从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的!目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。     张家港市日晶科技有限公司是生产高纯度多晶硅的股份制科技公司。公司年产300吨多晶硅项目是经江苏省发展与改革委员会批准的重点工程，并列入张家港市人民政府光伏 产业 发展规划和张家港市人民政府重点建设工程。该项目批准投资额度为3亿元人民币，采用国际上最先进的第三代优化改良西门子法技术，实现低能耗，低污染和高新技术工艺进行设计。公司目前生产设备有：原料提纯塔 干法提纯塔 间歇塔 换热器 槽罐 淋洗塔 吸收塔 脱吸塔 活性炭吸附塔 还原炉 制氢设备 板式换热器 氢压机 燃气锅炉 低温制冷机组 制氮机 溴化锂机组 空压机 还原炉变压器 还原炉电气 硅芯炉 冷却塔 石墨煅烧炉 循环水泵等。   2009年五月，公司自行研发的硅烷法生产高纯度电子极多晶硅生产线点火试车成功，使用九对棒硅烷热分解炉成功生产出直径为5CM长1米的电子极多晶硅棒，经中科院等权威机构检测纯度已达电子极9个9。目前，公司硅烷法生产电子极多晶硅 产量 为年产：100吨   该项目建设工程周期为8个月（2008年5月-2009年2月）建设年生产太阳能极多晶硅300吨的生产线一条，实现年产300吨的生产能力，并完成该项目征用土地和项目总体规划的管道和电力配套等各项基础配套设施的建设任务。   日晶科技原隶属于化学工业部第一设计院，从事改良西门子法提纯多晶硅技术攻关及科研工作已有十二年历史。经过近几年的不断摸索及技术创新，并吸收了意大利及德国的改良西门子法技术，优势组合后，创新出一套低成本建设优化改良西门子法工厂的第三代电子极多晶硅生产技术。本公司独创的优化改良西门子法技术一般采用9对和12对棒电子极 氢还原炉,除传统的温度控制外,增加了三氯氢硅进气孔进气速率与沉积时间相应的可调式装置,使硅蕊硅棒在不同的沉积时间及温度条件下炉体内的还原反应自动调节在最佳状态,使硅棒的沉积外表及产品质量得到升华.所生长出的原生硅棒纯度在9N以上，电阻率可达N型300-1500欧姆,碳含量小于：1.5 x 1016at/cm3