铜材分析仪纳米钨铜复合材料的成形工艺和应用  鉴于钨铜的互补相容性，粉末颗粒粒径越小，则铜材分析仪越容易致密。因而对于传统成形工艺来说，纳米钨同粉粉末较常规钨铜粉末易于致密。这里介绍几新型成形工艺。1 注射成形： 有色金属 分析仪采用注射成形可以在很大程度上克服普通熔渗法生产W-Cu复合材料的局限性。该方法是首先采用注射成形生产近净成形钨坯，然后熔渗铜。铜含量分别为10%、15%、20%（质量分数）的W-Cu超细纳米粉末的注射成形， 金属 成分分析仪注射成形的坯料经熔渗烧结后，可获得致密。细晶的W-Cu复合材料。由W-30Cu纳米复合粉末“T”型式样的注射成型参数，可得到表面质量好、形状规整坯块，坯块经直接烧结和后可得到相对密度高于96%的W-Cu复合材料。2 冷等静压成形：在冷等静压成形法中，铜合金材料分析仪样品密封在软包套中，并被加压液体所包围；3 热等静压成形：热等静压可明显提高钨铜复合材料的密度和相应的性能。对汉铜大于30% 质量分数的钨铜材料热等静压处理后，铜合金元素分析仪其相对密度从95%~96%提高到99%以上；含铜20%质量分数的钨铜材料密度从97%左右提高到99%左右。由于密度的提高的特点，要采取球磨、真空烧结的工艺。利用实验纳米粉连续生产装置进行生产纳米铜粉。然后将制备的铜粉和购买的钨粉进行球磨，球磨不仅起到混粉均匀的作用，还可以使混合粉末进一步细化，最后于真空炉中烧结。与很多新型材料一样，钨铜合金分析仪器因具有一些优异性能而受到了人们的重视。然而，在常规熔渗、烧结条件下。钨铜复合材料受到两种 金属 间互不溶性及低浸润性的影响，其致密化程度、组织结构分布。成分及形状、尺寸控制都难以达到理想状态。随着现代科学技术的发展，各种新型制备技术的引入，尤其是纳米材料的发展，会使W-Cu复合材料具有更高的致密度及优异的综合性性能，同时也让W-Cu 复合材料进入更广阔的应用领域。  更多有关铜材分析仪信息请详见于上海 有色 网

  铜合金分析仪是用于铜合金及其合金材料中硅、铜、铁、镁、钛、锰、铬、镍、锌、铜、锡、铅等元素分析的三通道光电分析仪。  这一仪器在国内先进技术基础上，首次采用了“智能动态跟踪”和“标准曲线的非线性回归”等先进技术，使传统的仪的日常调整和标样曲线的建立方法起了根本性的变化。现已大量地应用在冶金、机械、化工等三班倒连续作业以及杂技上对固定的场合，如炉前、成品来料化验等。微机控制，自动建立标准曲线及自动判断曲线优劣，自动显示并打印检测结果，每个通道可贮存3条曲线，一共可贮存9条工作曲线，正常情况可检测九种元素。一、铜合金分析仪主要技术参数：　1、分析方法：光电比色分析法 　　2、测量精度：符合GB223-88标准★测量范围：(以Mn、P、Si、稀土、Mg为例)Mn：0.01～20.50%P：0.0005～1.000%Si：0.01～6.00%　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ΣRE：0.010～0.50%Mg：0.010～0.20%　　二、铜合金分析仪主要特点：　1、铜合金分析仪可分析铜合金中：铁、铬、锰、硅、锌、锡、铅等元素。2、采用微机控制即数据处理，可储存12条曲线，并可进行曲线修正，具有断电数据保护等功能。测量结果数显直读，自动打印。

贵 金属 分析仪是分析贵 金属 成分组成的精密仪器，常用的有化学有损分析仪器和物理无损分析仪器。鉴于贵 金属 本身 价格 昂贵，不能轻易破坏其外形，故化学有损检测仪在珠宝 行业 不被经常使用。而快速、无损、精确的无损检测仪，广泛应用于珠宝首饰检测 行业 。贵 金属 无损分析仪，包括两种类型的仪器，一种是根据 金属 密度来粗略估算贵 金属 纯度的水比重分析仪，另外一种是利用荧光光谱来分析纯度的光谱分析仪。由于比重仪精度低，而自然界与贵 金属 密度相接近的 金属 很多，所以，当今的珠宝界，水比重分析仪基本遭到了 市场 的摒弃。在此，重点介绍光谱贵 金属 分析仪. 光谱贵 金属 分析仪享有无损、快速、精确等特点，被广泛用于首饰生产、加工、销售、质检等部门。随着贵 金属行业 的蓬勃发展，贵 金属 的业务日益增加，给贵 金属行业 带来效益的同时我们对产品的工艺，含量的控制越来越需要高效和准确。近年来由于加工工艺不断提高，各种贵 金属 在 市场 上流通的越来越多。 　　光谱贵 金属 检测仪特点如下： 　　无损检测：被测 金属 无论外观、内在质量还是重量都不受任何损害 　　贵 金属 分析仪测量范围宽：各类黄金、白金及其他贵 金属 合金都可测量 　　贵 金属 分析仪测量速度快：根据测量要求，在几秒到几分钟内可以得出测量结果 　　贵 金属 分析仪测量进度高：测量误差是±0.1% 　　贵 金属 分析仪提供谱线重叠比较工具，便于用户查明未知元素谱峰提供密度法复核软件，可对本机测定结果进行复核想要了解更多关于贵 金属 分析仪的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

硅锰磷分析仪硅锰磷分析仪具有国内领先水平自动分析仪，由上海科果仪器有限公司自主研发生产，能在90秒内（不包括溶样时间）完成钢、铁、合金钢、合金铸铁、不锈钢、 有色金属 等材料中Si、Mn、P、Cr、Mo、Cu、Ni、Re、Mg、Ti等元素中任意1～3个元素质量分数的同时测定。硅锰磷分析仪主要特点： 　　国内首创、独家专有;采用品牌电脑控制程序，硬件高度集成化，操作人性化，使用简单方便;软件功能齐全，全中文操作;零点满度自动跟踪，工作曲线自动旋转，k、b、R、C等参数自动显示并可修改;工作曲线可自动和手工建立，并且可直观显示，方便查看及修改;室温显色,显色液稳定，室温小于15℃，仪器内的恒温装置自动工作,从而保持仪器内的温度在15～40℃之间，显色液无需直接加热;试剂用量少，分析成本低;试剂定量加液器等计量器元件结构合理，采用标准模具生产，计量精度高;试剂分液均自动加入，分液精度高;测量范围广，采用高精度A/D卡进行数据处理，同时采用多种数据模型供选择进行线性和非线性数据处理，确保高、中、低各区域曲线建立和数据处理 ;测试材料种类多，采用经典的化学方法，可以测定高、中、低合金钢、比锈钢、普碳钢、高锰钢、生铁、球墨铸铁、高、中、低合金铸铁及 有色金属 ;每个元素通道可建立无数条工作曲线,可任意贮存和使用;百分含量电脑数显，并可打印，软件具有大容量数据库，原始实验数据可永久保存;仪器荣获多项国家专利保护;试剂在全封闭管道内运行，无有害气体，无污染;只要一个母液，1-3个元素即可同时分析 .仪器介绍硅锰磷分析仪根据不同的化学工艺可快速、准确测定钢铁、铜合金、铝合金等不同材质中的硅、锰、磷、镍、铬、钼、铜、钒、钛、稀土总量、镁、铁、锌、铅、铝等元素。（任选三个元素）测量范/围可根据用户需求而定。该仪器T/A转换精度高，设有灵.主要技术指标：测量范围：Si:0.10%～6.00% Mn:0.05%～25.00%P:0.005%～1.00% Cr:0.10%～25.00%Mo:0.10%～5.00% Ni:0.10%～20.00%Cu:0.05%～1.00% Ti:0.01%～6.00%　 Re:0.01%～0.10% Mg:0.01%～0.10%分析方法：光电比色法（机外溶样）分析时间：90秒左右（不包括溶样时间）数据显示及输入方式：电脑数显，打印机打印测试数据分析精度：符合国家标准数据处理摸式：一点法、多点法曲线贮存：每个元素通道可贮存无数条工作曲线电源：220V±10% 50Hz±2%更多硅锰磷分析仪请详见于上海 有色 网 

丈量规模    1-1　丈量元素及规模　 SiO2　0.2-99% 　　Al2O3　0.2-99%　 Fe2O3 0.1-15% 　　TiO2 　0.1-15%　 CaO　 0.1-60% 　　MgO　　0.1-40%　　 K2O　 0.1-15% 　　Na2O 　0.1-15%　　 Li2O　0.1-15%　 　ZrO2　 0.1-99%　 CoO　 0.1-10%　 　P2O5　 0.1-30%　 B2O3 　0.1-30%　　SnO　　0.1-99%　 PbO 　0.1-20%　 　ZnO　　0.1-15%　 BaO　 0.1-10%　 　NiO　　0.1-15%　 MnO　 0.1-15% 　　Cr2O3　0.1-15%        1-2　对下列化工原料主成份进行快速分析    铬盐产品、V2O5产品、MnO产品、NiO产品、钛、磷酸盐、氧化钴、氧化锌　、硼砂、碳酸、水玻璃、腐植酸钠    1-3　低含量组份的高精度分析　　可将Fe2O3、TiO2、CaO、MgO、K2O、Na2O、P2O5、MnO、Cr2O3等元素的检测下限扩展到0.02%，分析精度优于0.02%。    2、分析精度    对各元素的分析精度到达或优于相关国家标准分析办法中规则的答应差错。    3、分析速度　　自称量开端2－3小时完结SiO2、CaO　Al2O3、Fe2O3、TiO2、MgO、K2O、Na2O的全分析，其它元素的分析4-6小时完结    4、进样通道：　3个    5、连测样品数：10个    仪器成套性    1　DHF81型主机　　 壹台    2　数据处理系统　 　壹套    3　火焰光度计　　 　壹套    4　银坩埚　　　　 　肆套    5　超声波清洗器　 　壹台    仪器工作条件    1　电源　　　 220V　50Hz　　    2　整机功率 　1Kw　　　　　　    3　整机分量　　100kg　　　　      4　装置面积 3500×850mm

元素检测仪跟着科技不断的前进，现已走入很多职业范畴，被我们所知道而且把这些优势运用到实践工作中，可是关于铝合金分析仪除了专业的人之外。大多数的人群是很难触摸这些仪器，更甭说了解深化，那么铝合金分析仪到底有哪些不一样的当地，被广泛运用于工业上、日子中。　　　　特色一：规划简略　　　　此类分析仪都是手持式，体积较小:245*250*88mm，体重轻：1.6kg，这些让运用者用起来非常便利，外观简略一体化组成零件有嘴、手柄、铝金属外壳，运用电池作为电源，如此，在室外运用仪器不怕呈现断电或许无法衔接电源状况呈现。　　　　特色二：检测铝合金元素　　　　这应该是铝合金分析仪被广泛运用的最主要的要素，不过很多人都认为铝合金成功分析仪只能检测铝元素。其实不然不仅能检测铝、还能检测钢、铁、磷、硫、坞、锰等元素，检测速度快，无线传输数据，检测精度高让这款仪器成为国内受欢迎的仪器之一。　　　　其实，铝合金分析仪的特色不止这一两点，具有的这些长处使得这款仪器成为很多职业范畴不可或缺的一大分析仪器。

全能精密材料元素分析仪 光电比色元素分析仪是我国在上世纪60年代适应钢铁冶金五大元素（碳、硫、硅、锰、磷）的现场在线检测分析的需要而发展起来的。当时检测碳、硫采用碳硫分析仪，检测硅、锰、磷研制了元素分析仪（当时叫三元素，三个通道分别预设固定波长检测硅、锰、磷），由于硅、锰、磷检测要求的波长不多，精度要求不高，因此，三元素分析仪较好的满足了钢铁冶金行业现场在线分析元素含量的需要。但现在，各行业需要检测的材料除了钢铁，还有铜合金、铝合金、锌合金，检测的元素也从硅、锰、磷发展到铜、铬、镍、锌、镁、钨、钒、铌、钛、钼、铝、砷、锆、硼、稀土元素等多种元素，传统光电比色元素分析仪普遍存在的以下缺陷，就日益严重的体现出来： 1.测量波长为预设固定，不能连续可调，虽说有些机型可以更换（通过更换滤光片或发光二极管），但对于用户来说仍嫌繁琐，遇到测量超出仪器通道数的元素种类或要检测不同合金材料时，尤其不方便。而且不是所有波长的滤光片和LED可以采购到，使得某些特定元素的测量遇到困难，如镁元素的测量需要576nm的光源，而这样波长的滤光片和LED都无法得到。 2.测量光源大多为直流灯泡加滤光片或冷光源发光二极管，其波长准确度较差。直流灯泡加滤光片方式其波长精度取决于滤光片，元素分析仪大多应用的滤光片，效果较好的也只能达到±15nm。采用发光二极管的波长准确度取决于使用的二极管，大多误差范围在20～30nm,无法保证分析检测的精度。 新材料和新技术的应用，要求各行业的元素分析的种类更多，要求更高，面对传统元素分析仪的固有缺陷和市场压力，不少厂家采取以下应对措施： 1.增加仪器分析通道数，即增加预设的固定波长数，从而增加可以检测的元素数量； 2.针对预定的不同用途，预设不同的固定波长，从而形成分别检测不同材料和不同元素的不同型号元素分析仪。 但上述方法都是治标不治本，一来不是所有需要的波长都可以实现，二来波长精度不高的问题还是没有解决，因此仍然无法从根本上解决传统元素分析仪的先天性缺陷。 根据以上状况，解决问题的根本方向是必须消除元素分析仪的先天性缺陷：即改变传统元素分析仪光源波长固定预设不可调和精度不高的根源，研发新的光源的实现形式，确定研制开发实现光源波长连续可调和高精度波长的新光源系统，这就形成了本项目的立项、研发。 QL－BS1000全能精密材料元素分析仪，在目前广泛使用的光电比色仪的基础上，在国内首创实现元素分析仪产品测量光源的波长连续可调、波长准确度大幅提高，并保持操作方便、曲线建立修改功能齐全的特点，从根本上解决了光电比色元素分析仪波长不能连续可调，准确度不高的问题，从而提高了仪器的应用范围和分析结果的准确性，可以配合用户对不同材料的多种元素的光度分析方法，任意选择需要的光源波长，因此可以广泛用于对钢铁、铜铝及其合金等各种黑色和有色金属、非金属材料中的硅、锰、磷、镍、铬、铜等多种元素的含量分析，一台仪器就可以更好的满足冶金、铸造、机械、化工等行业在炉前、成品、来料化验等方面对各种材料多元素分析的需要。   南京麒麟分析仪器有限公司 2010年10月14日

对于客车制造商来讲，除选择节油零部件外，如何减轻车辆本身的重量从而降低油耗也是他们所必须面临的问题。相比传统车身材料，铝合金分析仪器对汽车合金材质的应用可以使车身朝着轻量化方向发展。　　　　铝合金材料好处多　　　　说到铝合金材料的客车，就不得不提起宇通与美铝联合推出的国内首款靠前台铝制公交客车ZK6126HGE，借助奥运东风惊艳亮相。据介绍，ZK6126HGE车身大片的连接采用了焊接和铆接相结合的方式，大大提高了车身的平整度和美观度。由于采用美铝全铝框架设计和硬合金技术使ZK6126HGE整车减重达到25％以上，远远超过自重降低15％的预期。这款12米城市公交客车上实现了减重超过1400公斤，也就是使车辆空载状态下重量降低约11.6%。其中车身的减重效果十分明显，与传统钢制客车车身相比车身可减重46%。　　　　不仅如此，使用铝合金材料的客车在安全性能上有着更大的优势，高强度的加工工艺，能达到很轻但弹性非常之好的效果，从而也就越安全。　　　　随着燃油税的征收、邮件不断上涨，铝合金材料客车由于重量较轻，整个运营周期就可节约燃油38250升。客车的运营周期按8年计算，如果按照0号柴油每升6元的价格，全铝车身客车样车在整个运营周期内可比普通客车省下约23万元的油钱。　　　　锻造铝合金轮毂悄然流行　　　　纵然全铝车身有这巨大优势，然而在现行的条件下产业化，显然还有很长一段路要走。因此在车辆局部利用铝合金材质成为了较好的选择，锻造铝合金轮毂已得到业界的广泛认可，在北京、上海、广州等地都有指标性车队及长途大巴使用。　　　　技术、成本成障碍　　　　尽管全铝客车在轻量化上有着巨大的优势，但也有分析人士认为：“全铝车身的生产成本将比普通客车上升40%～50%，即便全铝客车在使用和回收利用方面优于传统客车，但全铝车身客车30万美元销售价格仍然会高于整个运营期间所省下的油费。　　　　速霸路锻造铝合金轮毂　　　　铝合金轮毂在23-24公斤，整车重量减轻160多公斤，由于合金轮毂的散热传到性能优于钢制轮胎，使用寿命可以得到较大幅度的提升，单胎每毫米较高可以提升30%。铝合金轮毂的变形量较钢制非常的小，意味着车辆在起步状态下轮胎始终保持较好的圆度，减少了因轮毂变形造成的椭圆度阻力，有效减少发动机功率的损失达到降低油耗的目的。

ZC-BS4A电脑铁矿石元素分析仪1、主要技术参数： ◇ 分析方法：光电比色分析法  ◇ 电源电压：220V±10% 50Hz ,  耗电量：≤50W ◇ 测量范围：TFe: 0.05~5.00%  ;   　 5.00%~68.00%               Si: 0.03~3.00%  ; 　　3.00%~18.00%               P: 0.001~0.350  ;       Ti: 0.05%~7.00%    Al: 0.08~5.00% ◇ 测量精度：符合GB/T223.3～5--88标准 2、主要特点： ◇ 采用品牌电脑微机控制，台式打印机打印检测结果； ◇ 测试软件功能齐全，能完全替代传统化验室的各项手工书写工作； ◇ 并可根据各单位实际需求，任意设置检测报告格式； ◇ 检测功能庞大，具备检测108个元素的通道空间，储存n 条曲线； ◇ 本仪器可检测矿石、沪渣、有色金属、黑色金属等材料中的品位、硅、锰、磷、铬、镍、铜、稀土、镁、钛、铅、铝等元素含量。 ◇ 可检测铁精粉，矿石和烧结球中品位、SiO2、P 、Ti等元素含量.

稀土分析仪器(1) 分析速度快 一分钟分析最快扫描20个元素以上(2) 扫描范围： 扫描范围180~500nm、方式为正弦杆，由计算机控制的脉冲马达驱动，最小扫描步距0.0005nm(3) 波长示值误差和重复性：波长示值误差：± 0.03nm    重复性<= 0.005nm(4) 相关系数 >0.9998(5) 精密度：高 相对标准偏差   RSD<1.5(6) 稳定性： 相对标准偏差      RSD<2.0(7) 测量范围： 超微量到常量(8) 检出限低 ppb（ug/L）级(部分元素检出限见附录一)(9) 分析元素多 可对72种 金属 元素和部分非 金属 元素（如B、P、Si、Se、Te）进行定量或定性分析(10) 测量方式 单、多元素顺序测量(11) 功率 800W-1200W 可调(12) 操作便捷 全新WindowsXP下运行的第三代多窗口升级中文或英文分析软件速度更快，功能更全,多窗口多任务同时执行(国内独此一家)射频发生器（RF）（1） 电路类型：电感反馈自激式振荡电路、同轴电缆输出、匹配调谐、取功率 反馈信号，进行闭环自动控制。（2） 工作频率：40.68MHz ± 0.05（3） 频率稳定性：<0.1（4） 输出功率：800-1200W（5） 输出功率稳定性：&0.3（6） 电磁场泄漏射强度：距机身20cm 电场强度E：＜2 V / m进样装置（1） 输出工作线圈内径 25mm 、3匝（2） 炬管：三同心型，外径 20mm的石英炬管（3） 同轴型喷雾器外径 6mm（4） 双筒型雾室外径 34mm（5） 观测位置 纵向观察高低和横向观察前后，可通过软件直观地调为最佳（6） 氩气流量计规格和载气压力表规格： 1等离子气流量计 (100－1000)L/h  (1.6－16L/min)  电磁阀控制2辅助气流量计 (10－100)L/h  (0.16－1.66L/min)3载气流量计 (10－100)L/h  (0.16－1.66L/min)       电磁阀?控制?4载气稳压阀 (0－0.4Mpa)L/h5冷却水 水温：15－25℃ 流量＞5L/min 水压＞0.1Mpa 冷却水：电阻率＞1MOmega分光器（1） 光路： Czerny－Turner（2） 焦距： 1000mm（3） 光栅规格：离子刻蚀全息光栅；刻线密度3600线/mm, 刻线面积：80×110mm  (可选用刻线密度2400线/mm, 刻线面积：80×110mm)（4） 线色散率倒数： 0.26nm（5） 分辨率： <0.008nm（全部波段）（6） 扫描波长范围： 3600线/mm扫描波长范围：180nm-500nm                                         2400线/mm扫描波长范围：180nm-800nm（7） 步进电机驱动最小步距： 0.0005nm（8） 出射、入射狭缝：20um 、25um（9） 反射镜规格： （78×105×16）mm（10）透镜     1:1成像（11）反射镜规格 凹型（12）分光器恒温装置： 26℃±1℃ 测光装置（1） 光电倍增管规格： R212UH或R928（2） 光电倍增管负高压：200-1000V 自动调节 稳定性＜0.05（3） 光电倍增管电流测量范围: 10-4~10-9A（4） 信号采集为V/F交换: 1mV对应100Hz（5） 采样电路使用国外高精密度运算放大器，使仪器的灵敏度和精确度大大提高（6） 仪器数据采集是通过串口与电脑连接，从而简化了电路使连接更加便捷（7） 测光方式 单、多元素顺序测量 仪器操作软件要求（1）操作系统 Windows XP 操作平台（2）测定波长数  任意选择（3）数据库 谱线库11万条以上（4）多窗口 在测量完一次结果后可以在显示窗口保留上次结果同时、测量下一样品（5）有标准加入法 软件要有标准加入法，以便在不同条件和应用中下使用（6）分析模式 软件默认最佳分析模式，拥有仪器诊断、谱图分析及几种测量方式和几种积分模式，单位任选等多种功能（7）历史数据库 在历史数据库中，可以同时可选择性地打印想要打印的批次分析结果（8）输出数据要求 软件支持激光打印机打印分析结果 主要特点HK－2000 采用优良的光学系统，先进的电子控制系统，保证了定位准确，信背比高确保仪器的精确度和灵敏度。关键部件采用进口元器件 确保仪器的精确度和灵敏度.测量范围： 超微量到常量的分析.重复性：     相对标准偏差RSD<1.5稳定性：     相对标准偏差RSD<2.0分析速度快： 扫描速度最快达20个元素/min分析元素多： 可对72种 金属 元素和部分非 金属 元素（P、B、Si、Se、Te）定性和定量分析.检出限低 ： 一般在ug/L(ppb)级. (1ug/ml Pb标准溶液性背比&ge5倍 )测量线性范围： （相关系数>0.9998）便捷的分析软件：基于WindowsXP平台下的第三代多窗口快速中文或英文操作软件人性化设计 ： 根据多年生产经验和多方面采纳用户建议方便操作智能恒温系统：为适用于不同季节不同地理条件等气候影响，增加了智能恒 温系统更多有关稀土分析仪器的内容请查阅上海 有色 网

铝线功率要视不同型号和规格的铝线而定。10平方的铝线明装的载流量：57A。假如穿钢管敷设电流还要小１０Ａ到１５Ａ之间。根据公式：P= U×I代入式：57A×220V=12KW如在380的电路中：57A×380V=21ＫＷ4平方铝线最大负荷32A的电流,负荷7000w。纯的铝很软，强度不大，有着良好的延展性，可拉成细丝和轧成箔片，大量用于制造电线、电缆、无线电工业以及包装业。它的导电能力约为铜的三分之二，但由于其密度仅为铜的三分之一，因而，将等质量和等长度的铝线和铜线相比，铝的导电能力约为铜的二倍，且 价格 较铜低，所以，野外高压线多由铝做成，节约了大量成本，缓解了铜材的紧张。所以选购铝线是要了解自己的需求，想要了解更多资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ）

铜线一平方毫米带的功率：按最经济电流密度取电流值为一平方毫米2.5安(A)，取这个可长期运行，它对线的老化、电的线损综合计算为最经济。单相每千瓦约4.55A，三相每千瓦约1.9A。如果你短时用（单线分开），线不长，通风好，不计线损和线的寿命可用到10A。  一般铜线安全计算方法是：2.5平方毫米铜电源线的安全载流量－－28A。4平方毫米铜电源线的安全载流量－－35A 。6平方毫米铜电源线的安全载流量－－48A 。10平方毫米铜电源线的安全载流量－－65A。16平方毫米铜电源线的安全载流量－－91A 。25平方毫米铜电源线的安全载流量－－120A。  一平方毫米的铜线,BV导线型明配最大允许电流为19安培，在220V电压下最大可承受4180W的用电器、BX型导线明配最大允许电流为21安培，在220V电压下最大可承受4620W的用电器。关于铜线功率的信息请查询上海 有色 网。 

南京同普分析仪器制造有限公司坐落在南京市高淳技术开发区内，是国内著名的分析仪器专业厂家，公司集研发、制造、销售、服务为一体，是江苏省计量器具生产制造的定点企业。 2008_01/temp_08011017128268.jpg"> 　　近年来，同普公司先后推出了几十种测量碳、硫、硅、锰、磷、铜、镍、铬、钼、稀土、镁、钛、锌、铅、铝、铁等元素的高速分析仪器，测量范围广，精度高，速度快，性能稳定，操作简便。以下同普公司提供是TP系列智能不锈钢分析仪器的主要技术参数：　　1、 测量范围：（以C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni等常见元素为例） C：0.010～6.000%  S：0.0030～2.000% Mn：0.010～20.500% P：0.0005～1.0000% Si：0.010～18.000%  Cr：0.010～38.000% Ni：0.010～48.000% Mo：0.010～7.00% ΣRE：0.0100～0.500% Mg：0.0100～0.800% Cu：0.010～85.000% Ti：0.010～5.000% 如改变测试条件，该范围可相应扩大。 　　 2、 测量精度：符合GB223.3～5-1988、GB223.68～69-1997等标准。 3、主要特点：   微机控制、自动化程度高。    元素含量数显直读。　　同普公司的分析仪器广泛应用于钢铁、冶金、机械、铸造、建筑、化工、交通、矿业等行业及质量监督部门和产品质检所、大专院校、科研院所。凭借着精良的检测手段，先进的生产工艺，完善的质保体系，深受用户好评。(南京同普分析仪器制造有限公司提供资料)

HJ－BS4A电脑元素分析仪： 1、主要技术参数： ◇分析方法：光电比色分析法◇电源电压 ：220V±10% 50HZ, 耗电量：≤50W  ◇量程范围：吸光度值0-1.999A, 浓度值 0-99.99% ◇测量精度：符合GB223.3～5--88标准 2、主要特点： ◇采用品牌电脑微机控制，台式打印机打印检测结果； ◇测试软件功能齐全，能完全替代传统化验室的各项手工书写工作； ◇并可根据各单位实际需求，任意设置检测报告格式； ◇检测功能庞大，具备检测108个元素的通道空间，储存n 条曲线；◇四个通道,每个通道可储存n 条曲线。 ◇用于分析铁精粉（矿石）中品位、SiO2、P、Mn等元素含量。 联系方式 ：025-57306358/13814155678

我国是能源消耗大国，石油、煤炭等能源资源稀少，太阳能利用技术的研究有十分重要的意义。而多晶硅片是太阳能电池的主要材料的一种型号。当前，衡量各种太阳能电池组件电性能的主要指标是在标准测试条件下的额定输出功率。  由于光照变化，太阳能电池组件的输出功率也在不断变化，因此，在实际使用时，仅以额定输出功率衡量太阳能电池组件的电性能，不能完全反映其实际发电效能。对用户来说，更关心的是在户外条件下太阳能电池组件每瓦在一段时间内的比额定功率发电量，包括这段时间内所有户外光照情况下的发电量总和，它能较好反映太阳能电池组件在应用中的实际发电能力。由于地球上的纬度不同，日照和气候条件差别很大，而太阳能电池对日照条件非常敏感，因此，在某一地点得出的实验结论，在其他地点是否相同，尚需进一步验证。为了便于比较分析，本文针对地处北纬22.16°、东经114.1°深圳地区的非晶硅和单、多晶硅太阳能电池组件的比额定 功率发电量进行模拟，并对其结果进行了分析。  介绍和比较了非晶硅和单、多晶硅太阳能电池组件的优缺点。针对它们在并网光伏发电系统中的应用，采用PVsyst 软件对各种太阳能电池组件的比功率发电量进行模拟。结果表明，非晶硅太阳能薄膜电池板的比功率发电量大于单、多晶硅的比功率发电量。PVsyst 软件中图分类号：TM914.4 文献标识码：A 文章编号：1007-3175(2010)04-0030-03 几种太阳能电池组件比功率发电量的模拟与比较 31 电工电气 (2010 No.4) 生产技术成熟，是光伏 市场 上的主导产品。国际公认最高效率在AM1.5( 即大气质量1.5) 条件下为 24%，空间用高质量的效率在AM0( 即大气质量为0，日- 地平均距离为一个天文单位时，太阳的总辐射度和光谱分布) 条件下为13.5% ～18%，地面用大量生产的在AM1 条件下多在11% ～18%。大晶粒多晶硅太阳能电池的转换效率最高达18.6%。多晶硅 太阳能电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致太阳能电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。随硅元件使用的多少以及纯度的改变，单件功率不确定，同样面积的板块功率可以变化。薄膜晶体硅太阳能电池能够大大降低晶硅用量，但目前还处于研发阶段，尚未工业化。晶体硅片太阳能电池的优点是可在单位面积上获得较高的发电功率和稳定的发电性能。如果其中一小部分被遮挡，会产生孤岛效应，但由于其强光发电的特性，只有保障与阳光的合理角度才能达到应有的光电转换率，因此必须考虑安装角度问题，这使得可安装的总面积和平面布局都受到限制。

铜合金检测仪主要技术指标：测试范围：0～1.999A吸光度值 0～99.99%浓度值测量精度：符合GB/T223.3～5—88标准主要性能特点：采用微机控制及数据处理，能储存15条工作曲线，并可进行曲线修 正，具有断电数据保护，自诊断功能，拓宽了仪器测量元素的种类；零点、满度均自动跟踪，无需人为精确调整； 采用触摸键盘，32键音响提示，多种快捷功能键，操作更为简便；可输入日期和炉号，结果数显直读百分含量，并可自动打印记录；用于钢铁及其合金（生铁、铸铁、球铁、铁合金、合金铸铁、普碳钢、高、中、低合金钢、不锈钢、铁合金等）及 有色金属 及其合金（铝合金、铜合金、锌合金、镁合金等）、矿石等材料中的碳、硫、锰、磷、硅、铜、镍、铬、钼、稀土、镁、钛、锌、钒、铅、铝、铁、钴等元素含量的定量分析。仪器设计合理，改变测试条件测量范围可相应扩大，采用机外溶样， 操作灵活，方便实用；采用冷光源，功耗小，数据稳定，使用寿命长，克服了灯泡光源不稳定的缺点

贵 金属 检测仪是一种利用能量散射型X射线荧光分析技术（XRF）的智能化无损检测仪器,能准确的检测出黄金、铂金、钯金、K金、K白金等饰品中各种元素含量.EXF系列贵 金属 检测仪采用多道分析器 ,同时应用解谱技术,以谱图形式为您精准而形象地呈现饰品中金、铂、钯、银、铑、铜、锌、镍等众多元素的含量及其比例。 　　贵 金属 检测仪其分析方法，是具有一定能量分辨率的X射线探测器同时探测样品所发出的各种能量特征X射线，探测器输出信号幅度与接收到的X射线能量成正比，利用能谱仪分析探测器输出信号的能量大小及强度，对样品进行定量，定性分析。贵 金属 检测仪主要优势如下： 　　●无损检测：被测 金属 无论外观、内在质量还是重量都不受任何损害；固体、粉末、液体及薄膜等多种样品皆可测试，且样品不破坏●测量范围宽：各类黄金、铂金、钯金、白银及其他贵 金属 合金都可测量 　　●测量速度快：根据测量要求，在几秒到几分钟内可以得出测量结果 　　X射线测金仪享有无损、快速、精确等特点，被广泛用于首饰生产、加工、销售、质检等部门。近年来我公司开发生产的各类X射线测金仪已远销国内外，获得普遍好评。 　　贵 金属 检测仪特点 　　无损检测：被测 金属 无论外观、内在质量还是重量都不受任何损害 　　测量范围宽：各类黄金、白金及其他贵 金属 合金都可测量 　　测量速度快：根据测量要求，在30秒到200秒内可以得出测量结果 　　测量进度高：测量误差对纯金在±0.1%， 　　提供谱线重叠比较工具，便于用户查明未知元素谱峰 　　提供密度法复核软件，可对本机测定结果进行复核 　　贵 金属 检测仪应用领域 ：1、首饰加工厂 2、金银珠宝首饰店3、贵 金属 冶炼厂 4、质量检验部门 5分析测试中心 6、典当行 　　贵 金属 检测仪特点 ：1. 快速 2. 无损 3. 直观 4. 操作简单 5. 快速区分真假贵 金属 。想要了解更多关于贵 金属 检测仪的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

铜合金检测仪在传统分析仪基础上采用了先进的“智能动态跟踪”及“标准曲线非线性回归”等技术，微机技术控制，自动建立标准曲线及自动判断曲线优劣，并自动判断检测误差，方便直观。自动显示并打印检测结果，每个通道可贮存5条曲线，一共可贮存15条工作曲线，原则上可检测十五种元素。可检测的元素有Mn、P、Si、Cr、Ni、Mo、Cu、Ti等。该仪器适合产品品种比较单一的实验室使用。主要技术参数★测量范围：以Mn、P、Si、稀土、Mg为例Mn：0.010～20.500% P：0.005～1.000% Si：0.010～6.000%ΣRE：0.010～0.500% Mg：0.010～0.200%（其它元素测定范围可垂询我公司）若改变测试条件，测量范围可相应扩大★测量精度：符合GB223.3-5-1988等标准★比色时间：2秒主要特点★包含TP-BS3A型分析仪的所有功能;★采用"智能动态跟踪"和"标准曲线非线性回归"等技术，直读含量，自动打印结果；★采用微机技术，计算机控制电路，操作简便；★自动跟踪检测，可永久储存15条标准曲线，不受断电影响，原则上可检测15种元素；标准曲线自动建立，自动判断检测误差，确保数据精确；★通用仪器接口，便于更新升级。

1 什么是碳化硅    碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。    硅（SI）和碳化硅（SIC）以及其它半导体材料在电气特性和物理特性上有很大不同（表一），但有众所周知的相似元素和结构组成。            表（一） 几种半导体材料性能比较   特性 材料 SIC（4H-） SI GaAs禁带宽度（ev） 3.3 1.12 1.43临界电场（10-6v/cm） 3.0 0.25 0.50热导率（w/cmk） 5.0 1.50 0.50Vsat(107 cm/s) 2.0 1.00 1.00     事实上，碳化硅不是一种新发现的材料。有些人甚至争论说它是所有半导体的曾祖父。关于碳化硅的第一份报告是来自于1842年瑞典人之手。碳化硅不象其它矿物质那样有其自身矿藏，它也不会在自然界中自然出现，而需要用精炼炉的冶炼技术控制工艺来实现。早期碳化硅仅是用於研磨和切割用的材料。上一个世纪碳化硅的发展极其缓慢而艰难。表二显示了SIC的发展主要经历。                           表（二） SIC材料发展史1905年 第一次在陨石中发现碳化硅1907年 第一只碳化硅发光二极管诞生1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SIC作为重要的电子材料1958年 在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法1987年～至今 以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基片     预计十年内（21世纪头十年）= 碳化硅器件会有突破性发展。无论是SIC单晶材料还是SIC器件制造工艺都有重大发展，碳化硅材料开始走向成熟。与硅材料一起共同作为当前和今后主要半导体材料，在有些器件领域起到不可替代的作用并占有恰当市场    碳化硅是原子的复合体而不是单晶体，主要差异和性能在于硅和碳原子的相对数目，以及原子排列的不同结构。碳化硅的物理特性取决于晶体的碳硅原子排列结构，最普通和典型的是6方晶系的结构，称之为6H、4H和3C碳化硅。[next]    SIC属于“宽禁带”半导体，物理特性与硅有很大不同。单晶碳化硅（SIC）比单晶硅（SI）具有很多优越的物理特性，例如（1）大约10倍的电场强度；（2）大约高3倍的热导率；（3）大约宽3倍禁带宽度；（4）大约高一倍的饱和漂移速度（见图1）。                                                       图1 单晶SIC和SI材料性能比较    理论上SIC器件的工作温度在500℃或更高温度，而硅器件是无法实现的。碳化硅的导热率超过铜的导热率，器件产生的热量会快速传递，这无疑对器件的通流性能提高非常有利。    SIC有很强的耐辐射性，作成的器件可以在核反应堆附近及太空中电子设备应用，较小的透射，高的电场强度以及高的饱和漂移迁移率有利于器件体积减少和复杂内部结构建立。    因此可以预见到不久将来，SIC材料和器件工艺的完善。部分SI领域被SIC来替代是指日可待的目标。    半导体材料发展的历史表明，“宽禁带”材料始终处在困难和进展缓慢的状态，如果要获得成功的快速发展，必须满足以下条件：    l 适用及高效的衬底材料    l 超大面积和高质量单晶体薄膜的生长    l 能有效和精确地控制N型区和P型区的掺杂    l 具有合适的有效的绝缘方法，例MIS器件    l 开发表面造型和腐蚀工艺    半导体材料开发成功与否的判据主要是做成器件的性能和适用程度。SIC器件用在功率变流装置领域和高温工作状态是十分理想的材料,。上个世纪末，SIC器件开发成绩显著，PN结器件最高电压4.5KV已经诞生，并取得成功应用的实践。已经显示SIC光控二极管的灵敏度比SI同类器件高4个数量级，另外电流特性可实现更高的功率密度。这对电力电子装置的体积、效率和性能都有显著的改进作用。还可以用于雷达、汽车、飞机、通讯等特殊要求的领域。随着SIC材料和器件工艺完善和成熟，在潜在领域真正实现其价值，而其它半导体是无法达到的环境条件，特别象太空的苛刻条件将为SIC器件优点提供一个绝好应用场合。因此无论如何 ，SIC是一种 “未来的材料”。[next]    2 理想的功率开关器件    电力半导体器件最主要特征是高电压,大功率,通态损耗小, 即功率半导体器件通态电阻小(通态压降小),开关速度(频率)快,开关损耗小.    无功率损耗的功率开关器件是不存在的,但近几年来出现了几种与此接近的器件,即与传统的功率半导体器件相比, 通态压降,开关损耗都非常小,几乎接近理想的半导体器件.    SI材料的MOSFET是一种驱动简单，开关频率和速度很快,功率损耗或称开关损耗很小的功率半导体器件,但至命缺点是电压不高 , 而且随电压升高 , 功耗迅速增加.IGBT是MOSFET的改进功率器件,同样具有MOSEFT器件驱动电路简单开关速度快的特点. 在20世纪80年代IGBT取代双极型结型晶体管, 耐压水平从几百伏很快上升到2KV以上的新型功率半导体器件.但高於2KV的功率装置系统,GTO或IGCT仍然牢牢的占领和控制着市场, 令IGBT望尘莫及. GTO、IGCT作为一种功率开关器件，具有高电压,大电流,能产生很高功率的一种器件, 但需 要用比MOSFET和IGBT更复杂和功率较大的控制电路来驱动.    电力电子线路设计工程师希望有一种器件象MOSFET一样简单易用,还能象IGCT 和 GTO 一样产生很大功率的器件. SIC的MOSFET 器件基本能实现上述要求.    由表（一）清楚地看出,SIC材料具有比SI材料更高的临界电场强度，;Emax (sic)的值大约是硅的10倍.因此同样设定PN结耐压,SIC器件所需衬底材料厚度将是SI器件的十分之一. PN结耐压与衬底材料厚度关系由图(2)三角形电场分布来描述，并由公式（1）计算最大阻断电压。                                                   图2 P+n-二极管阻断状态空间电场分布    Vb是PN耐压；Emax是击穿电场强度; W耗尽层宽度（图2）耗尽层宽度W主要由掺杂量决定的（见公式（2），低掺杂层提供了耗尽层的大部分     Nd是低掺杂浓度，ε是相对介电常数，ε0是真空电容率，V是外加电压，Vdo是内建电势。    低掺杂层提供较宽耗尽区（见图2）。SIC的击穿电场强度比SI大一个参数级，这意味有相同阻断电压的器件，为了增加更宽的耗尽层宽度，SI器件的掺杂浓度需低二个数量级，因此SI器件的有效基区宽度也近似为SIC的10倍。    以5KV耐压的整流二极管硅器件为例，根据方程式（1），耗尽层的宽度大约是350μm，方程式（2）计算出的相应掺杂浓度约2.5×1013cm-3 。而相同耐压的SIC器件高达8×1015cm-3 左右。虽然上述计算比较近似，但已明显显示出SIC器件的优点。    同样考虑5KV整流二极管，SI器件的少子寿命在10～100μs数量级，而SIC器件要求少子寿命比SI器件低1～2个数量级就足够了。 因为长的少子寿命不利于器件关断。    另外热稳定性能能确保器件高温正常工作。因为器件的所有功耗会产生热量。它只能由衬底耗散。为了保证允许的工作温度，必须配置大的冷却装置将热量耗散。由于SIC的高热导率和高温的热稳定性，与SI相比较，冷却装置明显缩小，整个系统也做的较小。    SIC的MOSEFT具有低的传导损耗    MOSEFT器件是一种性能良好的开关器件,尤其适用于20KC频率以上的电力电子装置.器件击穿电压的关系由公式(3)定性给出    方程(3)中Rds,on 是阻断PN结的特征电阻 (Ω-cm2);Vb是PN结阻断耐压;ε是介电常数; ε0是真空电容率;Emax最大临界场 μ是载流子（电子）迁移率。    半导体物理特性显示，电阻Rds.on值随着漂移区宽度的增加而增大，随着掺杂浓度的增加而减少，这是因为载流子流动数量增加的缘故。[next]    按照方式（3）不难看出，MOSFET漂移区的阻值随着击穿电压的增加成平方增加，对硅材料仅在几百伏就达到临界的最高值。而阻值是随着临界电场的增加成立方增加。因为SIC临界电场强度比硅要高10倍，所以SIC的MOSFET的传导损耗远低于硅器件。    10KV双极型SIC晶闸管    前面讨论可以断定，SIC制成的MOSFET器件和肖特基二极管的耐压远高于SI器件。可以高达几千伏电压水平，所以MOSFET器件有望在很多领域得到应用。    SIC的双极型器件，例如晶闸管10KV耐压水平也是很容易制造，少子寿命只要能保持在1μs～10μs之间就能获得良好的开关特性。双极型SI晶闸管，典型击穿电压6KV-7KV，这是器件的制造成本特性。也是与通态损耗、开关损耗之间最佳折衷。极限条件为硅片厚度1mm左右，少子寿命为100μS左右。这种器件只能用于工频条件下的系统中，由于开关损耗的过大而限制了应用范围。    SIC器件的工作温度    SI双极型功率半导体器件，合适的工作温度小于125℃。单极型器件，例如MOSFET，最高工作温度为150℃。最高承受的温度是半导体材料的极限温度，即载流的密度不再由掺杂决定，而是由半导体的禁带宽度所决定，通常称为本征温度。此极限温度之上，所有电流控制能力和电压阻断能力都会消失。对SI而言，极限温度是300℃左右。SIC器件的工作温度比SI器件工作温度高得多。由于SIC的PN结漏电流极小，它能够在远高于300℃时还有阻断能力，极限温度可达到1000℃以上。    美国一个研究中心开发出的碳化硅MOSFET，工作温度为650℃，这种高温能力为电力电子系统设计工程师创造很多有利条件。SIC器件的低损耗都是以硅器件对比而言的。 SIC器件和SI器件性能主要差异见表三                      表三 SI器件与SIC器件性能比较   材料性能 SI器件 SIC器件电流密度（A/cm2） 30 100～300(可达500)最高工作温度（℃） 180-200(PN) 600(max)(PIN)器件耐压 1 5～10(倍)通态损耗 1 1/4～1/10开关损耗 1 1/10～1/100工作温度（℃） 180 300～500     3 SIC器件制造     SIC器件研发工作与SIC材料一样，西方发达国家，以大学和有实力的大公司为主体,投入大量资金、人力，并取得一定成果， 有很高水平的实验室样品，仅PN结耐压高达上万伏。但是真正具有商业价值，能有一定生产量的功率器件很少。最主要原因是SIC材料质量的制约。    电力电子装置所需器件要求高电压、大电流、开关损耗小等特点。就电力电子器件而言，ABB公司在SIC器件研究开发方面在投入资金、成果水平都处在世界领先水平。研究成果之一是击穿电压为4.5KV PIN二极管和2.5KV JBS（结型势肖特基二极管）    当前SIC的单极型器件的生产，材料质量问题的影响不大，仅影响大容量器件生产成品率，大功率器件采用几个芯片并联连接的形式进行封装。    SIC材料的现状，对高压双极型器件，材料质量仍存在较大问题。可靠性指标还须不能满足实际需要，而且生产成品率很低。显而易见对电力电子器件而言，SIC材料仍然是一种可敬又可畏的材料。SIC的大功率器件实现实用性和商品化之前必须先解决材料的质量问题，最需解决是贯穿基片的微管缺陷的小孔（直径为0.1μm～5μm之间）。商品化可用的基片的微管密度不大于102～103/cm2,其次是能较好形成低掺杂浓度（小于1015cm-3）的厚层（50μm以上）和双极型器件的少子寿命。[next]    美国CREE公司是世界上研发、生产SIC材料和器件最著名的公司。其中Φ35mm 4H-SIC晶片,采用热盘CVD生长35～45 μm厚的外延层，掺杂浓度为1015cm-3以下。这种掺杂取决于采用的临界电场强度，理论阻断电压是4.5～６ＫＶ。ABB公司采用一台有特殊功能的光学显微镜，将20mm2 、40mm2面积二极管方形芯片放置在无缺陷的晶片位置。这台仪器可将每一片从CREE公司购进的晶片进行检验，用计算机自动检测，识别并记录在电脑中每个缺陷在SIC晶片上正确位置。并自动生成20mm2，40mm2芯片的位置，而且还自动形成工艺性文件资料，并绘制出芯片的布置平面图形。                                        图3 SIC晶片上各种尺寸芯片平面布图    检查微管缺陷采用激光探头，计算机识别，数据分析并绘出一个晶图片上芯片分布图，大面积的芯片位置之外的剩余地方布置小型（1～5mm2）检测器件。（图3）    ABB公司研究中心的器件研究重点，工艺包括腐蚀，介质淀积、氧化、光刻、金属化和欧姆接触的形成。光刻工艺采用激光系统平板印刷技术（Laser Lithagraphic system）。这与传统IC工艺不同，主要原因是SIC晶片表面粗糙不平，而且需进行9次曝光。重要的是Laser系统与计算机机系统连用便于自动定位。    目前SIC器件，特别是双极型功率器件难于商品化、批量生产，主要原因:    （1）SIC单晶材料缺陷多，至今材料质量还未真正解决；    （2）设计和工艺控制技术比较困难；     （3）工艺装置特殊要求，技术标准高，例离子注入, 外延设备，激光曝光光刻机等；     （4）资金投入很大，运行费用和开发费用昂贵,一般很难开展研发工作。    当前世界上研发SIC器件有美国的Cree公司，德国西门子公司，日本的东芝公司，三菱公司，富士公司。ABB公司与瑞典等合作，投入巨资开展了主要用于输变电工程的二极管，取得商品化成功。德国西门子公司的产品定位在1200V以下低压，小功率器件，已经达到商用化。ABB公司的产品主要定位在4500V，高压大电流器件。[next]    4 为什么SIC器件还不能普及    早在20世纪60年代，碳化硅器件的优点已经为人们所熟知。之所以目前尚未推广普及，是因为存在着许多包括制造在内的许多技术问题。直到现在SIC材料的工业应用主要是作为磨料（金刚砂）使用。    SIC在能够控制的压力范围内不会融化，而是在约2500℃的升华点上直接转变为气态。所以SIC 单晶的生长只能从气相开始，这个过程比SIC的生长要复杂的多，SI在大约1400℃左右就会熔化。使SIC技术不能取得商业成功的主要障碍是缺少一种合适的用于工业化生产功率半导体器件的衬底材料。对SI的情况,单晶衬底经常指硅片（wafer）,它是从事生产的前提和保证。一种生长大面积 SIC衬底的方法以在20世纪70年代末研制成功。但是用改进的称为Lely方法生长的衬底被一种微管缺陷所困扰。    只要一根微管穿过高压PN结就会破坏PN结阻断电压的能力，在过去三年中，这种缺陷密度已从每平方毫米几万根降到几十根。除了这种改进外，当器件的最大尺寸被限制在几个平方毫米时，生产成品率可能在大于百分之几，这样每个器件的最大额定电流为几个安培。因此在SIC功率器件取得商业化成功之前需要对SIC的衬底材料作更大技术改进。                             图4 SIC工业生产的晶片和最佳晶片的微管密度的进展    制造不同器件成品率为40% 和90% 的微管密度值    图4看出，现在SIC材料，光电子器件已满足要求，已经不受材料质量影响，器件的工业生产成品率，可靠性等性能也符合要求。高频器件主要包括MOSFET SCHOTTKY二极管内的单极器件。SIC材料的微管缺陷密度基本达到要求，仅对成品率还有一定影响。高压大功率器件用SIC材料大约还要二年的时间，进一步改善材料缺陷密度。总之不论现在存在什么困难，半导体如何发展， SIC无疑是新世纪一种充满希望的“未来的材料”。

未来车轮的发展方向将是轻量化、高平衡性和高强韧性等方面的研究。铝合金车轮是“轻量化”、“高速化”、“现代化”的产物，铝合金车轮不仅美观,而且还具有质量轻、节能、散热好、耐腐蚀等特点。现行工厂铝合金车轮热处理工艺规范为：固熔处理（535±5）℃，保温3-4小时，淬火介质为水，温度为60度，淬火持续时间小于15秒；时效处理（140±5）℃，保温3-4小时。具体工艺根据规格大小和热处理设备不同作适当调整。    一直以来，热处理工艺参数不正确，铸件经热处理后出现力学性能不合格、过烧、变形和开裂等缺陷，问题原因主要有：    1.固熔温度偏低或保温时间不够；    2.水淬时冷却速度不够；    3.车轮从出炉到淬火槽的转移时间过长，超过15秒；    4.时效温度温度过低或保温时间不够；    5.固溶温度偏高或保温时间过长，合金晶界交接处的低熔点共晶体开始熔化，出现了液相，在表面张力的作用下，液相收缩成团状、球状或多角形的复熔物，严重过烧时，会在全部晶界上出现带状、环状复熔物，甚至在车轮表面结瘤。过烧组织出现时，合金力学性能急剧下降，无法补救。    避免上述热处理缺陷的主要办法是采用热处理炉温跟踪仪对热处理温度曲线及时进行检测。在热处理过程中，出现偏差时可以及时调整，从而确保热处理工艺所需要的温度和温差。温跟踪仪是测量各种热加工过程产品温度分布的一种仪器。仪器本身可以在高温下工作，仪器和工件一起进入炉内，得到整个工艺过程产品的表面和中心的实际温度曲线、烘炉温度分布情况，以便快速及时的解决烘烤过程中存在的问题，从而达到提高铝车轮企业产能，提高产品质量，降低生产成本和产品报废率的有力帮手。    中国是生产铝合金轮毂的大国。热处理过程的温度曲线控制是保证质量的关键。过去，热处理过程的炉温跟踪仪一直依赖进口。由于产品价格很贵，在国内100多家轮毂制造企业中很少采用。铝合金热处理过程的温度控制对热处理质量有很大的影响，温度曲线和炉温均匀性对热处理来说非常重要。北京赛维美高科技有限公司针对铝合金轮毂热处理开发了SMT热处理炉温跟踪仪，首次在广东佛山中南铝获得成功应用。应用结果表明：SMT热处理炉温跟踪仪的精度达到545±1℃，隔热效果优越，可以在545度的温度下使用10小时以上。目前，该产品已经在戴卡、万丰、今飞和中南铝等六十多家铝轮毂生产企业使用；并出口到泰国、马来西亚、印尼等国家。

铜分析,铜价自4月中旬暴跌后，近期有所企稳反弹，期间累计涨幅达10%左右。笔者认为，短期缺乏利空消息成为铜价上涨的主要因素，但中期来看，市场依然存在不确定性。欧元区的不确定性仍存在。近期市场对于欧洲债务问题似乎已麻木，即便穆迪将希腊评级连降四级至垃圾级，市场反应也甚微。与此同时，欧元大量的空头头寸获利后大幅平仓却促成美元持续回落，铜价也随之攀升。笔者认为，欧元区实质性问题仍未得到有效解决，即便是西班牙成功从市场获得融资也只是意味着欧元区国家还在应付着一个接一个的救急问题，而欧元区的统一货币政策和分裂政体之间的矛盾还将长期存在。此外，以减少财政支出、压缩薪资等方式来应对高赤字的负面影响目前还未显现。虽然欧洲方面最近并无太多利空消息，但涉及债务问题的任何一个国家都是潜在引爆市场的定时炸弹。只要欧洲方面一有风吹草动，市场有可能出现风向逆转的局面。人民币汇改成铜价上涨又一诱因。周末，央行宣布进一步推进人民币汇率形成机制改革，增强人民币汇率弹性，人民币升值预期增强。人民币升值预期对铜价的影响主要体现在至少以下两方面：一方面，以人民币计价的大宗商品兑换成美元进行估值势必导致外盘金属价格走高。而外盘涨必带动内盘走强的惯性思维也推升内盘走强；另一方面，人民币走强意味着人民币购买力的提升，中国需求放大的预期也推升铜价走高。但我们仍需要注意，汇改推升外盘走强从长期来看主要还是体现在估值方式的变化上，曾经套用的沪伦比值未来将出现波动较大局面。此外，本次央行宣布增强人民币汇率弹性是在G20峰会背景之下，央行的决策是否真的意味着高层对于当前经济复苏的认可仍存疑。中国政策面或有所松动。近期推升铜价大幅反弹的因素除了欧洲债务危机有所趋缓之外，中国经济数据也是一大推手。最新公布的CPI数据显示，1-5月份累计同比增长2.5%。从去年环比数据来看，去年5、6、7月份环比持续走弱。这也意味着今年6、7月份CPI数据将有可能进一步走高。而从最近央行公开市场操作来看，央行连续四周净投放资金。最新一周净投放资金更是达到1900亿元的庞大规模。总体来看，短期内国内政策面有所放松，资金紧张的担忧开始弱化。但政策面的放松也意味着政府层面对于经济的担忧。以进出口情况来看，尽管最新公布的进出口数据大幅走强，但其持续性却令人怀疑，且欧元此前大幅下跌对国内出口企业利润的影响也将在最近数月内得到体现。综合来看，近期铜价反弹催生了市场人气，但长期来看市场隐患颇多，中国经济复苏的持续性问题、欧元贬值和人民币汇改对中国出口企业影响深度、各国减赤对自身经济的冲击，这些均将在未来得以体现。总体而言，短期市场信心的恢复会对市场产生一定的支撑，但中期来看，压力仍将存在。 

近年来，大功率LED发展较快，在结构和性能上都有较大的改进，产量上升、价格下降；还开发出单颗功率为100W的超大功率白光LED。与前几年相比较，在发光效率上有长足的进步。结合成本工艺优势，铝合金散热器成了LED散热设计首选材料    例如，Edison公司前几年的20W白光LED，其光通量为700lm，发光效率为35lm/W。2007年开发的 100W白光LED，其光通量为6000lm，发光效率为60lm/W。又例如，Lumiled公司最近开发的K2白光LED，与其Ⅰ、Ⅲ系列同类产品比较如表1所示。从表中可以看出：K2白光LED在光通量、最大结温、热阻及外廓尺寸上都有较大的改进。    Cree公司新推出的XLamp XR～E冷白光LED，其最高亮度挡QS在350mA时光通量可达107～114lm。这些性能良好的大功率LED给开发LED白光照明灯具创造了条件。前几年，各种白光LED照明灯具主要是采用小功率Φ5白光LED来做的。如1～5W的灯泡、15～20W的管灯及40～60W的路灯、投射灯等。这些灯具使用了几十到几百个Φ5白光LED，生产工艺复杂、可靠性差、故障率高、外壳尺寸大，并且亮度不足。    为改进上述缺点，这几年逐步采用大功率白光LED来替代Φ5白光LED来设计新型灯具。例如，用18个2W的白光LED做成的街灯，若采用Φ5白光LED则要几百个。另外，用一个1.25W的 K2系列白光LED，可做成光通量为65lm的强光手电筒，照射距离可达几十米。若采用Φ5白光LED来做则是不可能的。图1 结温TJ与相对出光率关系图 用大功率LED做的灯具其价格比白炽灯、日光灯、节能灯要高得多，但它的节能效果及寿命比其他灯具也高的多。如果在路灯系统及候机大厅、大型百货商场或超市、高级宾馆大堂等用电大户的公共场所全部采用LED灯具，其一次性投资较高，但长期的节电效果及经济性都是值得期待的。    目前主要采用1～3W大功率白光LED作照明灯，因为其发光效率高、价格低、应用灵活。   大功率LED的散热问题LED是个光电器件，其工作过程中只有15%～25%的电能转换成光能，其余的电能几乎都转换成热能，使LED的温度升高。在大功率LED中，散热是个大问题。例如，1个10W白光LED若其光电转换效率为20%，则有8W的电能转换成热能，若不加散热措施，则大功率LED的器芯温度会急速上升，当其结温（TJ）上升超过最大允许温度时（一般是150℃），大功率LED会因过热而损坏。因此在大功率LED灯具设计中，最主要的设计工作就是散热设计。    另外，一般功率器件（如电源IC）的散热计算中，只要结温小于最大允许结温温度（一般是125℃）就可以了。但在大功率LED散热设计中，其结温TJ要求比125℃低得多。其原因是TJ对LED的出光率及寿命有较大影响：TJ越高会使LED的出光率越低，寿命越短。 图2  K2系列的内部结构图1是K2系列白光LED的结温TJ与相对出光率的关系曲线。在TJ=25℃时，相对出光率为1；TJ=70℃时相对出光率降为0.9；TJ=115℃时，则降到0.8了。 表2是Edison公司给出的大功率白光LED的结温TJ在亮度衰减70%时与寿命的关系（不同LED生产厂家的寿命并不相同，仅做参考）。图3  NCCWO22的内部结构在表2中可看出：TJ=50℃时，寿命为90000小时；TJ=80℃时，寿命降到34000小时；TJ=115℃时，其寿命只有13300小时了。TJ在散热设计中要提出最大允许结温   　　 图4 LED与PCB焊接图 大功率LED的散热路径.　　大功率LED在结构设计上是十分重视散热的。图2是Lumiled公司K2系列的内部结构、图3是NICHIA公司NCCW022的内部结构。从这两图可以看出：在管芯下面有一个尺寸较大的金属散热垫，它能使管芯的热量通过散热垫传到外面去。图5 双层敷铜层散热结构 　　大功率LED是焊在印制板（PCB）上的，如图4所示。散热垫的底面与PCB的敷铜面焊在一起，以较大的敷铜层作散热面。为提高散热效率，采用双层敷铜层的PCB，其正反面图形如图5所示。这是一种最简单的散热结构。 　　 图6 散热路径图 热是从温度高处向温度低处散热。大功率LED主要的散热路径是：管芯→散热垫→印制板敷铜层→印制板→环境空气。若LED的结温为TJ，环境空气的温度为TA,散热垫底部的温度为Tc（TJ＞Tc＞TA），散热路径如图6所示。在热的传导过程中，各种材料的导热性能不同，即有不同的热阻。若管芯传导到散热垫底面的热阻为RJC（LED的热阻）、散热垫传导到PCB面层敷铜层的热阻为RCB、PCB传导到环境空气的热阻为RBA,则从管芯的结温TJ传导到空气TA的总热阻RJA与各热阻关系为：　　RJA=RJC+RCB+RBA 　　各热阻的单位是℃/W。 　　可以这样理解：热阻越小，其导热性能越好，即散热性能越好。 　　如果LED的散热垫与PCB的敷铜层采用回流焊焊在一起，则RCB=0，则上式可写成： RJA=RJC+RBA　　散热的计算公式 　　若结温为TJ、环境温度为TA、LED的功耗为PD,则RJA与TJ、TA及PD的关系为： 　　RJA=（TJ－TA）/PD (1) 　　式中PD的单位是W。PD与LED的正向压降VF及LED的正向电流IF的关系为： 　　PD=VF×IF (2) 　　如果已测出LED散热垫的温度TC，则(1)式可写成： 　　RJA=(TJ－TC)/PD+(TC－TA)/PD 　　则RJC=(TJ－TC)/PD (3) RBA=(TC－TC)/PD (4)在散热计算中，当选择了大功率LED后，从数据资料中可找到其RJC值；当确定LED的正向电流IF后，根据LED的VF可计算出PD；若已测出TC的温度，则按（3）式可求出TJ来。在测TC前，先要做一个实验板（选择某种PCB、确定一定的面积）、焊上LED、输入IF电流，等稳定后，用K型热电偶点温度计测LED的散热垫温度TC。在（4）式中，TC及TA可以测出，PD可以求出，则RBA值可以计算出来。若计算出TJ来，代入（1）式可求出RJA。这种通过试验、计算出TJ方法是基于用某种PCB及一定散热面积。如果计算出来的TJ小于要求（或等于）TJmax，则可认为选择的PCB及面积合适；若计算来的TJ大于要求的TJmax，则要更换散热性能更好的PCB，或者增加PCB的散热面积。另外，若选择的LED的RJC值太大，在设计上也可以更换性能上更好并且RJC值更小的大功率LED，使满足计算出来的TJ≤TJmax。这一点在计算举例中说明。各种不同的PCB目前应用与大功率LED作散热的PCB有三种：普通双面敷铜板（FR4）、铝合金基敷铜板（MCPCB）、柔性薄膜PCB用胶粘在铝合金板上的PCB。　　MCPCB的结构如图7所示。各层的厚度尺寸如表3所示。 　　 图7 MCPCB结构图 其散热效果与铜层及金属层厚如度尺寸及绝缘介质的导热性有关。一般采用35μm铜层及1.5mm铝合金的MCPCB。柔性PCB粘在铝合金板上的结构如图8所示。一般采用的各层厚度尺寸如表4所示。1～3W星状LED采用此结构。　　采用高导热性介质的MCPCB有最好的散热性能，但价格较贵。 　　 　　 图8 散热层结构图 计算举例 　　这里采用了NICHIA公司的测量TC的实例中取部分数据作为计算举例。已知条件如下： 　　LED：3W白光LED、型号MCCW022、RJC=16℃/W。K型热电偶点温度计测量头焊在散热垫上。 　　PCB试验板：双层敷铜板（40×40mm）、t=1.6mm、焊接面铜层面积1180mm2背面铜层面积1600mm2。 　　LED工作状态：IF=500mA、VF= 3.97V。 按图9用K型热电偶点温度计测TC，TC=71℃。测试时环境温度TA= 25℃.1.TJ计算 　　TJ=RJC×PD+TC=RJC（IF×VF）+TC 　　TJ=16℃/W（500mA×3.97V） 　　+71℃=103℃ 　　 图9 TC测量位置图 2.RBA计算 　　RJA=（TC－TA）/PD 　　=（71℃－25℃）/1.99W 　　=23.1℃/W 3.RJA计算 　　RJA=RJC+RBA 　　=16℃/W+23.1℃/W =39.1℃/W如果设计的TJmax=90℃，则按上述条件计算出来的TJ不能满足设计要求，需要改换散热更好的PCB或增大散热面积，并再一次试验及计算，直到满足TJ≤TJmax为止。　　另外一种方法是，在采用的LED的RJC值太大时，若更换新型同类产品RJC=9℃/W(IF=500mA时VF=3.65V)，其他条件不变，TJ计算为： 　　TJ=9℃/W（500mA×3.65V）+71℃ =87.4℃上式计算中71℃有一些误差，应焊上新的9℃/W的LED重新测TC（测出的值比71℃略小）。这对计算影响不大。采用了9℃/W的LED后不用改变PCB材质及面积，其TJ符合设计的要求。PCB背面加散热片　　若计算出来的TJ比设计要求的TJmax大得多，而且在结构上又不允许增加面积时，可考虑将PCB背面粘在“∪”形的铝型材上（或铝板冲压件上），或粘在散热片上，如图10所示。这两种方法是在多个大功率LED的灯具设计中常用的。例如，上述计算举例中，在计算出TJ=103℃的PCB背后粘贴一个10℃/W的散热片，其TJ降到80℃左右。 　　 图10 “∪”形铝型材 这里要说明的是，上述TC是在室温条件下测得的（室温一般15～30℃）。若LED灯使用的环境温度TA大于室温时，则实际的TJ要比在室温测量后计算的TJ要高，所以在设计时要考虑这个因素。若测试时在恒温箱中进行，其温度调到使用时最高环境温度，为最佳。另外，PCB是水平安装还是垂直安装，其散热条件不同，对测TC有一定影响，灯具的外壳材料、尺寸及有无散热孔对散热也有影响。因此，在设计时要留有余地。结束语采用一定散热面积的PCB、装上LED的试验板，在LED工作状态下测出TC再计算的方法来作散热设计是一种简便、有效的方法，可以较好地设计出满足结温TJmax要求的散热结构（PCB材质及面积）。　　这种散热设计方法除适用于大功率白光LED的照明灯具外，也适用于其他发光颜色的大功率LED灯具，如警示灯、装饰灯等。

稀土分析：中国稀土盈利前景看好。中国稀土自9月初开始，已录得约25%之升幅， 走势 非常凌厉。这有赖于中央政府落实促进集成稀土 行业 ，加速企业兼并重组。加上中国稀土明年初荧光材料业务产能大增，来年盈利乐观。　　稀土需求有增无减　　从历史数据显示，于2000-2008年期间，全球稀土消费的年均复合增长率为6%，远高于全球GDP的增幅，中国的稀土消费年均复合增长率更高达17%，也高于同期GDP涨幅。2003年以来，稀土在新材料领域的消费更维持了30%以上的增速，2008年该等消费为3.85万吨，占比53%。另外，自2006年以来，中国开始对稀土实施出口配额及关税管理，使得稀土出口逐渐下滑，供求收紧，导致 价格 上涨，稀土需求自然有增无减。　　同时中央正在积极推行节能灯照明政策，计划在10年全国推广节能灯1.5亿只，数目较09年增长25%。节能灯生产正需要应用大量稀土永磁材料、稀土储氢合金、催化材料、荧光粉等稀土产品。因此，我们预期在中期内稀土需求将保持快速增长。　　荧光抛光粉年产2千吨　　中国稀土是全国首屈一指的稀土氧化物及优质耐火材料生产商，集团早前积极扩展生意规模，先后并购了兴华稀土及东冶稀土，去年中还与全球领先的节能灯生产商欧司朗订立总额为4,350万欧元的荧光粉投资合同。其次，公司正落实于内地兴建用于高端液晶监视器的稀土抛光粉生产线。届时荧光粉和抛光粉年 产量 可达至2,000吨规模，公司业务产能大增， 预期盈利表现应该不错。　　受惠淘汰未达标企业　　再者，长期国策仍对稀土有利，国家规划希望到2015年时，将三分之一未能达标稀土企业淘汰出局，对中国稀土这类大企业自然大为有利，我们相信，经济恢复及新兴 产业 将有效增加稀土需求，中长期稀土的供需格局将趋向于偏紧状态，这将有利于稀土 价格 的提升。惟近期升幅过大，P/E过高，待回落后收集比较适合。更多有关稀土分析的内容请查阅上海 有色 网

锰在地壳中大量存在，在重金属中仅次于铁而居于第二位。虽然资源比较丰富，但分布却很不均匀，根据美国USGS统计，世界陆地矿产主要集中在南非、乌克兰、澳大利亚、加蓬、中国、印度、巴西和墨西哥等国家。由于南非、澳大利亚、加蓬、巴西等国的锰矿含锰量高，露天开采占到80%，资源禀赋突出，是世界主要的产锰国和出口国。而我国锰矿主要集中在西南和中南地区的广西、湖南、贵州三省并且以贫矿为主，平均品位仅在19%左右。因此，我国每年需要进口超过1500万吨的锰矿用于满足高牌号锰系铁合金的生产，或是与国内贫矿搭配使用降低原料成本。此外，在锰矿的消费环节，全球80%以上的锰矿耗用于生产锰系铁合金，金属锰的消费占比并不高。澳大利亚、加蓬和巴西是我国高品位锰矿传统的原料来源国，如表3所示，受益于我国自2011年产量缩减，全球锰矿开采量仍保持20%左右增长态势的影响，2016年以前，进口锰矿价格基本处于下行区间。随着钢铁价格回升，生产商增产意愿浓厚，锰矿需求提振，进口锰矿价格也随之水涨船高，与锰系列产品价格保持了同步变动的趋势。同时，由于近年进口锰矿价格的相对低迷，南非相对上述三国较低品位的锰矿大量的被国内锰合金生产商用来取代国内的锰矿，占到了锰矿进口总量的三分之一，对我国的矿企造成了冲击。

贵 金属 分析就是指对贵 金属 成分的分析、化学物理性质的了解。现代贵 金属 分析研究的对象和要求，全面、系统地阐述明了贵 金属 的物理、化学性质及用于贵 金属 元素分析的各种络合物，对矿物和环境试样中痕量或超痕量贵 金属 元素的分析、贵 金属 冶金过程物料分析、贵 金属 的合金、首饰和纯度分析以及贵 金属 工业催化剂和二次资源废料的分析。贵 金属 分析仪是分析贵 金属 成分组成的精密仪器，常用的有化学有损分析仪器和物理无损分析仪器。鉴于贵 金属 本身 价格 昂贵，不能轻易破坏其外形，故化学有损检测仪在珠宝 行业 不被经常使用。而快速、无损、精确的无损检测仪，广泛应用于珠宝首饰检测 行业 。贵 金属 无损分析仪，包括两种类型的仪器，一种是根据 金属 密度来粗略估算贵 金属 纯度的水比重分析仪，另外一种是利用荧光光谱来分析纯度的光谱分析仪。由于比重仪精度低，而自然界与贵 金属 密度相接近的 金属 很多，所以，当今的珠宝界，水比重分析仪基本遭到了 市场 的摒弃。在此，重点介绍光谱贵 金属 分析仪。光谱贵 金属 分析仪享有无损、快速、精确等特点，被广泛用于首饰生产、加工、销售、质检等部门。随着贵 金属行业 的蓬勃发展，贵 金属 的业务日益增加，给贵 金属行业 带来效益的同时我们对产品的工艺，含量的控制越来越需要高效和准确。近年来由于加工工艺不断提高，各种贵 金属 在 市场 上流通的越来越多。想要了解更多关于贵 金属 分析的资讯，请继续浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

铜价走势分析：风险意愿改善提振铜价,之前包括高盛在内的一系列美国的银行公布强劲季度业绩,部分抵销了对高盛遭欺诈指控所造成影响的担忧.纽约商品期货交易所5 月期铜HGK0 收高1.65 美分,报每磅 3.5135 美元,盘中交易区间为3.4925-3.5525 美元.伦敦金属交易所(LME)三个月期铜CMCU3 收报每吨7,790 美元,周一收报7,696 美元,稍早触及7,851 美元的高位.高盛首季盈利近翻番,扶助令市场的部分注意力从欺诈指控事件上移开.花旗集团和摩根大通也公布同样强劲的业绩,令投资者风险意愿增强, 并提升对经济和金属需求复苏的信心.分析师称,从中期来看,中国仍是需求的主要推动因素.但中国政府上周采取的冷却房地产市场的举措增加了需求前景的不确定性.近几周LME库存减少扶助提振需求前景.铜库存减少350吨,对于铜价走势分析，相关人士指出，铜价明显震荡反弹，上海铜价高开后温和震荡反弹，成交保持清淡，持仓量略有下降。国际铜价受美元冲高回落及道指重新走强的支持收复了大部分失地，并且不排除维持强势的可能性。美国证监会指控高盛欺诈事件对行情的影响表现为突发性性质，道指在周线上显示仍有可能进一步上冲是影响铜价的关键因素。也就是说，如果道指进一步走强，那么铜价重新回到7800--8000区间的可能性会明显增大；反过来说，一旦道指出现持续调整走势，那么铜价出现一轮持续的调整的可能性也会明显增大。国内铜价走势将呈现高开后温和震荡反弹局面，疲软的国内股市仍给铜价构成了压制。如果能够获得外盘重新走强的支持，国内铜价也将有进一步反弹的空间，尽管国内铜价的相对弱势因过剩严重而继续维持的可能性较大。

铅价走势分析是上海有色网每日更新的内容之一。2010年铅价格走势受到诸多不确定因素影响，是价格走高，保持平稳，还是走低？不同的研究机构基于自身研究成果都有不同的判断。北京君略产业研究院从铅产品多年历史价格走势研究着手，通过多年持续跟踪研究，并结合2010年铅行业所处的特殊环境，全面考虑内外部多重影响因素，运用科学预测与业内专业人士经验判断相结合的方法，对2010年中国铅价格走势及影响因素做了深入透彻研究并最终审核成稿。对上海现货市场的铅价走势分析：周内上海现货1#铅价格整体表现平稳，商家介绍由于外盘铅价持续震荡，下游观望者占据多数，市场整体交易疲软，如果不是冶炼企业报价相对坚持，本周现货价格可能会出现一定幅度的回落，还有商家反映国内市场表现低迷，大多商家忧心忡忡但又非常无奈的面对清淡的局面，他们指出本周冶炼企业的坚持勉强维持价格保持平稳，不过实际交易仍存在小幅贴水。通过铅价走势分析，您可以对2010年中国铅价格走势做出更科学的判断，从而为企业的生产、采购做出更科学的安排；您可以对影响2010年铅价格走势的诸多因素更理性的区别对待，从而能更有条不紊的推进企业战略规划的实施。 更多铅价走势分析，请关注上海有色网铅专区栏目。上海有色网铅专区每日权威发布最新铅价、铅价走势分析以及铅价走势图。权威的价格指数以及精准的走势图让越来越多的用户将上海有色网的铅价指数作为铅交易的基准。 

稀土分析显示    ：中国是稀土资源大国全球的稀土资源主要分布在中国、独联体、美国、澳大利亚等国。根据美国地质调查局(USGS)2007年的最新统计，我国符合开采和生产方法所要求的基础储量占世界的57%，可经济开采和生产的储量占世界的31%，是当之无愧的稀土大国。世界稀土资源的基础储量和储量分布 印度1%澳大利亚4%美国9%独联体14%中国57%其他15% 其他25%印度1%澳大利亚6%美国15%独联体22%中国31%基础储量分布我国的稀土资源大致可分为南方矿和北方矿，北方矿以产出轻稀土(主要指镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆等 金属 )为主，南方矿以产出重稀土(主要指铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钇等 金属 )为主。包头白云鄂博(储量约2100万吨)、四川冕宁(储量约220万吨)、山东微山的氟碳铈矿均以产出轻稀土为主，其中包头白云鄂博的稀土储量占全国储量的80%左右。江西、广东、福建、广西、云南等南方地区多为重稀土矿(储量约100万吨)，以稀土离子形态存在，是我国独有的珍稀矿种。稀土供给：96.77%的稀土矿来自中国2.2.1 96.77%的稀土矿来自中国：绝对优势在一定范围内仍将保持从资源的角度看，稀土资源主要分布在中国、独联体、美国、澳大利亚等国，但由于许多国家提高了对稀土资源的认识，将稀土资源作为战略资源进行管理，而且稀土 价格 持续低迷，使得许多国家停止开采稀土资源。美国于2001年停止世界最大单一氟碳铈矿—芒廷帕斯矿山的开采，去年10月份恢复了库存稀土精矿的处理生产；加拿大稀土储量94万吨，迄今为止从未开采。所以目前的局面是中国稀土资源的供给占全球的绝大多数，2007年全球96.77%的稀土矿来自中国。就目前的情况来看，稀土 价格 并不具有吸引力，诸如美国并没有多强的意愿开采本国稀土资源，这也与美国确定稀土为战略元素的定位有关。所以我们认为中国稀土供给的绝对优势在一定范围内仍将保持。稀土分析：闸门越关越小自2005年以来，国家对稀土实行出口配额许可证管理。这项法规的执行，给我国稀土资源的出口安装了一道闸门，从历年的数据来看，闸门越关越小，预计2008年将在2007年的基础上减少5%左右，从而在消费稳定增长的情况下，加剧了国外对国内稀土矿的依赖程度。更多有关稀土分析的内容请查阅上海 有色 网

国际铜价从6月初触及八个月低点的6000美元附近一路高歌猛进，短短两个月时间升至三个月高点。25％的升势令许多人颇感意外，然而夏季是传统的铜消费淡季，且进入7月以来美国公布的一系列数据整体疲弱，而铜市却逆势上扬，背后的动因是什么？美国经济疲软、欧债危机减退、中国经济放缓已成事实的全球经济环境下，铜的需求将怎样？铜价的涨势是否会持续下去？接下来我们会进行铜价分析。首先，从中国方面来看，中国的7月经济数据从8月初的中国7月宏观经济先行指标-7月PMI制造业指数就已经初露端倪，连续第三个月下降,并创下17个月来最低水平，反映中国制造业继二季度持续降温后,扩张步伐几近停滞。本周二的中国7月贸易数据再次低于预期，尽管贸易顺差创18个月以来新高，但中国7月进口增速明显低于市场预期，显示内需出现回落，随著全球经济复苏步伐趋缓，以及国内外需求持续疲弱，未来中国的进出口形势依然严峻，进出口增速均将较上半年呈现较为明显的下降。本周三中国公布的7月宏观经济数据显示7月CPI涨幅创21个月来新高，源于翘尾因素及粮价上涨，7月工业和消费增速继续回落,确认经济减速趋势。中国7月新增信贷及月末M2增速均低於预期,显示微观经济体对资金的需求出现降温,进一步验证经济增长出现较明显的放缓趋势。面对国内高企的CPI数据，银河期货分析师王明义和车红云认为， 7月CPI同比增长达到3.3％，主要是因自然灾害影响粮食价格短期上涨，总体来看，CPI虽然达到今年以来最高，但后续预计会回落，因此这不太可能导致货币政策进一步紧缩。7月宏观数据整体符合预期且显现了政府对宏观经济调控的效果明显，未来物价上行压力可控，加息预期被推后。其次，站在全球的角度来看，铜价涨势轻松穿越我们习以为常的夏季淡季并持于三个月高位附近，无视全球经济复苏不确定性的影响，夏季这几个月通常是淡季，因交易员离场休假，铜价会锁定淡静区间波动。对于这段令人意外的铜价上涨行情背后的原因，北京中期分析师吴峥峥认为，7月末铜价走出了连续上攻的行情，主要受到欧元区债务危机的缓解及美元持续回落的支撑，沪铜一度上攻至58000元。目前宏观经济形势的预期成为影响金属变动的重要因素。连续上攻的国际铜价在全球经济忧虑以及美元大幅反弹下不得不放缓脚步，在美国FED下调经济预估以及最新的美国疲软数据下已经悄然跌至两周低位，中国铜进口在6月连续三个月下降后，在7月铜进口自3月以来首次录得较上月增加，但是铜市对数据的反应不大。但国际铜业研究组织(ICSG)数字显示，2010年中国铜需求或下降多达13％，与2009年的增长38％形成鲜明比照。7月至今LME注销仓单已经下降1万吨，至2.2万吨。一方面国内库存压力较大，下半年需求因经济放缓将回落，这可能令伦敦库存在8月以后重新回升，对铜价形成压力。新的全球经济复苏形势下，铜市的走势又将如何？经过上面的铜价分析，我们可以得出：从总体来看，铜市未来走势关注焦点仍在宏观上，即欧美以及中国的经济数据局以及政策上。短期看，铜价在基本面和经济前景放缓的作用下大幅下挫，后市如下破7150，铜价将向6600美元下行。

铝锭价格分析是一个很重要的知识，让我们对它进行下介绍。最近铝锭价格分析LME3月期铝上周五涨74，收于2270美元，涨幅3.37%。伦铝库存12月11日减少3875吨，至4586125吨。上周LME期铝库存重新回到了459万吨，比前一周减少了3100吨。上海库存则至297098吨，比前一周增加了26781吨。美国商务部周四公布的数据显示，美国10月未加工非合金铝出口较上月的10,152,487千克增加20.3%，至12,216,113千克，较去年同期的6,218,697千克增加96.4%。1-10月铝出口总计为87,170,998千克。宏观方面，今日国家统计局发布数据显示，工业生产增速继续加快，11月份，规模以上工业增加值同比增长19.2%，1-11月份，同比增长10.3%。城镇固定资产投资保持快速增长，1-11月份，城镇固定资产投资168634亿元，同比增长32.1%。值得注意的是，居民消费价格(CPI)同比上涨0.6%，由负转正。这些数据表明我国宏观经济已经基本企稳，继续复苏。海关总署11日公布的初步数据显示，11月未锻轧铝出口38,014吨，1-11月累计出口245,519吨，累计同比减少67.9%；11月未锻造的铝及铝材进口120,674吨，1-11月累计进口2,204,113吨，累计同比增长172.2%；11月氧化铝进口28万吨，1-11月累计进口479万吨，累计同比增长15.4%；11月废铝进口25万吨，1-11月累计进口232万吨，累计同比增长14.8% 。国内现货市场上周也大幅上涨，上海有色金属网铝现货价格已经上涨至15730元/吨，比前一周上涨了450元，中国铝业报价也已经上调至15900元/吨，上调了400元。沪铝上周五区间震荡,收盘全线上涨。收盘各主要合约价格上涨65-170元，成交24.51万手，持仓增1.55万手至30.43万手。主力合约AL1003以16270元，高开110元，日高价16370元，日低价16230元，收于16295元，涨135元，持仓增1.25万手至12.26万手，成交19.72万手。 隔夜伦铝开市2125美元/吨，盘中走势震荡，摸高2131美元/吨，探低2110美元/吨，报收于2118美元/吨，较上一交易日收高8美元/吨涨幅为0.4%。日内美指继续下挫至82.1附近，再次推高伦铝至2140美元/吨附近，在5日和20日均线之间震荡整理。沪期铝主力高开于15500元/吨后保持震荡上行势态，尾盘A股上扬，试探前期高位2680点，铝价亦获得推升摸高15575元/吨，尾盘多头获利平仓回吐涨幅，报收15530元/吨，涨幅为0.29%，资金关注度低主力交易量仅为451558手，持仓小减650手。沪期铝换月后现货贴水放宽，近期金融市场表现出来的利多氛围使得贸易商报价相对坚持，华东地区现货贴水多维持在80-60元/吨之间，但下游在实际需求有明显改善前缺乏追涨动力，尾盘期铝的拉升亦难以改善偏平淡的市况。股市的乐观及沪铜沪锌的强势将影响自身相对偏弱的沪铝，也将继续推升铝价高位震荡。通过了解铝锭价格分析，我们对其有了更深入的了解，你想知道更多可以登陆上海有色网。