度为80℃时达到最佳值，单晶率为96％。

锗具备多方面的特殊性质，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。在电子工业中，在合金预处理中，在光学工业上，还可以作为催化剂。高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。20世纪初，锗单质曾用于治疗贫血，之后成为最早应用的半导体元素。单质锗的折射系数很高，只对红外光透明，而对可见光和紫外光不透明，所以红外夜视仪等军用观察仪采用纯锗制作透镜。锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂，含 二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，三GeCl4还是新型光纤材料添加剂。据数据显示，2013年来光纤通信行业的发展、红外光学在军用、民用领域的应用不断扩大，太阳能电池在空间的使用，地面聚光高效率太阳能电站推广，全球对锗的需求量在持续稳定增长。全球光纤网络市场尤其是北美和日本光纤市场的复苏拉动了光纤市场的快速增长。21世纪全球光纤需求年增长率已经达到了20%。未来中国光纤到户、3G建设及村通工程将拉动中国光纤用锗需求快速增长。锗在红外光学领域的年需求量占锗消费量的20-30%，锗红外光学器件主要作为红外光学系统中的透镜、棱镜、窗口、滤光片等的光学材料。红外市场对锗产品的未来需求增长主要体现在两个方面：军事装备的日益现代化带动了对红外产品的需求和民用市场对红外产品的需求。太阳能电池用锗占据锗总消耗量的15%，太阳能电池领域对锗系列产品的未来需求增长主要体现在两个方面：航空航天领域及卫星市场快速发展和地面光伏产业快速增长。从全球产量分布来看，中国供给了世界71%的锗产品，是全球最大的锗生产国和出口国，这主要是由于中国高附加值深加工产品技术环节薄弱，导致内需相对有限，产品多以初加工产品出口为主。但是在需求旺盛刺激下，中国锗生产技术能力提升迅速，目前中国企业已经能够生产光纤级、红外级、太阳能级锗系列产品。加之来政策推动力度大，中国光纤领域锗需求明显增长。2013年PET催化剂用锗约占25%，电子太阳能用锗约占15%，红外光学用锗比重从42%降至25%，而光纤通讯约占锗消费30%左右的市场份额。2011年中国锗消费量为45金属吨，2012年锗消费量为50金属吨，同比增长11.11%;2013年锗消费量为59金属吨，同比增长18.00%。

中文名称：锗 英文名称：germanium 界说：原子序数为32，属元素周期表中第ⅣA族元素，元素符号为Ge，是重要的半导体材料。 锗(旧译作鈤)是一种化学元素。锗的物质形状是一种灰白色的类金属。锗的性质与锡相似。锗最常用在半导体之中，用来制作晶体管。1886年，德国的文克勒在分析硫银锗矿时，发现了锗的存在;后由硫化锗与氢共热，制出了锗。 高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗复原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器材。锗的化合物用于制作荧光板及各种高折光率的玻璃。 锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。 锗材用于辐射探测器及热电材料。 高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线通明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。 锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反响的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散功能，可作广角照相机和显微镜镜头，三仍是新式光纤材料添加剂。 锗，具有半导体性质。对固体物理学和固体电子学的开展起过重要效果。锗的熔密度5.32克/厘米3，为银灰色脆性金属。锗可能性划归稀散金属，锗化学性质安稳，常温下不与空气或水蒸汽效果，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与、稀硫酸不起效果。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、中，锗易溶解。碱溶液与锗的效果很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗敏捷溶解。锗与碳不起效果，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。 锗有着杰出的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。 锗的开展仍具有很大的潜力。          现代工业出产的锗，首要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。 怎么收回锗？ 归纳收回锗的办法许多，常用的是氯化蒸馏的经典办法。该法是使原猜中的锗转入硫酸溶液，参加单宁得单宁锗沉积物，经氧化焙烧脱砷及脱有害物后，在83～100℃下氯化蒸馏得GeCl4。在氯化蒸馏过程中发作如下反响： GeO3+4HCl＝GeCl4+2H2O GeCl4经水解得纯GeO2，过程中发作下列反响： GeCl4+2H2O＝GeO2+4HCl GeO2通复原得到约具有10～20Ω·cm电阻率的金属锗，其反响为: GeO2+2H2＝Ge+2H2O (1)优先蒸发法收回锗 先把质料制团，经复原蒸发硫化锗，蒸发锗率达90%～98%;然后将尘按经典法提锗，锗的收回率听说高达90%。在我国，曾实验用此法从含 0.006%～0.008%Ge的锌精矿中提锗，通过两次复原蒸发，所得硫化物尘再用经典法提锗，锗收回率达75%～80%。 (2)硫酸化-载体沉积法收回锗 此法处理含0.022%锗的扎伊尔锗矿，经浮选得含锗0.13%的铜精矿，经铜冶炼得含0.36%Ge的烟尘，经硫酸化使锗转入硫酸系统，净化后用MgO 作载体沉积出溶液中的锗，然后按经典法提锗。比利时的巴伦厂选用此法出产，锗的收回率达75%。 (3)碱土金属氯化蒸馏法收回锗。 (4)烟化法收回锗。 (5)氧化复原焙烧收回锗。 (6)再次蒸发收回锗。 (7)萃取法收回锗 近年来，国内外溶剂萃取锗的研讨工作进展较大，在系统中可用火油、CCl4、MIBK、Lix63及二等萃取锗;在硫酸系统中可用TOA、P204+YW100、Lix63及Kelex100等萃取锗，此法可根据具体情况进行出产。 (8)鼓风炉蒸发法收回锗。

 金属硅性质是很多金属硅生产企业和金属硅生产厂家关注的重点，更好的了解金属硅心知对于金属硅的充分利用具有非常重要的意义。    金属硅（我国也称工业硅）是本世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。目前，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。金属硅是具有灰色金属光泽的晶体，主要用作制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金的化合物。金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也名手在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。    据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。    硅是半金属之一,旧称“矽”。熔点为1412℃，密度为2.34克/厘米3。质硬而脆。在常温下不溶于酸，易溶于碱。金属硅性质与锗、铅、锡相近，具有半导体性质。硅在地壳中资源极为丰富，仅次于氧，占地壳总重的四分之一还强，以二氧化硅或硅酸盐形式存在。最纯的硅矿物是石英或硅石。硅有两种同素异形体：一种为暗棕色无定形粉末，性质活泼，在空气中能燃烧；另一种为性质稳定的晶体（晶态硅）。一般硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、金属和单晶。 从金属硅性质来看，硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种金属冶炼中作还原剂。硅还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有硅。金属硅性质于硅性质类似，硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。    更多关于金属硅性质的资讯，请登录上海有色网查询。

硅属于金属吗？硅单质本身并不是金属，属于非金属。但是平常所说的金属硅，是指由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，该产品中硅元素含量在98%，其余2%为杂质铁、铝、钙等。为什么说硅是金属呢？因为冶炼出来的金属硅的性质与锗、铅、锡相近，所以叫做金属硅，又称为结晶硅或者工业硅。金属硅的用途有哪些？1. 金属硅 主要作为非铁基合金的添加剂，硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种金属冶炼中作还原剂。2.金属硅是电子工业超纯硅的原料，作为制取高纯度半导体的材料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。3.金属硅可以用于生产硅橡胶，硅树脂，硅油等，硅橡胶弹性好，耐高温，用于制作医疗用品，耐高温垫圈等。4.硅油还可以生产高级润滑油上光机，流体弹簧介电液体等。还可以加工成无色透明的液体，作为高级防水漆，喷涂在建筑物表面。5.掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。

金属 硅又称 结晶硅 或 工业硅 ，其主要用途是作为非 铁 基合金的添加剂。 金属 硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也包含在 金属 硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。中文名称: 金属 硅中文别名:结晶硅;工业硅;硅微粉;硅粉;多晶硅;单晶硅;硅光学窗;硅英文名称:Silicon 定义“ 金属 硅”（我国也称工业硅）是上世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体 行业 的兴起有关。国际通用作法是把商品硅分成 金属 硅和半导体硅。 金属 硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（含Si量99.99%的也包含在 金属 硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度 金属 硅。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗 金属 硅约50万吨，其中用于铝合金的 金属 硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。硅的性质硅是半 金属 之一,旧称“矽”。熔点为1420℃，密度为2.34克每立方厘米。质硬而脆。在常温下不溶于酸，易溶于碱。 金属 硅的性质与锗、铅、锡相近，具有半导体性质。硅在地壳中资源极为丰富，仅次于氧，占地壳总重的四分之一还多，以二氧化硅或硅酸盐形式存在。最纯的硅矿物是石英或硅石。硅有两种同素异形体：一种为暗棕色无定形粉末，性质活泼，在空气中能燃烧；另一种为性质稳定的晶体（晶态硅）。一般硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、 金属 和单晶。硅的用途硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种 金属 冶炼中作还原剂。硅还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有硅。硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。非晶硅太阳能电池研究进展很快，转换率达到了8%以上。硅钼棒电热元件最高使用温度可达1700℃，具有电阻不易老化和良好的抗氧化性能。用硅生产的三氯氢硅，可配制几百种硅树脂润滑剂和防水化合物等。此外，碳化硅可作磨料，高纯氧化硅制作的石英管是高纯 金属 冶炼及照明灯具的重要材料。 八十年代的纸张——硅 人们称硅为“八十年代的纸张”。这是因为纸张只能记录信息，而硅不仅能记载信息，还能对信息进行处理加工以获得新的信息。1945年制造的世界上第一台电子计算机，装有18000个电子管、70000只电阻、10000只电容，整个机器重30吨，占地170平方米，相当于10间房子大小。而今天的电子计算机，由于技术的进步和材质的改善，在一个指甲盖大小的硅片上，可以容纳上万个晶体管；并且有输入、输出、运算、存储和控制信息等一系列功能。 微孔硅钙保温材料微孔硅钙保温材料是一种优良的保温材料。它具有热容量小、机械强度高、导热系数低、不燃烧、无毒无味、可切割、运输方便等特点，可广泛用于冶金、电力、化工、船舶等各种热力设备及管道上。经测试，节能效益优于石棉、水泥、蛭石和水泥珍珠岩等保温材料。特种硅钙材料可用作催化剂载体，在石油炼制、汽车尾气净化等多方面广泛应用。

有色金属产品分类 1 铜及铜合金 1#电解铜 贴水 平水 升水 国产铜:江西铜、云冶铜、铜鼎铜、铜冠铜、金豚铜、上冶铜、大冶铜、中条山铜、大昌铜、白银铜、金川铜、大通铜、牡丹铜、包头铜 进口铜：智利CCC、智利ENM、智利AE、日本OSR、秘鲁铜、韩国铜、菲律宾PASAR、 美国KUC、赞比亚铜、波兰铜、 巴西铜、比利时铜、mook铜、哈铜、 德国铜、 南非铜 紫铜 黄铜 锌白铜 镍白铜 锡磷青铜 铍青铜 铜基高比重合金 2 铝及铝合金 Aoo铝锭 连城铝、海湖、红鹭、兰铝、包铝、山东铝、青铜峡铝、丹江铝、 铜川铝、雪山、甘铝、万方、贵铝、华光、关铝、万基、俄罗斯铝锭、印度铝锭 3 铅及铅合金 1#铅锭、铅锡合金锭 4 锌及锌合金 国产1#锌锭、国产0#锌锭、0#白银锌锭、0#火炬牌锌锭、0#葫锌牌锌锭、进口哈锌 5 镍及镍合金 1#电解镍、1#金川镍、新疆镍、俄罗斯镍板、俄罗斯桶装镍、巴西桶装镍、巴西镍板 6 锡及锡合金 1#锡锭 云山牌、天梯牌、金海牌、云锡 7 镁及镁合金 闻西1#镁锭、 鹤壁镁锭 8 钴 9 锑 10 锰 11 镉 12 铬 13 铋 1415 贵金属及其合金（金、银、铂、钯、铱、铑、钌、锇） 16 稀有金属及合金( 锂、、、铍、钛、锆、铪、钒、铌、钽、钨、钼、钪 、钇、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽 镝、钬、铒、铥、镱、镥、镓、铟、、锗、硒、碲、铼) 17 硅及硅产品 （单晶硅、多晶硅、结晶硅、硅铁） 18 铜及铜合金板材 19 铜及铜合金带材 20 铜及铜合金箔材 21 铜及铜合金管材 22 铜及铜合金棒材 23 铜及铜合金线材 24 铜及铜合金型材 25 铜排 26 铝及铝合金板材 27 铝及铝合金带材 28 铝及铝合金箔材 29 铝及铝合金管材 30 铝及铝合金棒材 31 铝及铝合金线材 32 铝及铝合金型材 33 铅及铅合金加工材 34 锌及锌合金加工材 35 锡及锡合金加工材 36 贵金属及其合金加工材 37 稀有金属及其合金加工材 锆及锆合金管、棒材、铌及铌合金管材、钼带、箔材 38 复合材 铝铜复合板带、紫铜复银带、青铜复银带、镀锡黄铜带 39 其他金属及合金加工材 40 稀土材料 高纯稀土金属、单一稀土氧化物、共沉淀稀土氧化物、彩电荧光粉、灯用三基色荧光粉、计算机用终端显现粉、钐钴粉、钐钴磁钢、铈锆复合氧化物 41 半导体材料 硅单晶棒、硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、 硅单晶外延片、锗单晶材料 42 金属粉末及其制品 铜粉、青铜粉、锌粉、钴粉、镍粉、钼粉、钨粉、铝镁合金粉、钛、银粉、钛粉、钨钴合金粉、铝粉、无定型硼粉 43 金属化合物 硫酸铜、硫酸镍、镍、氧化镍、氧化亚镍、、有机锗 五氧化二钒、三氧化二锑、氧化锌、氧化钴、草酸钴 、硫酸亚锡、氯化亚锡、锡酸钠、二氧化锡 、氧化铋、碳酸锂 、氢氧化锂、 44 有色铸锻件 45 铁合金 铬铁、锰铁、硅铁系合金 46 耐火材料 47 陶瓷材料 48 建筑材料 49 线缆及制品 50 冶金设备 51 冶金辅料 52 有色矿产品 53 废旧金属 紫杂铜、黄杂铜、铅灰、锌渣、锡渣、杂铝、 废蓄电池铅板 54 其他

金属硅，我国也称工业硅是本世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。目前，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。    金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也归在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。    金属硅名称的由来？英文silicon，来自拉丁文的silex,silicis，意思为燧石（火石）。    民国初期，学者原将此元素译为“硅”而令其读为“xi（圭旁确可读xi音，如畦字）”（又，“硅”字本为“砉”字之异体，读huo）。然而在当时的时空下，由于拼音方案尚未推广普及，一般大众多误读为gui。由于化学元素译词除中国原有命名者，多用音译，化学学会注意到此问题，于是又创 “矽”字避免误读。台湾沿用“矽”字至今。    中国大陆在1953年2月，中国科学院召开了一次全国性的化学物质命名扩大座谈会，有学者以“矽”与另外的化学元素“锡”和“硒”同音易混淆为由，通过并公布改回原名字“硅”并读“gui”，但并未意识到其实“硅”字本亦应读xi音。有趣的是，矽肺与矽钢片等词汇至今仍用矽字。在香港，两用法皆有，但“矽”较通用。    工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： 　　SiO2 + 2C → Si + 2CO 　这样制得的硅纯度为97~98%，再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。     硅的地壳丰度仅次于氧，达到25.8％。金属硅在自然界中，主要的赋存形式为同氧结合成二氧化硅或金属的硅酸盐，最纯的硅矿物是石英和硅石。金属硅的性质和硅的性质和锗、锡、铅相近。金属硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种金属冶炼中作还原剂。金属硅还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有金属硅。金属硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的金属硅制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。    你想了解更多关于金属硅的信息，请到上海有色网——硅专区。 

关于金属硅是什么的问题，现在我们已经不再陌生，因为金属硅已经越来越多的应用在我们的日常生活中和工业生产中。上海有色网金属硅专区拥有权威的金属硅现货价格及有色指数，发布的上海金属硅现货价格涉及多种金属硅产品，其金属硅价格等已成为中国有色金属金属硅市场的风向标。    金属硅是什么？金属硅，我国也称工业硅是本世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。目前，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也归在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。   金属硅是如何被发现的 ？1787年，拉瓦锡首次发现硅存在于岩石中。然而在1800年，戴维将其错认为一种化合物。1811年，盖-吕萨克和Thénard可能已经通过将单质钾和四氟化硅混合加热的方法制备了不纯的无定形硅。1823年，硅首次作为一种元素被贝采利乌斯发现，并于一年后提炼出了无定形硅，其方法与盖-吕萨克使用的方法大致相同。他随后还用反复清洗的方法将单质硅提纯。     金属硅名称的由来 ？英文silicon，来自拉丁文的silex,silicis，意思为燧石（火石）。 民国初期，学者原将此元素译为“硅”而令其读为“xi（圭旁确可读xi音，如畦字）”（又，“硅”字本为“砉”字之异体，读huo）。然而在当时的时空下，由于拼音方案尚未推广普及，一般大众多误读为gui。由于化学元素译词除中国原有命名者，多用音译，化学学会注意到此问题，于是又创 “矽”字避免误读。台湾沿用“矽”字至今。 中国大陆在1953年2月，中国科学院召开了一次全国性的化学物质命名扩大座谈会，有学者以“矽”与另外的化学元素“锡”和“硒”同音易混淆为由，通过并公布改回原名字“硅”并读“gui”，但并未意识到其实“硅”字本亦应读xi音。有趣的是，矽肺与矽钢片等词汇至今仍用矽字。在香港，两用法皆有，但“矽”较通用。    工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得金属硅。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 。这样制得的硅纯度为97~98%，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。    金属硅中的硅含量极高，达98%左右，因此金属硅的各项性质和硅类似。金属硅的各项特性是什么样的？金属硅具有半导体性质,其禁带宽度(300K)为1.107电子伏，本征电阻率(300K)为2.3×105欧姆·厘米，电子迁移率(20℃)为1350厘米／(伏·秒)，空穴迁移率(20℃)为480厘米2／（伏·秒），电子扩散系数(300K)为34.6厘米2／秒，空穴扩散系数(300K)为12.3厘米2／秒。     金属硅也是电子工业超纯硅的原料。硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种金属冶炼中作还原剂。硅还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有硅。硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。    更多关于金属硅是什么的资讯，请登录上海有色网查询。 

美国与日本的锗使用举例及结构示于表1。   表1  锗的使用举例及结构        （％）年份国别使用光纤红外探测器＋半导体催化剂其他1985美国651510－10日本17.2－9.135.538.21996美国401515255日本10.7－10.771.47.21997美国4010202010日本13.3－13.466.76.61998美国441117226日本   （72.4） 1999美国501510205日本   （91.1） 2000美国501510205日本   （84.0） 2001美国501510205日本            一、锗作为红外光学材料，具有红外折射率高，红外透过波段规模宽，吸收系数小、色散率低、易加工、亮光及腐蚀等影响，特别适用军工及严重民用中的热成像仪与红外雷达及其他红外光学设备的窗口、透镜、棱镜与滤光片的材料；高纯锗或锗锂用于天文学的γ－谱仪，核反应能谱仪及等离子物理X－射线仪；Si－Ge10与掺、镉、铜与镓的锗单晶用于红外探测器。       二、锗半导体器材用作二极管、晶体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器材作光电、霍耳及压阻效应的传感器，作光电导效应的放射线检测器等，广泛用于间响、彩电、电脑、电话及高频设备中，锗管特别适用于高频大功率器材中，且在强辐射与－40℃下工作正常；Ge－Si与Ge－Te作温差发电用于宇航、卫星与空间站的发动电源等。       三、掺锗光纤具有容量大、光损小、色散低、传输间隔长及不受环境等的搅扰，是现在仅有能够工程化使用的光纤，是光通讯网络的主体，近年取得大发展（表2）。   表2  全球耗费光纤量年份199019911992199319941995199619971998199920002001耗光纤量/（万km·a－1）51078011001200144018692252～30502677～37703260～45903882～63304702～ 788010190       1万km光纤需GeCl4量：单模为6.8－25kg，多模为34－100kg左右，而且15年就需要替换。此外，GeCl4还用于高速光纤网，链路，光纤传感器，光纤制导及光纤系留设备等。       GeO2是出产聚对笨二乙二醇酯（PET）的催化剂，具有长纤维，由其制备的饮料与食用液体的各式容器，无毒、通明且气密性好。锗用于医药，如Ge－132［β－羧乙基锗倍半氧化物－（GeCH2CH2COOH）2O3］临床使用于防治癌症。BGO作X－射线、CT－仪、PCT－仪，用于确诊肿瘤及骨骼结构与安排坏死等。锗化合物及其有机化合物可作牙膏与高效止痛膏等。

多晶硅在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。多晶硅作用包括电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。　　硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧•厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧•厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。　　电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是 产量 最大、应用最广的半导体材料，多晶硅作用应得到推广。它的 产量 和用量标志着一个国家的电子工业水平。

    多晶硅英文polycrystalline silicon,多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。   多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。   高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏 产业 的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏 产业 主要原材料。   随着信息技术和太阳能 产业 的飞速发展，全球对多晶硅polycrystalline silicon的需求增长迅猛， 市场 供不应求。世界多晶硅的 产量 2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15600吨，供不应求。 

近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅和多晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术 产业 的发展，成为当代信息技术 产业 的支柱，其产生的废料，正引起越来越多的关注和重视。目前国内大部分单多晶硅废料供应 价格 如下：　　单晶硅废料供应：单晶硅棒/单晶硅废料/单晶硅片/裸片/抛光片等。　　单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上/40元/片　　单晶硅抛光片/P型/电阻:0.5以上/38元/片　　单晶硅方棒/P型/电阻:0.5以上/1800.00元/公斤　　单晶硅圆棒/P型/电阻:0.5以上/2000.00元/公斤　　单晶硅废料/P型/电阻:0.5以上/太阳能级/1000.00元/公斤　　多晶硅 现货价格 让下游无法承受。按照目前10g/W的消耗量计算，如果全部用 现货市场 300$/kg的原料，则每瓦的硅料成本就有3$/W。半导体废片和多晶硅废料/边角料的 价格 都在170$/kg以上。　　更多单多晶硅废料 价格 详见上海 有色 网。

 金属硅粉加工及单晶硅切片项目获备案  发布时间：2008-01-15  所 在 地：河南  行    业：化工医药  进展阶段：核准  摘    要：  项目需求：  项目名称：洛阳市博明硅材贸易有限公司金属硅粉加工及单晶硅切片项目建设规模：项目计划占地约8亩，建设厂房、办公楼、质检中心及附属设施3000平方米，新建金属硅粉加工生产线一条，单晶硅切片生产线一条，金属硅粉生产工艺为：金属硅—水洗—精选—研磨—分装，主要设备：粉碎机、雷蒙磨等；单晶硅切片生产工艺为：单晶硅生长棒—切断、外径滚磨、平边或V型槽处理—切片—倒角—研磨、抛光—包装，主要设备有：内、外圆切割机、双面研磨机、切片机、抛光机等。产品用途广泛，具有良好的市场前景。  总投资及资金来源：  投资总额：1000万元  企业自筹：1000万元  项目法人名称：洛阳市博明硅材贸易有限公司  工业硅粉又称金属硅粉，是银灰色或黑色粉末，有金属光泽。其熔点高，耐热性能好，抗氧化性高，电阻率高，具有高度抗氧化作用，被称为“工业味精”，是很多高科技产业的不可缺少的基础原材料。  更多关于金属硅粉加工的资讯，请登录上海有色网查询。 

硅有无定形和晶体两种同素异形体。晶体硅具有金刚石晶格，硬而脆，密度2.4，熔点1420℃，沸点2355℃。无定形硅是一种灰黑色粉末，实践是微晶体。晶体硅的电导率不及金属，且随温度升高而添加，具有显着的半导体性质。　　硅在常温下不生动，与空气、水和酸等没有显着效果；在加热下，能与卤素反响生成四卤化硅；650℃时硅开端与氧彻底反响；硅单质在高温下还能与碳、氮、硫等非金属单质反响；硅可直接生成一系列硅的氢化物；硅还能与钙、镁、铁等化合生成金属硅化物。超纯的单晶硅可作半导体材料。粗的单晶硅及其金属互化物组成的合金，常被用来增强铝、镁、铜等金属的强度。　　自然界中的硅以含氧化合物的方式存在，硅与氧结组成二氧化硅，与金属结合生成金属的硅酸盐。首要的硅矿藏为石英和硅石，一般的硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、金属和单晶。　　工业上，通常是在电炉中由碳复原二氧化硅而制得金属硅，化学反响方程式：SiO2 + 2C → Si + 2CO，这样制得的硅纯度为97-98%，叫做金属硅。再将它消融后重结晶，用酸除掉杂质，得到纯度为99.7-99.8%的金属硅。用作半导体的超纯硅的制法则是先用纯度不高的硅与氯化氢和的混合物效果，制取三氯氢硅，并用精馏法提纯。然后在复原炉内用纯氢将三氯氢硅复原，硅就堆积在用超纯硅制成的细芯上，这样制得的超纯硅称为多晶硅，把它放在单晶炉内，就可拉制成单晶硅。　　单晶硅的出产工艺首要有直拉法、区熔法和外延法。直拉法适宜于成长低电阻大直径的单晶，其径向杂质散布均匀，适协作低压硅器材和集成电路的材料。区熔单晶径向杂质散布均匀性较直拉法差，但氧、碳含量低，用高阻区熔单晶通过中子辐照能够得到杂质散布均匀性适当满足的单晶材料，适宜于制作高压大功率器材。衡量单晶质量的参数首要有导电类型、晶向电阻率及其均匀性、位错密度、补偿度等。影响单晶质量的关键因素是晶格缺点和杂质。　　因为硅的资源非常丰厚，易于提纯，报价便宜，并且硅器材易于完成平面工艺，具有效率高、寿命长、体积小、导热好、耐高温、可靠性高档长处，大多数半导体器材都选硅作质料。硅首要用于制作各种集成电路、晶体管及电力电子器材，后者包含大功率的整流管、晶闸管、晶体管及各种派生器材，已广泛用于机械、冶金、电力、矿山、交通运输、航天、化工等各个领域。硅晶体管和集成电路首要用于无线电设备、电信设备、自动控制系统、计算机、航天等各个领域。此外，还可制作太阳能电池，用作航天飞机、人造卫星、无人灯塔等的电源。　　硅还用来出产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅。硅橡胶弹性好，耐高温，用于制作医疗用品、耐高温垫圈。硅树脂用于出产绝缘漆、高温涂料等。硅油是一种油状物，其粘度受温度的影响很小，用于出产高档润滑剂、上光剂、流体绷簧、介电液体等，还可加工成无色通明的液体，作为高档防水剂喷涂在建筑物表面。　　在钢铁工业中，硅铁用作合金添加剂，在多种金属冶炼中用作复原剂。硅铝合金用量最大，是一种强复合脱氧剂，在炼钢过程中替代纯铝可进步脱氧剂利用率，并可净化钢液，进步钢材质量。硅铝合金密度小，热膨胀系数低，铸造功用和抗磨功用好，用其铸造的合金铸件具有很高的抗冲击才能和很好的高压细密性，可大大进步使用寿命，常用其出产航天飞行器和轿车零部件。　　冶炼铝合金时参加少数的纯度为98%的冶金级硅可大大改进铝合金的功用。硅铜合金具有杰出的焊接功用，且在受到冲击时不易发生火花，具有防爆功用，可用于制作储罐。钢中参加硅制成硅钢片，能大大改进钢的导磁性，下降磁滞和涡流丢失，可用其制作变压器和电机的铁芯，进步变压器和电机的功用。

收购是指一个企业或个人收购全部或部分货物的方式购买了另一个企业或个人的全部或部分所有权.而收购多晶硅就是收购的产品对象是多晶硅.  多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 　　多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。　  在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。  收购多晶硅时,需要注意写清产品信息,基本包裹所需产品的型号 品种 要求.以便卖家了解到足够信息提供货源. 

太阳能硅片切割液废砂浆（以下简称废砂浆）是硅片切割的必然产物，废砂浆是多种物质组成的混合物，其组成为：聚乙二醇35%；碳化硅微粉33%；单晶硅微粉9%；水5%和组成切割液的其它物质15%；有机胶粒；二氧化硅； 金属 及 金属 离子；破碎的碳化硅微粉（色素和有机胶粒以及 金属 及 金属 离子和破碎的碳化硅微粉3%）。其中最有价值也是最难回收的是单晶硅微粉。一、废砂浆中单晶硅微粉的产生集成电路用基板、太阳能电池用基板的薄片状产品的切割制备，采用多线切割原理，用钢丝带动由碳化硅磨料构成的砂浆对高纯度的单晶硅或多晶硅棒进行切割。在切割硅棒为硅片的同时也产生了一定量的硅屑，随着切割过程的进行，混入切割液中的硅屑越来越多，最终使砂浆的切割性能降低，导致获得的硅片精度恶化，硅屑的产生不仅影响了切割液的使用，还使硅棒的使用率下降。作为战略资源，在我国高纯度硅的95%需要进口，其主要原因是我国还无法规模化将工业硅加工成高纯度的多晶硅。而废的切割砂浆里面混有8～9%（重量）的高纯硅粉料，在硅棒切割加工过程中高纯硅棒的切割损失率高达40%（重量），这也是硅片成本高居不下的原因之一。二、废砂浆中各组分的价值1、每吨废砂浆中含有8%～9%（重量）的高纯硅，也就是含有80～90公斤的单晶硅，目前单晶硅 市场价格 为50万元/吨，因此，废砂浆中的单晶硅价值为4万～4.5万元。2、每吨废砂浆中含有35%的聚乙二醇，也就是含有350公斤的聚乙二醇，目前 市场 价为1.3万元/吨,因此,废砂浆中聚乙二醇的价值为0.4550万元。3、每吨废砂浆中含有33%的碳化硅微粉，即330公斤的碳化硅，目前碳化硅的 市场 价为1.5万元/吨,因此,废砂浆中的碳化硅价值为0.4950元/吨。可以看出,废砂浆中各物质的价值以单晶硅为最大。三、废砂浆中单晶硅回收的重要性从单晶硅的产生和价值分析可以看出, 回收废砂浆中的单晶硅意义非凡。1、将切割砂浆中的高纯硅粉提取出来，进一步用于制备单晶硅或多晶硅的原料，对于资源的有效利用将是一个重要贡献，还可以解决高纯度硅的资源短缺问题。2、降低了硅片的成本。3、为废砂浆的回收指明了方向。    

中华人民共和国国家标准 GB/T 10117— 2009 替代GB/T 10117—1988 高纯锑 High purity antimonium 本标准替代GB/T 10117-1988(高纯锑》. 本标准与GB/T 10117-1988比较，首要有如下变化: —添加了“规范性引证文件”; —化学成分添加“杂质总量含量”一栏，并对杂质的含量做了一些调整，首要是金、镉、铅的技能参数; —在“查验规矩”中添加“每批产品的分量一般应不大于100 kg"; —在“产品交给”中添加“外用塑料薄膜密封”; —将原标准中“产品的化学成分的分析办法按供方现行办法进行;裁定分析按供需两边认可的办法进行”改为“产品的化学成分分析按YS/T 35.1~35.4高纯锑化学分析办法进行”; —对原标准中“在收到产品之日起三个月内向供方提出”中三个月的时刻做了修正; —将原标准中“化学成分查验不合格时，应取双倍数量的试样进行复验.如其中有一个试样成果仍不契合本标准的要求，则断定该批产品为不合格品。”改为“化学成分查验不合格时，则断定该批产品为不合格品。”。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技能委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技能委员会材料分技能委员会归口。 本标准担任起草单位:峨嵋半导体材料厂。 本标准首要起草人:王炎、蒋蓉， 木标准所替代标准的每次版别发布状况为: -GB/T 10117—1988. 高纯锑 1 规模 本标准规矩了高纯锑的要求、实验办法、查验规矩及标志、包装、运送、储存和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以工业锑为质料，经氯化、精馏、复原、蒸馏等而制得的纯度不小于99. 999%的以及不小于99. 999 9%的高纯锑。产品用于制备Ⅲ-V族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。 2 规范性引证文件 下列文件中的条款经过本标准的引证而成为本标准的条款。但凡注日期的引证文件，其随后一切的修正单(不包含订正的内容)或修订版均不适用于本标准，但是，鼓舞依据本标准达成协议的各方研讨是否可运用这些文件的最新版别。但凡不注日期的引证文件，其最新版别适用于本标准. YS/T 35(一切部分) 高纯锑化学分析办法 3 技能要求 3.1 产品分类 高纯锑按纯度分为Sb-05, Sb-06两个牌号。 3.2化学成分 各牌号的化学成分的质量分数应契合表1规矩: 表1牌号Sb-05Sb-06Sb含量/%，不小于99.99999.9999杂质含量总量/(×10-6)，不大于1O1杂质含量/(×10-6)，不大于Ag0.050.01Au0.10.03Cd0.50.01Cu0.050.01Fe0.50.05Mg0.20.05Ni0.20.05Pb0.30.03Zn0.50.05Mn0.050.01As1.50.3S0.50.1Si1.00.1Bi0.20.023.3 外观质量 产品呈银白色，块状，结晶细密，无氧化色斑。 3.4 其他 需方如有特殊要求时，由供需两边洽谈处理。 4 实验办法 4.1 产品的化学成分分析按YS/T 35的规矩进行. 4.2 产品外观用目视查看。 5 查验规矩 5.1 查看和查验 5.1.1 产品由供方的技能监督部分进行查验，确保产品契合本标准的要求，并填写质量证明书。 5.1.2 需方可对收到的产品进行查验，如检测成果与本标准规矩不符时，在收到产品之日起两个月内向供方提出，两边洽谈处理。 5.2 组批 产品应成批提交查验。每批由同一生产工艺、同一牌号的产品组成。每批产品的分量一般应不大于100kg, 5.3 取样 裁定取样办法:在每批产品中恣意取1瓶~3瓶，每瓶取5 g-10 g。所取试样研磨成粉末，混合均匀。 5.4 查验成果的断定 化学成分和外观质量查验不合格时，则断定该批产品为不合格。 6 标志、包装、运送、储存 6.1 包装 6.1.1 产品用洁净聚乙烯塑料瓶包装，每瓶毛重为500 g,1 000 g,2 000g三种规格，外用塑料薄膜密封。或按两边认可的包装规格和包装方法封装。 6. 1.2 产品封装后装人木箱，箱内用泡沫塑料等软物塞紧，防止窜动。 6.2 标识 6.2.1 每瓶产品应外贴标签.并注明: a) 产品称号; b) 牌号; C) 纯度， d) 批号; e) 产品毛重， f) 出厂日期; g) 方印记。 6.2.2 包装箱外应有“防潮”、“轻放”等字样或有关运送专用标志，并注明: a) 供方称号; b) 需方称号; c) 产品称号; d) 件数; e) 出厂日期。 6.3 储存 本产品应储存于清洁、枯燥，无酸、碱性气氛的环境中。产品有效期为两年。 6 .4 运送 本产品在运送过程中应轻拿轻放，不得剧烈磕碰，留意防潮。 6.5 阐明事项 本产品为高纯度物质，启封和运用应在洁净的环境中进行，以防止沾污产品，影响运用。 6.6 质量证明书 每批产品应附有质量证明书，标明: a) 合同号; b) 产品称号及牌号; c) 批号; d) 毛重; e) 分析查验成果; f) 技能监督部分印记; g) 本标准编号; h) 出厂日期。 7 订货单(或合同)内容 本标准所列产品的订货单(或合同)，应至少包含以下内容: a) 产品称号; b) 牌号; c) 分量; d) 本标准编号; e) 其他.

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。

多晶硅论坛,就是一种对于多晶硅的信息交流平台。对于多晶硅生产制造使用等技术的交流进步有着重要的作用。论坛是Internet上的一种电子信息服务系统。它提供一块公共电子白板，每个用户都可以在上面书写，可发布信息或提出看法。它是一种交互性强，内容丰富而即使的Internet电子信息服务系统。用户在BBS站点上可以获得各种信息服务，发布信息，进行讨论，聊天等等。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。想要了解更多多晶硅论坛的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

        有机硅 多晶硅的区别？由于有机硅独特的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质，并具有耐高低、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性，广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、化工、纺织、食品、轻工、医疗等 行业 ，其中有机硅主要应用于密封、粘合、润滑、涂层、表面活性、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。随着有机硅数量和品种的持续增长，应用领域不断拓宽，形成化工新材料界独树一帜的重要产品体系，许多品种是其他化学品无法替代而又必不可少的。    多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。　　在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。