碳化硅（SiC）又称碳硅石、金钢砂、耐火砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。碳化硅的硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。工业用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供开采的矿源。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85％）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。

碳化硅板是民用 产业 中不可缺少的材料。碳化硅板导热性能好，热振稳定性高，高温下长时间使用不变形、不软化、不产生疏松膨胀，可保持碳化硅固有的高的热传导率，使用在高温窑炉上，作为隔焰板使用，可显著提高炉膛温度，节约能源、增加 产量 ，提高经济效益。碳化硅板特点：1.耐火度高．2.导热性能好．3.膨胀系数小．4.强度高.5.超薄型，节能．碳化硅板适用于各种日用瓷、艺术瓷、中高档卫生瓷、磁性材料、建陶、砂轮等窑炉上，作为隔焰板、推板、棚板、支架、匣钵使用，应用于燃煤、燃气、燃油等各种工业窑炉中，也可作为内衬材料，及粉末冶金 行业 罐体材料使用。未来碳化硅板的应用会越来越广泛。

纳米碳化硅由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景。纳米碳化硅被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。SiC纳米材料具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，成为制作高频、大工率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。SiC 纳米线表现出的室温光致发光性，使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。近年来的研究表明：微米级SiC晶须已被应用于增强陶瓷基、 金属 基和聚合物基复合材料，这些复合材料均表现出良好的机械性能，可以想象用强度硬度更高及长径比更大的SiC 一维纳米材料作为复合材料的增强相，将会使其性能得到进一步增强。SiC一维纳米材料具有[1]阈值场强低，电流密度大，高温稳定性好等优异特点可望作为电场发射材料，利用这一特性可制成第三代新型电子光源，并将在图像显示技术方面发挥巨大作用。随着研究的深入，研究者还发现一维SiC纳米结构在储氢、光催化和传感等领域都有广泛的应用前景。纳米碳化硅具有纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活性，松装密度低的物理特性，具有极好的力学，热学，电学和化学性能，即具有高硬度，高耐磨性和良好的自润滑，高热传导率，低热膨胀系数及高温强度大等特点。纳米碳化硅的用途广泛：1、 改性高强度尼龙合金用新材料：纳米sic粉体颗粒在高分子复合材料中相容性好分散度好，和基本结合性好，改性后高强度尼龙合金抗拉强度比普通PA6提高10%以上，耐磨性能提高2.5倍以上&def用户反应很好。 主要用于装甲履带车辆高分子配件、汽车转向部件，纺织机械，矿山机械衬板，火车部件等在较低温度下烧结就能达到致密化。2、 改性特种工程塑料聚醚醚酮（PEEK）耐磨性能：用偶联剂进行表面处理后的纳米碳化硅，在添加量为10%左右时，可大大改善和提高PEEK的耐磨性。（用微米级碳化硅填充PEEK的磨损方式以梨削和磨粒磨损为主，而用纳米级碳化硅填充PEEK的磨损方式以轻微的粘着转移磨损为主。）3、 纳米碳化硅在橡胶轮胎的应用：添加一定量的纳米碳化硅在不改变原胶配方进行改性处理，在不降低其原有性能和质量的前提下，其耐磨性可提高15%—30%。另外，20纳米碳化硅应用在橡胶胶辊、打印机定影膜等耐磨、散热、耐温等橡胶产品。4、 纳米ＳｉＣ复合镀镍等 金属 表面： 采用纳米级微粒第二项混合颗粒，镍为基质 金属 ，在 金属 表面形成高致密度，结合力非常好的电沉积复合镀层，其 金属 表面具有超硬（耐磨）和减磨（自润滑）耐高温的特点。其复合镀层显微硬度大幅度提高、耐磨性提高3-5倍、使用寿命提高2-4倍、镀层与基体的结合力提高30-40% 、覆盖能力强，镀层均匀、平滑、细致。5、 其他应用：高性能结构陶瓷（如火箭喷嘴、核工业等）、吸波材料、抗磨润滑油脂、高性能刹车片、高硬度耐磨粉末涂料、复合陶瓷增强增韧等。纳米碳化硅拥有广阔的 市场 前景。 

碳化硅粉是极好的耐磨损耐高温材料。碳化硅粉由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。碳化硅粉具有极好的力学、热学、电学和化学性能，即具有高硬度、高耐磨性和良好的自润滑、高热传导率、低热膨胀系数及高温强度大特点。其主要用途包括：1制造结构器件：如冶金，化工，机械，航天及能源等 行业 中使用的滑动轴承，液体燃料喷嘴，坩埚，大功率高频率模具，半导体元器件等。2. 金属 及其它材料表面处理： 刀具，模具，耐热涂层，散热表面涂层，防腐涂层及吸波涂层等。3.复合材料：制备 金属 基，陶瓷基，高分子基复合材料。碳化硅粉已经成为工业 产业 中重要的应用材料。

利用碳化硅生产磨料过程中产生的碳化硅细粉尾料。碳化硅最初的用途是作为磨具和耐火材料，直到20世纪中期，特别是70年代后，碳化硅超细微粉独特的性能才被人们逐渐认识。因为它具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀及高的热传导率等优异性能，被开发的用途越来越多，应用面越来越广，作为一种新型的陶瓷材料，受到人们极大的关注。，开发研究亚微米级碳化硅微粉是近几年是国家科工委重点支持和发展的新项目。碳化硅除大量作为磨料应用外，近几年在精细技术陶瓷领域发展十分迅速，因而我国也成为碳化硅生产大国，年生产碳化硅九十万吨，大部分出口，在碳化硅磨料生产过程中，有很大部分尾料（粒度在10um-0）无应用价值，且库存量很大，是生产磨料厂家解决不掉的难题，给我国资源造成很大的浪费。用气流磨加工碳化硅磨料时,约有5%-15%的物料变成了尾尘.这部分碳化硅微粉由于粒度分布范围很宽,无法直接利用.对气流磨碳化硅尾尘用砂磨机研磨，经过研磨可以得到分布窄、单峰的理想微细粉体。近几年精细技术陶瓷在我国发展十分迅速，具备上述性能的超细微粉生产的碳化硅技术陶瓷，用于制造高性能陶瓷发动机、机械密封件、高温喷火嘴、高温流体输送器件、高温密封器件、高温陶瓷轴承、陶瓷切削道具、军工防弹和车辆防弹装备等。为我国碳化硅结构陶瓷的发展和应用提供优质材料。解决国内碳化硅细料的库存，给企业创造价值。为我国的技术创新提供优质材料，生产亚微米级碳化硅微粉因先进成熟的生产工艺为该产品的出口提供可靠的质量保障，对我国亚微米级碳化硅迅速发展实行 产业 化生产具有十分重要的社会意义和经济效益。碳化硅微粉的生产能力已经成为衡量 产业 发展的重要依据。

2010年国内碳化硅的 价格 仍将趋于平稳。我国碳化硅的主要分布在甘肃、宁夏、青海、新疆、河南、四川、贵州、湖北等地区。全国黑碳化硅产能约100万吨左右。其中甘肃地区约占50%，宁夏约占25%，其他地区黑碳化硅产能约占25%。绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。2008年到2009年，国内碳化硅 市场价格 呈暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的 走势 。  2008年上半年，因担心奥运会期间影响原料供应，制品企业大量备货，原燃料 价格 大幅上涨，碳化硅也进入暴涨期。其中，4-5月一级碳化硅涨势最为迅猛，涨幅超过30%，创单月涨幅最高。7月份，电价统一上调，加之原料无烟煤 价格 的上涨，为碳化硅 价格 上涨再度提供动力。到奥运前，一级碳化硅 价格 已经涨至8000元/吨，为2008年历史最高，较年初碳化硅 价格 增长74%。  奥运结束后，前期备货较多的企业开始消化库存， 市场交易 量开始下滑。2008年9月金融危机全面爆发，低迷的 市场 需求导致碳化硅 价格 迅速下滑。从2008年9月到2009年1月，碳化硅一路下跌，一级碳化硅降幅23.38%。在此期间，因需求不旺，碳化硅 市场交易 量大幅下降，国内碳化硅生产企业停产、减产来应对金融危机。11月底，政府为刺激经济，下调电价，但电价的下调，再次推动碳化硅 价格 的走低，并未带动当地电石、铁合金、硅铁、碳化硅等耗能企业动工复产。  进入2009年，因 市场 需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力， 价格 继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅 价格 下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内 市场 的同时，多数出口到国外 市场 ，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年 价格 波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅 价格 迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦 价格 开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅 价格 开始反弹，但下游 市场 需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统 产业 、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高 产业 集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等 行业 实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能 行业 进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、 行业 准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加， 价格 走高。  2010年，我国将继续实施积极的财政政策和适度宽松的货币政策。中国国务院发展研究中心称，2010年中国经济有望出现相对温和的增长和较低 价格 上涨的良好局面，国内生产总值(GDP)增长率预计在9.5%。国内经济的稳步增长将在一定程度上带动国内碳化硅 市场 需求。  工信部部长李毅中指出，2009年我国出口下降16%，2010年预计出口增长8%。在全球经济回暖预期加强的情况下，2010年碳化硅出口情况将好于2009年。虽然出口形势比较乐观，外贸企业仍应时刻关注国际经济形势和汇率变化情况。目前国内碳化硅的 价格 趋于平稳。

 碳化硅的用途主要体现在四大领域的五大用途。碳化硅主要有四大领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。目前碳化硅粗料已能大量供应, 不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。碳化硅的5大主要用途1? 有色金属 冶炼工业的应用利用碳化硅具有耐高温,强度大,导热性能良好,抗冲击,作高温间接加热材料,如坚罐蒸馏炉?精馏炉塔盘,铝电解槽,铜熔化炉内衬,锌粉炉用弧型板,热电偶保护管等?2?钢铁 行业 方面的应用利用碳化硅的耐腐蚀?抗热冲击耐磨损?导热好的特点,用于大型高炉内衬提高了使用寿命?3?冶金选矿 行业 的应用碳化硅硬度仅次于金刚石,具有较强的耐磨性能,是耐磨管道?叶轮?泵室?旋流器,矿斗内衬的理想材料,其耐磨性能是铸铁.橡胶使用寿命的5—20倍,也是航空飞行跑道的理想材料之一?4?建材陶瓷,砂轮工业方面的应用利用其导热系数?热辐射,高热强度大的特性,制造薄板窑具,不仅能减少窑具容量,还提高了窑炉的装容量和产品质量,缩短了生产周期,是陶瓷釉面烘烤烧结理想的间接材料?5?节能方面的应用利用良好的导热和热稳定性,作热交换器,燃耗减少20%,节约燃料35%,使生产率提高20-30%?特别是矿山选厂用排放输送管道的内放,其耐磨程度是普通耐磨材料的6—7倍? 碳化硅的用途 非常广泛。 

碳化硅制品具有具有耐磨、耐腐、耐高温导热等性能。碳化硅制品的用途：碳化硅制品具有耐磨，抗热震，高强度，升温快等特性。广泛用于电阻炉用耐火材料，井式炉，管状炉及电炉板。碳化硅制品时使用碳化硅砂，根据不同的用途，采用各种结合剂高温烧结而成。广泛应用于钢铁、矿山、发电厂、化工和 有色金属 冶炼等 行业 。产品种类可分为：一、砖类。各种普异型砖，用于各类炉体的砌筑；二、管槽类。各种形状直径不同管和槽用于钢铁、矿山、电厂的输煤除渣、防腐、耐磨。三是泵类。各种型号的碳化硅耐磨泵、喷沙嘴、出入口耐磨管等。四是塔器。各类塔盘、容器，用于 有色金属 冶炼和化工行碳化硅业。碳化硅制品广泛应用于矿山冶金等 行业 。

 碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅含SiC99％以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。黑碳化硅含SiC约98.5％，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和 有色金属 等。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。

碳化硅晶须是目前晶须中强度最高的一种复合材料增强体。碳化硅晶须是一种灰绿色、尺寸细小的单晶短纤维。其物理性质具有高模量、耐腐蚀、耐高温、密度小等特点。直径0.3～1.3μm，长5～45μm，密度3.2g/cm3，耐热温度1600～1800℃，拉伸强度14GPa。弹性模量450GPa。碳化硅晶须采用化合物热分解法、氢还原法、化学反应法等制取。用含硅化合物为原料，将原料混合物放在石墨坩埚容器内，加热至一定温度，高温下含硅化合物分解产物和石墨蒸发产物于保护气氛中，在生长容器上化合、堆积从而形成２Ｈ相碳化硅晶须。用这种晶须增韧的陶瓷，将具有更高的断裂韧性和强度以及高的耐磨性能，可做切削刀具，以及作为陶瓷发动机及其它机械零部件。碳化硅晶须主要用于制作航天航空器、汽车零部件、复合陶瓷车刀以及高温工程的增强复合材料等。碳化硅晶须已经成为军用民用 产业 中的重要材料。 

2010年国内碳化硅 价格 仍将趋于平稳。我国碳化硅的主要分布在甘肃、宁夏、青海、新疆、河南、四川、贵州、湖北等地区。全国黑碳化硅产能约100万吨左右。其中甘肃地区约占50%，宁夏约占25%，其他地区黑碳化硅产能约占25%。绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。2008年到2009年，国内碳化硅 市场价格 呈暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的 走势 。  2008年上半年，因担心奥运会期间影响原料供应，制品企业大量备货，原燃料 价格 大幅上涨，碳化硅也进入暴涨期。其中，4-5月一级碳化硅涨势最为迅猛，涨幅超过30%，创单月涨幅最高。7月份，电价统一上调，加之原料无烟煤 价格 的上涨，为碳化硅 价格 上涨再度提供动力。到奥运前，一级碳化硅 价格 已经涨至8000元/吨，为2008年历史最高，较年初碳化硅 价格 增长74%。  奥运结束后，前期备货较多的企业开始消化库存， 市场交易 量开始下滑。2008年9月金融危机全面爆发，低迷的 市场 需求导致碳化硅 价格 迅速下滑。从2008年9月到2009年1月，碳化硅一路下跌，一级碳化硅降幅23.38%。在此期间，因需求不旺，碳化硅 市场交易 量大幅下降，国内碳化硅生产企业停产、减产来应对金融危机。11月底，政府为刺激经济，下调电价，但电价的下调，再次推动碳化硅 价格 的走低，并未带动当地电石、铁合金、硅铁、碳化硅等耗能企业动工复产。  进入2009年，因 市场 需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力， 价格 继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅 价格 下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内 市场 的同时，多数出口到国外 市场 ，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年 价格 波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅 价格 迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦 价格 开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅 价格 开始反弹，但下游 市场 需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统 产业 、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高 产业 集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等 行业 实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能 行业 进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、 行业 准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加， 价格 走高。  2010年，我国将继续实施积极的财政政策和适度宽松的货币政策。中国国务院发展研究中心称，2010年中国经济有望出现相对温和的增长和较低 价格 上涨的良好局面，国内生产总值(GDP)增长率预计在9.5%。国内经济的稳步增长将在一定程度上带动国内碳化硅 市场 需求。  工信部部长李毅中指出，2009年我国出口下降16%，2010年预计出口增长8%。在全球经济回暖预期加强的情况下，2010年碳化硅出口情况将好于2009年。虽然出口形势比较乐观，外贸企业仍应时刻关注国际经济形势和汇率变化情况。目前国内碳化硅 价格 趋于平稳。

碳化硅脱氧剂是一种新颖的高性能复合脱氧剂。低品级碳化硅（含SiC约85％）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。碳化硅脱氧剂是一种新颖的高性能复合脱氧剂，可代替 价格 较贵的传统脱氧剂硅铁粉和合金粉，适用于普钢、合金钢和特种钢冶炼时脱氧，具有脱氧迅速、成渣早、还原气氛浓、泡沫丰富等优点，还能有效地提高元素的回收率，也有增碳作用，代替部分增碳剂，大大地降低了炼钢成本。用碳化硅作为炼钢脱氧剂可使钢水质量稳定，且具有细化晶粒，清除钢水中有害杂质的作用，使用后钢水浇铸温度高，铸坯质量好，单位成本低。

2010年国内绿碳化硅 价格 仍将持稳。国内碳化硅 市场价格 在经历2008年到2009年暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的 走势 之后，2010年国内绿碳化硅 价格 仍将持稳。我国绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。  绿碳化硅主要用于线切割 行业 。2008-2009年，绿碳化硅 走势 也同样经历了先涨后跌的 走势 。因原料和国家政策的刺激，绿碳化硅 价格 下滑略微滞后于黑碳化硅。直至2009年底，随着原料和电价的上涨，绿碳化硅 价格 逐步回升。进入2009年，因 市场 需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力， 价格 继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅 价格 下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内 市场 的同时，多数出口到国外 市场 ，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年 价格 波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅 价格 迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦 价格 开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅 价格 开始反弹，但下游 市场 需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统 产业 、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高 产业 集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等 行业 实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能 行业 进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、 行业 准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加， 价格 走高。    目前国内绿碳化硅 价格 趋于平稳。

1 什么是碳化硅    碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。    硅（SI）和碳化硅（SIC）以及其它半导体材料在电气特性和物理特性上有很大不同（表一），但有众所周知的相似元素和结构组成。            表（一） 几种半导体材料性能比较   特性 材料 SIC（4H-） SI GaAs禁带宽度（ev） 3.3 1.12 1.43临界电场（10-6v/cm） 3.0 0.25 0.50热导率（w/cmk） 5.0 1.50 0.50Vsat(107 cm/s) 2.0 1.00 1.00     事实上，碳化硅不是一种新发现的材料。有些人甚至争论说它是所有半导体的曾祖父。关于碳化硅的第一份报告是来自于1842年瑞典人之手。碳化硅不象其它矿物质那样有其自身矿藏，它也不会在自然界中自然出现，而需要用精炼炉的冶炼技术控制工艺来实现。早期碳化硅仅是用於研磨和切割用的材料。上一个世纪碳化硅的发展极其缓慢而艰难。表二显示了SIC的发展主要经历。                           表（二） SIC材料发展史1905年 第一次在陨石中发现碳化硅1907年 第一只碳化硅发光二极管诞生1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SIC作为重要的电子材料1958年 在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法1987年～至今 以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基片     预计十年内（21世纪头十年）= 碳化硅器件会有突破性发展。无论是SIC单晶材料还是SIC器件制造工艺都有重大发展，碳化硅材料开始走向成熟。与硅材料一起共同作为当前和今后主要半导体材料，在有些器件领域起到不可替代的作用并占有恰当市场    碳化硅是原子的复合体而不是单晶体，主要差异和性能在于硅和碳原子的相对数目，以及原子排列的不同结构。碳化硅的物理特性取决于晶体的碳硅原子排列结构，最普通和典型的是6方晶系的结构，称之为6H、4H和3C碳化硅。[next]    SIC属于“宽禁带”半导体，物理特性与硅有很大不同。单晶碳化硅（SIC）比单晶硅（SI）具有很多优越的物理特性，例如（1）大约10倍的电场强度；（2）大约高3倍的热导率；（3）大约宽3倍禁带宽度；（4）大约高一倍的饱和漂移速度（见图1）。                                                       图1 单晶SIC和SI材料性能比较    理论上SIC器件的工作温度在500℃或更高温度，而硅器件是无法实现的。碳化硅的导热率超过铜的导热率，器件产生的热量会快速传递，这无疑对器件的通流性能提高非常有利。    SIC有很强的耐辐射性，作成的器件可以在核反应堆附近及太空中电子设备应用，较小的透射，高的电场强度以及高的饱和漂移迁移率有利于器件体积减少和复杂内部结构建立。    因此可以预见到不久将来，SIC材料和器件工艺的完善。部分SI领域被SIC来替代是指日可待的目标。    半导体材料发展的历史表明，“宽禁带”材料始终处在困难和进展缓慢的状态，如果要获得成功的快速发展，必须满足以下条件：    l 适用及高效的衬底材料    l 超大面积和高质量单晶体薄膜的生长    l 能有效和精确地控制N型区和P型区的掺杂    l 具有合适的有效的绝缘方法，例MIS器件    l 开发表面造型和腐蚀工艺    半导体材料开发成功与否的判据主要是做成器件的性能和适用程度。SIC器件用在功率变流装置领域和高温工作状态是十分理想的材料,。上个世纪末，SIC器件开发成绩显著，PN结器件最高电压4.5KV已经诞生，并取得成功应用的实践。已经显示SIC光控二极管的灵敏度比SI同类器件高4个数量级，另外电流特性可实现更高的功率密度。这对电力电子装置的体积、效率和性能都有显著的改进作用。还可以用于雷达、汽车、飞机、通讯等特殊要求的领域。随着SIC材料和器件工艺完善和成熟，在潜在领域真正实现其价值，而其它半导体是无法达到的环境条件，特别象太空的苛刻条件将为SIC器件优点提供一个绝好应用场合。因此无论如何 ，SIC是一种 “未来的材料”。[next]    2 理想的功率开关器件    电力半导体器件最主要特征是高电压,大功率,通态损耗小, 即功率半导体器件通态电阻小(通态压降小),开关速度(频率)快,开关损耗小.    无功率损耗的功率开关器件是不存在的,但近几年来出现了几种与此接近的器件,即与传统的功率半导体器件相比, 通态压降,开关损耗都非常小,几乎接近理想的半导体器件.    SI材料的MOSFET是一种驱动简单，开关频率和速度很快,功率损耗或称开关损耗很小的功率半导体器件,但至命缺点是电压不高 , 而且随电压升高 , 功耗迅速增加.IGBT是MOSFET的改进功率器件,同样具有MOSEFT器件驱动电路简单开关速度快的特点. 在20世纪80年代IGBT取代双极型结型晶体管, 耐压水平从几百伏很快上升到2KV以上的新型功率半导体器件.但高於2KV的功率装置系统,GTO或IGCT仍然牢牢的占领和控制着市场, 令IGBT望尘莫及. GTO、IGCT作为一种功率开关器件，具有高电压,大电流,能产生很高功率的一种器件, 但需 要用比MOSFET和IGBT更复杂和功率较大的控制电路来驱动.    电力电子线路设计工程师希望有一种器件象MOSFET一样简单易用,还能象IGCT 和 GTO 一样产生很大功率的器件. SIC的MOSFET 器件基本能实现上述要求.    由表（一）清楚地看出,SIC材料具有比SI材料更高的临界电场强度，;Emax (sic)的值大约是硅的10倍.因此同样设定PN结耐压,SIC器件所需衬底材料厚度将是SI器件的十分之一. PN结耐压与衬底材料厚度关系由图(2)三角形电场分布来描述，并由公式（1）计算最大阻断电压。                                                   图2 P+n-二极管阻断状态空间电场分布    Vb是PN耐压；Emax是击穿电场强度; W耗尽层宽度（图2）耗尽层宽度W主要由掺杂量决定的（见公式（2），低掺杂层提供了耗尽层的大部分     Nd是低掺杂浓度，ε是相对介电常数，ε0是真空电容率，V是外加电压，Vdo是内建电势。    低掺杂层提供较宽耗尽区（见图2）。SIC的击穿电场强度比SI大一个参数级，这意味有相同阻断电压的器件，为了增加更宽的耗尽层宽度，SI器件的掺杂浓度需低二个数量级，因此SI器件的有效基区宽度也近似为SIC的10倍。    以5KV耐压的整流二极管硅器件为例，根据方程式（1），耗尽层的宽度大约是350μm，方程式（2）计算出的相应掺杂浓度约2.5×1013cm-3 。而相同耐压的SIC器件高达8×1015cm-3 左右。虽然上述计算比较近似，但已明显显示出SIC器件的优点。    同样考虑5KV整流二极管，SI器件的少子寿命在10～100μs数量级，而SIC器件要求少子寿命比SI器件低1～2个数量级就足够了。 因为长的少子寿命不利于器件关断。    另外热稳定性能能确保器件高温正常工作。因为器件的所有功耗会产生热量。它只能由衬底耗散。为了保证允许的工作温度，必须配置大的冷却装置将热量耗散。由于SIC的高热导率和高温的热稳定性，与SI相比较，冷却装置明显缩小，整个系统也做的较小。    SIC的MOSEFT具有低的传导损耗    MOSEFT器件是一种性能良好的开关器件,尤其适用于20KC频率以上的电力电子装置.器件击穿电压的关系由公式(3)定性给出    方程(3)中Rds,on 是阻断PN结的特征电阻 (Ω-cm2);Vb是PN结阻断耐压;ε是介电常数; ε0是真空电容率;Emax最大临界场 μ是载流子（电子）迁移率。    半导体物理特性显示，电阻Rds.on值随着漂移区宽度的增加而增大，随着掺杂浓度的增加而减少，这是因为载流子流动数量增加的缘故。[next]    按照方式（3）不难看出，MOSFET漂移区的阻值随着击穿电压的增加成平方增加，对硅材料仅在几百伏就达到临界的最高值。而阻值是随着临界电场的增加成立方增加。因为SIC临界电场强度比硅要高10倍，所以SIC的MOSFET的传导损耗远低于硅器件。    10KV双极型SIC晶闸管    前面讨论可以断定，SIC制成的MOSFET器件和肖特基二极管的耐压远高于SI器件。可以高达几千伏电压水平，所以MOSFET器件有望在很多领域得到应用。    SIC的双极型器件，例如晶闸管10KV耐压水平也是很容易制造，少子寿命只要能保持在1μs～10μs之间就能获得良好的开关特性。双极型SI晶闸管，典型击穿电压6KV-7KV，这是器件的制造成本特性。也是与通态损耗、开关损耗之间最佳折衷。极限条件为硅片厚度1mm左右，少子寿命为100μS左右。这种器件只能用于工频条件下的系统中，由于开关损耗的过大而限制了应用范围。    SIC器件的工作温度    SI双极型功率半导体器件，合适的工作温度小于125℃。单极型器件，例如MOSFET，最高工作温度为150℃。最高承受的温度是半导体材料的极限温度，即载流的密度不再由掺杂决定，而是由半导体的禁带宽度所决定，通常称为本征温度。此极限温度之上，所有电流控制能力和电压阻断能力都会消失。对SI而言，极限温度是300℃左右。SIC器件的工作温度比SI器件工作温度高得多。由于SIC的PN结漏电流极小，它能够在远高于300℃时还有阻断能力，极限温度可达到1000℃以上。    美国一个研究中心开发出的碳化硅MOSFET，工作温度为650℃，这种高温能力为电力电子系统设计工程师创造很多有利条件。SIC器件的低损耗都是以硅器件对比而言的。 SIC器件和SI器件性能主要差异见表三                      表三 SI器件与SIC器件性能比较   材料性能 SI器件 SIC器件电流密度（A/cm2） 30 100～300(可达500)最高工作温度（℃） 180-200(PN) 600(max)(PIN)器件耐压 1 5～10(倍)通态损耗 1 1/4～1/10开关损耗 1 1/10～1/100工作温度（℃） 180 300～500     3 SIC器件制造     SIC器件研发工作与SIC材料一样，西方发达国家，以大学和有实力的大公司为主体,投入大量资金、人力，并取得一定成果， 有很高水平的实验室样品，仅PN结耐压高达上万伏。但是真正具有商业价值，能有一定生产量的功率器件很少。最主要原因是SIC材料质量的制约。    电力电子装置所需器件要求高电压、大电流、开关损耗小等特点。就电力电子器件而言，ABB公司在SIC器件研究开发方面在投入资金、成果水平都处在世界领先水平。研究成果之一是击穿电压为4.5KV PIN二极管和2.5KV JBS（结型势肖特基二极管）    当前SIC的单极型器件的生产，材料质量问题的影响不大，仅影响大容量器件生产成品率，大功率器件采用几个芯片并联连接的形式进行封装。    SIC材料的现状，对高压双极型器件，材料质量仍存在较大问题。可靠性指标还须不能满足实际需要，而且生产成品率很低。显而易见对电力电子器件而言，SIC材料仍然是一种可敬又可畏的材料。SIC的大功率器件实现实用性和商品化之前必须先解决材料的质量问题，最需解决是贯穿基片的微管缺陷的小孔（直径为0.1μm～5μm之间）。商品化可用的基片的微管密度不大于102～103/cm2,其次是能较好形成低掺杂浓度（小于1015cm-3）的厚层（50μm以上）和双极型器件的少子寿命。[next]    美国CREE公司是世界上研发、生产SIC材料和器件最著名的公司。其中Φ35mm 4H-SIC晶片,采用热盘CVD生长35～45 μm厚的外延层，掺杂浓度为1015cm-3以下。这种掺杂取决于采用的临界电场强度，理论阻断电压是4.5～６ＫＶ。ABB公司采用一台有特殊功能的光学显微镜，将20mm2 、40mm2面积二极管方形芯片放置在无缺陷的晶片位置。这台仪器可将每一片从CREE公司购进的晶片进行检验，用计算机自动检测，识别并记录在电脑中每个缺陷在SIC晶片上正确位置。并自动生成20mm2，40mm2芯片的位置，而且还自动形成工艺性文件资料，并绘制出芯片的布置平面图形。                                        图3 SIC晶片上各种尺寸芯片平面布图    检查微管缺陷采用激光探头，计算机识别，数据分析并绘出一个晶图片上芯片分布图，大面积的芯片位置之外的剩余地方布置小型（1～5mm2）检测器件。（图3）    ABB公司研究中心的器件研究重点，工艺包括腐蚀，介质淀积、氧化、光刻、金属化和欧姆接触的形成。光刻工艺采用激光系统平板印刷技术（Laser Lithagraphic system）。这与传统IC工艺不同，主要原因是SIC晶片表面粗糙不平，而且需进行9次曝光。重要的是Laser系统与计算机机系统连用便于自动定位。    目前SIC器件，特别是双极型功率器件难于商品化、批量生产，主要原因:    （1）SIC单晶材料缺陷多，至今材料质量还未真正解决；    （2）设计和工艺控制技术比较困难；     （3）工艺装置特殊要求，技术标准高，例离子注入, 外延设备，激光曝光光刻机等；     （4）资金投入很大，运行费用和开发费用昂贵,一般很难开展研发工作。    当前世界上研发SIC器件有美国的Cree公司，德国西门子公司，日本的东芝公司，三菱公司，富士公司。ABB公司与瑞典等合作，投入巨资开展了主要用于输变电工程的二极管，取得商品化成功。德国西门子公司的产品定位在1200V以下低压，小功率器件，已经达到商用化。ABB公司的产品主要定位在4500V，高压大电流器件。[next]    4 为什么SIC器件还不能普及    早在20世纪60年代，碳化硅器件的优点已经为人们所熟知。之所以目前尚未推广普及，是因为存在着许多包括制造在内的许多技术问题。直到现在SIC材料的工业应用主要是作为磨料（金刚砂）使用。    SIC在能够控制的压力范围内不会融化，而是在约2500℃的升华点上直接转变为气态。所以SIC 单晶的生长只能从气相开始，这个过程比SIC的生长要复杂的多，SI在大约1400℃左右就会熔化。使SIC技术不能取得商业成功的主要障碍是缺少一种合适的用于工业化生产功率半导体器件的衬底材料。对SI的情况,单晶衬底经常指硅片（wafer）,它是从事生产的前提和保证。一种生长大面积 SIC衬底的方法以在20世纪70年代末研制成功。但是用改进的称为Lely方法生长的衬底被一种微管缺陷所困扰。    只要一根微管穿过高压PN结就会破坏PN结阻断电压的能力，在过去三年中，这种缺陷密度已从每平方毫米几万根降到几十根。除了这种改进外，当器件的最大尺寸被限制在几个平方毫米时，生产成品率可能在大于百分之几，这样每个器件的最大额定电流为几个安培。因此在SIC功率器件取得商业化成功之前需要对SIC的衬底材料作更大技术改进。                             图4 SIC工业生产的晶片和最佳晶片的微管密度的进展    制造不同器件成品率为40% 和90% 的微管密度值    图4看出，现在SIC材料，光电子器件已满足要求，已经不受材料质量影响，器件的工业生产成品率，可靠性等性能也符合要求。高频器件主要包括MOSFET SCHOTTKY二极管内的单极器件。SIC材料的微管缺陷密度基本达到要求，仅对成品率还有一定影响。高压大功率器件用SIC材料大约还要二年的时间，进一步改善材料缺陷密度。总之不论现在存在什么困难，半导体如何发展， SIC无疑是新世纪一种充满希望的“未来的材料”。

硅在工业生产中是不可缺少的，硅有很多种，跟不同的金属有着不同的作用，现在我们主要来看下金属硅与碳化硅的一些区别和不同。山东碳化硅的冶炼的第一步是先将二氧化硅还原成一氧化硅，之后在一氧化硅的上升过程中，不断的反应，这样会比较容易生成碳化硅，它的反应方程式是：SiO+2C=SiC+CO↑金属硅又称工业硅或结晶硅。呈暗灰色，有金属光泽，熔点高，耐热性好，电阻率高，具有高度抗氧化作用；一般粒度在10~100mm或2~25mm；在矿热炉内质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅，主要用于配制合金，特别是铝合金的配制，制取多晶硅和有机硅及高档耐火材料。碳化硅是用高纯度的石英砂及优质精洗无烟煤经过电阻炉还原反应而生成的碳：硅结晶体化合物，其特点化学性能稳定.硬度高.耐高温，是磨料及耐火材料等行业优质原料。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。

一张图了解碳化硅陶瓷

绿碳化硅微粉生产方式与黑碳化硅基本相同，只是对原材料的要求不同。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成，经冶炼成的结晶体纯度高，硬度大，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。生产工艺 绿碳化硅制造方法同黑色碳化硅，但采用的原材料纯度要求较高，也在电阻炉中2200°C左右的高温下形成，绿色，呈半透明状，六方晶形，其Sic含量较黑色为高，物理性能与黑色碳化硅相近，但性能略较黑色为脆，也具有较好的导热性与半导体特性。 按形状可分为平形砂轮、斜边砂轮、筒形砂轮、杯形砂轮、碟形砂轮等;按结合剂可分为陶瓷砂轮、树脂砂轮、橡胶砂轮、金属砂轮等。砂轮的特性参数主要有磨料、粘度、硬度、结合剂、形状、尺寸等。　由于砂轮通常在高速下工作，因而使用前应进行回转试验(保证砂轮在最高工作转速下，不会破裂)和静平衡试验(防止工作时引起机床振动)。砂轮在工作一段时间后，应进行修整以恢复磨削性能和正确的几何形状。

碳化硅微粉广泛应用于耐火材料、耐磨地坪、泡沫陶瓷、特种涂料、耐腐油漆、脱流环保等行业，同时碳化硅超精细微粉是生产碳化硅陶瓷的理想材料，碳化硅微粉亦是太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业的工程性加工材料。 目前国内碳化硅微粉主要为黑碳化硅微粉和绿碳化硅微粉。碳化硅微粉主要标准有：国标、日标、欧标。市场上主要以国标和日标为主流，出口则以日标为主。 光伏等产业的发展提升碳化硅微粉需求量的不断增加 今年上半年，中国共出口了1064,2220吨碳化硅，占出口配额总量的49%。与去年同期相比，今年的出口量增长129%。中国碳化硅出口量居前五位的国家和地区是日本、美国、中国台湾、韩国和泰国，出口量分别为39,6683吨、35,2281吨、101662吨、97104吨和1,7594吨。 受日本光伏市场急剧扩张的带动，日本主要太阳能晶片制造商增加了绿碳化硅微粉的消耗量，所以绿碳化硅进口量较去年同期有约100%的增长率。同时，由于日本钢铁市场从去年第四季度开始复苏，目前基本达到满负荷生产，日本买家采购冶金级和耐火级碳化硅的数量也呈上涨态势。 中国台湾地区电子科技产业和太阳能光伏产业受益于大陆光伏企业和LED电视订单的大幅增加，对半导体切割料和光伏切割料的需求在亚太地区处于首位，所以今年上半年，台湾进口大陆绿碳化硅微粉量明显增加，是去年的2.77倍。 2011年光伏行业迅猛发展，碳化硅微粉作为光伏切割的主要材料，需求大量增加，由于需求，以及成本的因素影响碳化硅微粉的价格也是一路上涨。 产量急剧增长给粉磨机和振动筛行业带来商机 目前国内主要公司采用干法、湿法、干湿相结合的方法生产碳化硅微粉,以适用于不同产品的不同需求。 碳化硅微粉的生产工艺过程：(1)取碳化硅原料，经破碎机中碎，并筛分至不大于5mm的碳化硅颗粒，再用整形机对其进行整形至不大于2mm的碳化硅颗粒，且其中椭圆形颗粒占80%以上，再对其进行酸洗除杂，干燥;(2)将上述干燥后的碳化硅颗粒用磨粉机粉碎成d50=9.5-11.5μm的碳化硅粉，粉碎时，磨粉机主机电流设定为65-75A，风机流量设定为40-50m3/min，分析机转速为400--600转/分;(3)然后用涡流式气流分级机对碳化硅粉进行分级，分级时，涡流式气流分级机的风机流量为25-43m3/min，分级轮转速为2600--3300转/分，从分级口分出粒度ds94=6.5-5.5μm的成品A，旋风口分出ds94≤5.5μm的半成品;(4)将涡流式气流分级机旋风口分出的半成品用叶轮式气流分级机再进行二次分级，分级时，叶轮式气流分级机的风机流量为25-10m3/min，分级轮转速为1300--1700转/分，从分级口分出粒度为ds94=4.5-3.0μm的成品B，旋风口则分出副产品。 正是由于碳化硅微粉生产工艺的特点，因此，在碳化硅微粉需求不断提升将会给粉磨机和振动筛行业带来巨大的发展机会。 碳化硅微粉产业发展前景 近年来，碳化硅微粉的市场需求及总体产量都急剧增长，越来越多万吨以上的新项目陆续投产或开始建设，但在碳化硅微粉烘干过程中，仍然存在着重污染、高能耗、劳动强度高等问题，影响着行业的规模化发展。技术薄弱仍是影响碳化硅微粉产业发展的一大毒瘤，为此，作为碳化硅微粉产业链上游的粉碎和烘干设备等加工企业应清醒的认识到这一点，产业的高速发展，需要多种因素来实现。 政策导向： 碳化硅微粉生产企业应时刻注意国家政策动向，现在国家将一些稀土、萤石等粉体产品已经列入到了配额制度当中，作为光伏产业不可或缺的碳化硅微粉来说，国家对其进出口贸易是否也存在着限制出口等问题，相关企业应时刻注意国家政策这个风向标。 技术实力： 日本是碳化硅微粉使用大国，在很多领域都需要碳化硅微粉，而且质量相对要求较高，日本在生产碳化硅微粉方面，技术实力雄厚，质量较好。我国出口到日本的碳化硅微粉对一些高要求的应用方面还存在着质量上的不足，因此，提高自身的技术，对我国碳化硅微粉产业的发展有着重要的作用。 盯紧市场动向： 随着近年来我国光伏产业的发展，我国市场对于碳化硅微粉的需求量每年都在递增，因此这段时间可谓我国碳化硅微粉行业的黄金时代。伴随着市场需求的迅猛增长，也催生了一批具有一定规模的微粉加工项目和碳化硅冶炼项目的诞生和发展，国内碳化硅微粉市场大有可为。 环保意识提升产业发展： 因为现在世界发展的趋势是节能环保，所以光伏发电行业是一个市场潜力巨大的行业，而碳化硅微粉是光伏企业生产加工不可缺少的主要原料之一，因此伴随着光伏发电行业的发展，碳化硅微粉企业会再次迎来发展的机遇。

摘要碳化硅微粉是一种超硬材料，其作为磨料或填料在陶瓷精磨磨具、树脂抛光砂轮以及金刚石抛光砂轮等方面有着广泛的应用。由于具有硬度高、强度高、抗氧化和耐磨性能好等优异性能，SiC微粉在耐火材料、功能陶瓷、结构材料等非磨削用途方面的应用也非常广泛。1、什么是碳化硅微粉碳化硅微粉是一种超硬材料，其作为磨料或填料在陶瓷精磨磨具、树脂抛光砂轮以及金刚石抛光砂轮等方面有着广泛的应用。由于具有硬度高、强度高、抗氧化和耐磨性能好等优异性能，SiC微粉在耐火材料、功能陶瓷、结构材料等非磨削用途方面的应用也非常广泛。碳化硅微粉碳化硅本身硬度高，要使其粒径分布达到所限定的范围，对于碳化硅微粉的粉碎和分级来说十分困难，且随着工业生产的发展、科技进步和市场需求的日益增长，对碳化硅微粉的生产提出了更高的要求，包括诸如高生产率、低能耗、粒度分布狭窄及低污染等。2、什么是气流粉碎和分级技术气流粉碎和分级技术是近些年发展较快的一项超微粉碎技术，由于其具有粉碎强度大、粉碎颗粒粒度细、分布窄、产品污染小等优点，在医药、化工原料和特种粉末制备方面得到了广泛的应用。密友QF系列气流粉碎机(气流磨)(1)气流粉碎气流粉碎的原理是在高速气流作用下，通过颗粒之间或颗粒与靶的冲击碰撞、摩擦、剪切而使颗粒粉碎。气流粉碎具有以下特点：①高速气流会对颗粒产生很高的速度，颗粒冲击强度大，能得到微米甚至亚微米级别的超细粉体;②颗粒产品纯度高，污染小;③所得产品粒度分布窄，颗粒形貌光滑，颗粒分散性好;④喷嘴喷出的气流因为节流效应温度会降低，能用于粉碎热敏性物料。(2)气流分级气流分级的原理：物料在风机抽力作用下由分级机下端入料口随上升气流高速运动至分级区，在高速旋转的分级涡轮产生的强大离心力作用下，使粗细物料分离，符合粒径要求的细颗粒通过分级轮叶片间隙进入旋风分离器或除尘器收集，粗颗粒夹带部分细颗粒撞壁后速度消失，沿筒壁下降至二次风口处，经二次风的强烈淘洗作用，使粗细颗粒分离，细颗粒上升至分级区二次分级，粗颗粒下降至卸料口处排出。气流分级机气流粉碎机由于结构简单，没有切刀、磨盘等运动部件，其能够安全平稳运行，且自动化程度较高。但目前普遍认为气流粉碎设备的缺点是能耗高，能量利用率低，故气流粉碎与气流分级设备通常联用，或者是气流粉碎机内部设有气流分级机，通过气流分级设备及时将气流粉碎合格的颗粒分离出来，减少过粉碎，提高设备生产能力和能量利用率，这就是气流分级和分级技术。3、气流粉碎和分级技术在碳化硅微粉生产中的应用目前，气流粉碎和分级设备是碳化硅微粉行业不可替代的超微细加工设备，以气流粉碎机和分级系统为例，其气流粉碎和分级工艺如下：碳化硅微粉气流粉碎和分级工艺流程(1)分级轮和系统风量对碳化硅微粉产品的影响根据分级原理，对碳化硅微粉的分级显然需要提高分级轮的转速，分级轮转速的高低决定离心力场的大小，而系统风量的大小影响着颗粒所受阻力的大小，原则上要使颗粒获得尽可能大的离心力和最小的阻力。为了获得碳化硅微粉的精确分级，单纯提高分级轮转速是不经济的，还需合理地控制辅助风与主风量的比例，系统在相对小风量运行时，调节分级轮转速对粒径的变化更为灵敏。但是总风量的减少将导致处理量的减少，显然也是不经济的，因此，系统运行时应权衡利弊，选择最佳工况参数。(2)原料的进料方式和分散对产品性能的影响常用的振动喂料和螺旋喂料器，不仅均匀性差、机件磨损严重，且团聚和结块直接影响了分级效果。生产中可采用振动喂料器+关风机+长管气体输送相结合的方法，保证进入分级室的粉料是均匀、定量喂入的。由分级室外夹套引入的三次风，进一步帮助细粉的分散，这使生产运行稳定，工人易于操作，同时也能保证产品的质量。同时，保证原料的气固浓度适宜和分散良好是提高分级效率的关键。(3)产品性能采用气流粉碎机和分级系统生产的碳化硅微粉产品，完全可以满足我国磨料行业沿用的GB/T2477-83标准中W14、W10、W7、WS等微细粉产品粒度分布要求，而且达到日本用于固结磨具用磨料微粉的JIS86001-1987工业标准中F1000、F1200、F2000等产品的粒度分布要求，细粉得率达到80%。4、在线智能检测系统与气流粉碎和分级技术的结合在线检测智能化气流粉碎系统  随着粒度在线检测方法和自动控制系统的发展，可以将其与气流粉碎和分级系统结合起来，实时跟踪、监测物料的粒度状况，整个粉碎过程的产品粒度状况由在线检测仪连续检测监控、显示并记录，控制系统根据粒度的波动变化自动调整粉碎、分级工艺参数，使产品质量、系统性能达到最大化。

1.铝碳化硅陶瓷复合材料概述　　铝碳化硅陶瓷复合材料　　铝碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料是金属和陶瓷的复合材料。与传统的金属材料比较，颗粒增强铝基复合材料不只兼有金属的高塑性、高韧性和增强颗粒的高模量、高硬度，一同具有各向同性，是运用远景很广的材料。碳化硅颗粒增强铝基复合材料可用来制作卫星及航空结构材料，如卫星支架、结构连接件、管材、各种型材、翼、制导元件;制作飞机零部件等，开展这种材料具有重要的战略意义。　　2.铝碳化硅复合材料的特性　　碳化硅颗粒增强铝基复合材料碳化硅和颗粒状的铝复合而成，其间碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(出产绿色碳化硅时需求加食盐)等质料在电阻炉内经高温训练而成，再和增强颗粒铝复合而成。　　增强颗粒铝在基体中的散布情况直接影响到铝基复合材料的概括功用,能否使增强颗粒均匀松散在熔液中是能否成功制备铝基复合资料的要害,也是制备颗粒增强铝基复合资料的难点地址。纳米碳化硅颗粒散布的均匀与否与颗粒的大小、颗粒的密度、添加颗粒的体积分数、熔体的粘度、搅拌的办法和搅拌的速度等要素有关。　　3.铝碳化硅复合材料利益　　铝基复合材料具有高导热、密度小、本钱低，一级概括优势，是金属基材猜中的重要品类，在国际国内规划内有广泛研讨并运用于工业化出产。铝基复合材料包含纤维增强和颗粒增强两大类。其间颗粒增强铝基复合材料本钱低、功用安稳且易完结规划出产，变成铝基复合材料研讨和运用的抢手方向。以铝合金为基体的复合材料有铝碳化硅和硅铝等，广泛运用于航空航天、电子信息、壳体封装和现代交通等广泛领域。　　铝碳化硅是以铝合金作基体，碳化硅颗粒为增强体的颗粒增强金属基复合材料，融合了碳化硅陶瓷和金属铝的不一样优势，是第三代微电子封装材料产品，具有高导热、高刚度、低密度、适合的膨胀系数等特征，能有用进步电子器件的封装热管理能力。一同以其耐腐蚀、可加工功用好和易回收的优势，铝碳化硅运用于工业规划化出产可下降本钱，在军用和民用领域得到推广。与传统材料比照，颗粒增强金属基复合材料不只兼有金属的高耐性、高塑性利益和增强颗粒的高硬度、高模量利益，并且材料各向同性，可选用传统的金属加工技术进行加工，因此备受我们重视。　　4.铝碳化硅复合材料制备工艺　　粉末冶金法　　粉末冶金法具有一些共同的利益，如可任意调理增强相的体积分数(最高可达70%)，较精确地操控成分比，且其增强颗粒的粒径在纳米范围内可调。此外，粉末冶金工艺的烧结温度较低，可有用减轻增强体与基体间的有害界面反响，制得的复合材料具有杰出的力学功能。近年来，进一步开宣布机械合金化-粉末冶金法。该法制备的复合材料，其增强体颗粒散布均匀，粒度在纳米至微米范围内可调，增强相的体积分数可高达70%，与基体的界面结合杰出，所制备的复合材料力学功能优异。美国DWA公司选用机械合金化-粉末冶金法出产了碳化硅颗粒增强铝基复合材料，已将其运用于轿车、飞机、航天器等。　　压力铸造法　　此法是将液态或半液态金属基复合材料或金属以必定速度填充压铸模型腔，或增强材料预制体的空地中，在压力效果下使其快速凝结成形而制备出金属基复合材料，包含揉捏铸造法、离心铸造法、气体压力浸透铸造法等。现在，出产运用中运用较多的是揉捏铸造法，其具体办法是：首先把碳化硅颗粒增强相以恰当的粘结剂粘结制成预制块，然后装入铸模，浇入精粹的铝基体金属熔体，并当即加压使熔融的金属熔体浸渗到预制块中，凝结之后即得碳化硅颗粒增强铝基复合材料。压力铸造法的首要利益是：可大批量制作颗粒增强铝基复合材料的零部件，成本低;浸渗时熔体与增强材料在高温下触摸时间短，避免了界面反响产品对复合材料的晦气影响;高压效果促进了熔体对增强材料的潮湿，增强材料无需进行表面预处理;所制备材料的安排细密，无气孔。　　喷发堆积法　　此法是将液态金属在高压下雾化，并在其流出时将增强颗粒喷发入金属液中，两相混合的雾化液体随后在容器中堆积成形。喷发堆积法选用不同形状的基体和不同的基体运动方法可获得管坯、圆柱坯、带坯等不同产品。此法的利益是可直接由液态金属雾化和堆积构成具有快速凝结安排和功能特征及必定形状的坯件;确保了增强颗粒在基体中的散布均匀性;冷却速度很快，避免了增强颗粒与金属基体之间的界面反响;对界面的潮湿性要求不高，晶粒非常细微。

我国碳化硅技能水平全球抢先 我国是全球碳化硅最大的出产国和出口国，碳化硅职业经过多年的开展，现在其冶炼出产工艺、技能装备和单吨能耗现已到达了国际抢先水平，黑、绿碳化硅原块的质量水平也属国际级。 此外，我国碳化硅技能水平还可从专利技能状况来体现，经过查找到的碳化硅相关专利状况数据显现，到2018年1月底，我国碳化硅相关专利申请数量到达了36008件。 近年来跟着碳化硅的使用范畴和使用规划越来越大，我国碳化硅专利申请反常活泼。2000年碳化硅的专利申请数量还只有183件，到2014年碳化硅相关专利申请数量到达4716件，为前史最高值。2017年碳化硅相关专利申请数量为2136件，有所回落。 图表1：1998-2017年我国碳化硅职业相关专利申请数量变化图(单位：件)但是，需求留意的是，虽然我国碳化硅职业技能现已到达国际抢先水平，但在出产过程和顶级产品等方面还存距离，首要体现在以下四个方面： 图表2：我国碳化硅与国际先进水平的距离我国碳化硅位置：产能、消费量全球榜首 但产能使用率低 我国是碳化硅最大的出产国和消费国，现在大约有200多家出产厂商从事碳化硅冶炼。依据前瞻计算的数据显现，2016年全球碳化硅的产能在310万吨左右，其间我国碳化硅产能为230万吨左右，占有全球75%左右的比例。除了我国以外，国际上首要的碳化硅出产地会集在美国、俄罗斯、德国、荷兰、日本等国。 此外，我国也是碳化硅最大的消费国。2016年，我国的消费量到达了65万吨左右，占有全球50%左右的消费商场比例。 但是，因为我国碳化硅职业产能过剩严峻，导致职业产能使用率低，大都厂商的开工率缺乏5成。详细为黑碳化硅约为60%，绿碳化硅为30%，归纳开工率为50%。产能的严峻过剩，导致职业竞赛加重，厂商全体只能保持微利。 图表3：全球碳化硅产能散布(单位：%)图表4：我国碳化硅产能使用状况(单位：%)碳化硅出口配额撤销 出口量增加敏捷 近年来，受电力、环保、人工等出产成本要素约束，美国、德国、日本等发达国家的普通碳化硅出产厂商纷繁停产，首要经过在我国收购或在我国建立加工厂出产碳化硅原材料，在国外进行深加工成为高附加值碳化硅产品，首要用于晶硅片切开、精密陶瓷研磨等范畴。 因为碳化硅是资源性产品，2013年曾经我国对碳化硅施行出口配额管理制度。按捺了碳化硅的出口。2013年1月1日，撤销碳化硅出口配额之后，2013年碳化硅出口量激增，2013年出口量到达28.68万吨，较2012年增加74.13%。2017年我国碳化硅出口量为38.39万吨，同比增加18.71%。日本、美国、韩国为我国碳化硅首要出口国家。 图表5：2012-2017年我国碳化硅出口状况(单位：万吨，%)深加工、高附加值的碳化硅制品是职业未来转型方向 现在，《我国制作2025》以及“十三五规划”都清晰将碳化硅职业定位为要点支撑职业，国内的国家电网、我国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通讯芯片等范畴的使用开端连续加大出资，碳化硅职业在国内方兴未已。 但是现实是，当时我国碳化硅首要用于耐火材料和磨料磨具等传统低端使用范畴，附加值低。面对为用处越来越广泛和精密的碳化硅商场，未来向深加工、高附加值的碳化硅制品转型是职业开展的关键所在。

镀锌钢带——钢带(steel-belt) 　　以碳钢制成的输送带作为带式输送机的牵引和运载构件。 　　钢带的特性分类 　　钢带是 产量 大、用途广、品种多的钢材。按加工方法分为热轧钢带和冷轧钢带；按厚度分为薄钢带（厚度不大于4mm）和厚钢带（厚度大于4mm）；按宽度分为宽钢带（宽度大于600mm）和窄钢带（宽度不大于600mm）；窄钢带又分为直接轧制窄钢带和由宽钢带纵剪窄钢带；按表面状态分为原轧制表面和镀（涂）层表面钢带；按用途分为通用和专用（如船体、桥梁、油桶、焊管、包装、自生车等）钢带。 　　钢带是各类轧钢企业为了适应不同工业部门工业化生产各类 金属 或机械产品的需要而生产的一种窄而长的钢板。钢带又称带钢，是宽度在1300mm以内，长度根据每卷的大小略有不同。带钢一般成卷供应，具有尺寸精度高、表面质量好、便于加工、节省材料等优点。同钢板相同，钢带按所用材质分为普通带钢和优质带钢两类；按加工方法分热轧钢带、冷轧带钢带两种。

不锈钢带的生产方法，不锈钢带应用到军工、汽车、电子或家电等行业，属于冷轧基板材料技术领域。特征是：选用不锈钢带坯料经第一次轧程，轧制成半成品不锈钢带；将半成品不锈钢带进入退火炉，同时充入保护气体，退火炉内的温度分为六个区域和预热段；退火结束后，再经第二次轧程，将半成品不锈钢带轧制成厚度为：０．２～０．５ｍｍ的成品不锈钢带；然后将轧制后的不锈钢带经拉直矫平，裁剪、包装为成品。本发明冷却效果好，能减少轧制道次；能降低生产成本，提高产品质量和产量；能提高表面光洁度及平直度，并能满足客户对硬度的使用要求。 不锈钢带的厚度大于1.2mm采用洛氏硬度计，测试HRB、HRC硬度。厚度为0.2～1.2mm的不锈钢带采用表面洛氏硬度计测试HRT、HRN硬度。厚度小于0.2mm的不锈钢带，采用表面洛氏硬度计配金刚石砧座，测试HR30Tm硬度。 在不锈钢带的生产过程中，有一个十分重要的工序，这就是退火－精整处理。不锈钢的退火－精整处理通常是在连续退火机组上进行的，不锈钢带以某一速度连续运动，不锈钢带的硬度主要依靠改变运动速度或调节精整压下率来调整。不锈钢带材的硬度是一项十分重要的质量指标，它关系到以不锈钢带为原料的冲压、焊管及其他变形或非变形加工的产品质量和工作效率。如何能在不停机的条件下，在生产现场快速无损地检测不锈钢带的硬度，通过现场调整工艺参数保证最终产品的硬度在规定范围之内。这是不锈钢带生产，以及冷轧钢带生产中一项亟待解决的难题。 最新生产的W－B75型韦氏硬度计较好地解决了这一问题。这种仪器有20个刻度，它采用洛氏硬度值为90HRB的标准洛氏硬度块来校正仪器，这一硬度值被设定在仪器13～14的范围内，这种仪器可以当作一台简单的HRB洛氏硬度计来使用。它可以有效地区分退火不锈钢带的软态、1/8硬、1/4硬、1/2硬及全硬状态。仪器重量不到1kg，它象一把钳子一样（俗称钳式硬度计或硬度钳），在不锈钢带上掐一下即可。测试后在不锈钢带上只留下一个极小的压痕，这个压痕既不影响外观，又不影响使用，可认为是无损检测。整个操作过程只需要1秒钟时间。这种仪器的采用可能有效地解决不锈钢带硬度的在线检测，在线控制问题。可以有效地提高不锈钢带产品的合格率，降低不锈钢带产品硬度的分散性，提高工厂的质量管理水平。我们相信这种新改进的W－B75型韦氏硬度计，在不锈钢加工行业一定会受到广泛的欢迎。

选择硅钢片的磁通密度应遵守以下几个原则：(1)由于硅钢片有磁饱和现象，如果选用磁通密度太高，空载电流和空载损耗就会很大，因此磁通密度要选在饱和点以下。电力变压器冷轧硅钢片可取1.65~1.7T；热轧硅钢片可在1.45T以下。(2)要考虑电力变压器的运行特点，在过激磁5％时，在额定容量下应能连续运行。(3)油浸变压器正常运行时，铁心表面温度不超过80℃，若温升过高，加冷却油道后仍不能降低温升时，就要降低正常工作时的磁通密度值。硅钢片密度 采用喷射成形和轧制工艺制备了厚度为0.5mm的Fe-4.5%Si高硅钢片，并对其密度、显微组织和电磁性能进行了测试分析，研究结果表明：在最佳的喷射成形和轧制工艺条件下，所制备硅钢片的磁感应强度B25为1.544T、B50为1.641T；铁损P1050为1.437W/kg、P1550为3.43W/kg，说明喷射成形轧制技术可以制备出高磁感应强度、低铁损的高硅钢片  由于硅钢在交变磁场中的损耗很小，所以变压器主要都是采用硅钢片来作磁性材料。硅钢片可分为热轧和冷轧两类，冷轧硅钢带由于具有较高的导磁系数和较低的损耗，因此用来制作变压器具有体积小、重量轻、效率高的优势。热轧硅钢带的性能则略逊色于冷轧硅钢带。    普通的EI型变压器是将硅钢板冲制成0.35–0.5mm厚的E型和I型片子，经过热处理后再插入绕组线包内，这类铁芯以使用热轧硅钢片居多(含硅量很高的优质硅钢片型号为D41、D42、D43、D301)。环型和C型变压器的铁芯则是采用冷轧硅钢带经卷绕而成形，其中C型变压器系经热处理浸漆后再切开制成。    变压器的漏电感是由未穿过初、次级线圈的磁通产生的，这些磁通穿过空气而自成闭合磁路。增强变压器变压器初、次级间的耦合密度可以减小漏感。良好的变压器其漏感应不超过初级线圈电感的1/100，高保真Hi–Fi用的胆机输出变压器则不应超过1/500。    判断音响用变压器硅钢片质量高低的重要参数之一是硅钢片的最大磁力线密度。常用的几种优质硅钢片型号如下∶D41–D42，最大磁力线密度(单位–GS高斯)10000–12000GS;D43，最大磁力线密度11000–12000GS;D301，最大磁力线密度12000–14000GS。

1）冷轧无取向硅钢带（片） 表示方法：DW+铁损值（在频率为50HZ，波形为正弦的磁感峰值为1.5T的单位重量铁损值。）的100倍+厚度值的100倍。 如DW470-50 表示铁损值为4.7w/kg，厚度为0.5mm的冷轧无取向硅钢，现新型号表示为50W470。 （2）冷轧取向硅钢带（片） 表示方法：DQ+铁损值（在频率为50HZ，波形为正弦的磁感峰值为1.7T的单位重量铁损值。）的100倍+厚度值的100倍。有时铁损值后加G表示高磁感。 如DQ133-30表示铁损值为1.33，厚度为0.3mm的冷轧取向硅钢带（片），现新型号表示为30Q133。 （3）热轧硅钢板 热轧硅钢板用DR表示，按硅含量的多少分成低硅钢（含硅量≤2.8%）、高硅钢（含硅量＞2.8%）。 表示方法：DR+铁损值（用50HZ反复磁化和按正弦形变化的磁感应强度最大值为1.5T时的单位重量铁损值）的100倍+厚度值的100倍。如DR510-50表示铁损值为5.1，厚度为0.5mm的热轧硅钢板。 家用电器用热轧硅钢薄板的牌号用JDR+铁损值+厚度值来表示，如JDR540-50。中国表示方法： 硅钢片牌号 （1）冷轧无取向硅钢带（片）表示方法：DW+铁损值（在频率为50HZ，波形为正弦的磁感峰值为1.5T的单位重量铁损值。）的100倍+厚度值的100倍。如DW470-50 表示铁损值为4.7w/kg，厚度为0.5mm的冷轧无取向硅钢，现新型号表示为50W470。（2）冷轧取向硅钢带（片）表示方法：DQ+铁损值（在频率为50HZ，波形为正弦的磁感峰值为1.7T的单位重量铁损值。）的100倍+厚度值的100倍。有时铁损值后加G表示高磁感。如DQ133-30表示铁损值为1.33，厚度为0.3mm的冷轧取向硅钢带（片），现新型号表示为30Q133。（3）热轧硅钢板热轧硅钢板用DR表示，按硅含量的多少分成低硅钢（含硅量≤2.8%）、高硅钢（含硅量＞2.8%）。表示方法：DR+铁损值（用50HZ反复磁化和按正弦形变化的磁感应强度最大值为1.5T时的单位重量铁损值）的100倍+厚度值的100倍。如DR510-50表示铁损值为5.1，厚度为0.5mm的热轧硅钢板。家用电器用热轧硅钢薄板的牌号用JDR+铁损值+厚度值来表示，如JDR540-50。 其他表示法： 1.取向型美国 M-4,M-5,M-6 英国 28M4,30M5,30M6 日本 27Z130(Z9),30Z140(Z10),35Z155(Z11) 中国 Q09(0.27),Q09(0.3),Q10(0.35) 2.无取向型 美国 M-15,M-19,M-22,M-36 英国 G250,G265,G315,G335 日本 H9,H10,H12,H14 中国 W09,W10,W12,W14  3.除以上两种规格的区分外 , 还有A品(炖烧)和N品(不炖烧) 的区分 , 也有称黑片和白片的 4.厚度取向型 0.23,0.27,0.30,0.35 无取向型 0.35(0.36 29GA),0.5(0.47 26GA) 硅钢片又称为电工钢板是电力和电子工业中用途最广﹑用量最大的一种软磁材料. 它具有高的磁感应值(BS=2T左右) , 低的铁损,不含贵重元素 , 价格低 , 性能档次多

（二）电工用冷轧硅钢薄板（GB2521-88）  　　用含硅0.8％-4.8％的电工硅钢为材质，经冷轧而成。  　　冷轧硅钢片分晶粒无取向和晶粒取向两种钢带。冷轧电工钢带具有表面平整、厚度均匀、叠装系数高、冲片性好等特点，且比热轧电工钢带磁感高、铁损低。用冷带代替热轧带制造电机或变压器，其重量和体积可减少0％-25％。若用冷轧取向带，性能更佳，用它代替热轧带或低档次冷轧带，可减少变压器电能消耗量45％-50％，且变压器工作性能更可靠。  　　用于制造电机和变压器。通常，晶粒无取向冷轧带用作电机或焊接变压器等的状态；晶粒取向冷轧带用作电源变压器、脉冲变压器和磁放大器等的铁芯。  　　钢板规格尺寸：厚度为0.35、0.50、0.65mm，宽度为800-1000mm，长度为≤2.0m。

标准配置序号 品名 型号规格 数量1  测试电源  TPS-500M 12  数据采集卡  PC6112 13  测量软件  SMTest 14  电脑  Dell Dimension E520-n 15  打印机  HP1020激光打印机 16  爱泼斯坦方圈  25cm 17  方圈标样  1kg左右 1硅钢片磁化曲线可选配件序号 配件名称 功能说明 备注1  500mm×500mm SST  用于半整张硅钢片的测量  2  1000mm×1000mm SST  用于整张硅钢片的测量  3  非标磁导计  用于测量特定尺寸的硅钢片  按用户要求定做   冷轧硅钢片铁芯磁化曲线的_——,—一测定结果,并警制出完整的中颓与工频磁化曲线,证明在同一磁密下,中频铁芯磁导鼋岛为工额的/3～/2.关叠词;蹩!墨!,鎏』±,.!!塑中额与工频我所于959年提出了采用互感器校验仪测定铁芯磁性能的原理线路",随后又作了详细的论述,并实际测定了相当于340的冷轧硅钢片铁芯的磁性能,绘制了完整的一日和一日磁化曲线.达种铁芯磁性能的测定方法一直沿用至今,而且可提供的磁亿曲线也一直是我所和其它有关单位设计制做电流互感器和电压互感器的计算依据".一般认为,当频率变化不大时,例如4060,铁芯磁性能变化不大,但在中频400下,铙芯磁性能究竟有多大变化,至今未见到有关资料.近来,我所研制中频400互感器,需要完整的铁芯磁化曲线,为此我们仍然利用互感器校验仪(中颓与工颊),对同一材料1冷轧硅钢片分别进行中频和工额磁性能的测定,以便观察在中额和工频下铁芯磁性能的变化.1测定线路和计算公式.采用型互感器校验仪测铣芯磁性能的线路如图1所示.图中.为0.5级以上电流互感器,其电流比为瓦,一次电流通过被涮铣芯的励磁绕组ⅳ.:1匝,给铁芯励磁,二次电流给校验仪供电,铁芯的测?8?圈1量绕组=1匝,接校验仪剐端钮,进行测试,校验仪用测阻抗量限,仪器读数为,+,可以算得日:『上(/)式申一一铁芯平均磁路长()..鬈()式中,一一频率()一一铁芯截面()_——铁芯叠片系数,取=0.94.2测定和计算结果铁芯尺寸为125/150×20,测定和计算结果如下所述.2.1中颧数据中额测定和计算数据如表1行列..2工囊数据(略)2.3中频和工鞭磁化曲线根据测定与计算结果,分别绘制中颓与工频一日曲线如图2至图5所示,一日曲线如图6所示,图中曲线1为中额400?曲线2为工频50固2圈3//,///1耖图4////圈5240圈63讨论3.1工频一日和一日曲线(曲线2)与文[2]所附34铁芯的一日与～日血线基本一致.说骐近20多年来一般冷硅锕片的磁性能和热处理工艺没有明显的提高,困而文[2)所附蓝线至今仍可使用.3.2在同一磁密下,中频冷轧硅片铁芯的磁导率约为工频的/2～】/3.3.3工频铁芯最大磁导率的磁密约为1,且随着磁密增大,磁导率显着下降.而中频铁芯最大磁导率约为0.86,且磁密增大至1.5对,磁导率下降并不多.3.4在同一低磁场强度下,中颊的铁芯损耗角比工频约大0～80%,而在=08/对,中频和工频铁芯损耗角相近,当日&;0.2/时,工频铁芯损耗?9?寰仪器读数计算结果五()丑()()()

家电用热轧硅钢薄板（GBH46002-90）  　　家电用热轧硅钢薄板的牌号以J（家）D（电）R（热轧）表示，即JDR。JDR后数字为铁损值*100，横线后数字为钢板厚度(mm)*100。家电用热轧硅钢片对电磁性能要求可稍低一点，铁损值（P15/50）最低值为5.40W/kg。一般不经配洗交货。  　　用于各种电风扇、洗衣机、吸尘器、抽油烟机等家用电器的微分电机等。

碳化钨粉(WC)是生产硬质合金的主要原料，化学式WC。全称为 Wolfram Carbide, 也译作tungsten carbide为黑色六方晶体，有金属光泽，硬度与金刚石相近，为电、热的良好导体。熔点2870℃, 沸点6000℃，相对密度 15.63(18℃)。碳化钨不溶于水、盐酸和硫酸，易溶于硝酸－氢氟酸的混合酸中。纯的碳化钨易碎，若掺入少量钛、钴等金属，就能减少脆性。用作钢材切割工具的碳化钨，常加入碳化钛、碳化钽或它们的混合物，以提高抗爆能力。碳化钨的化学性质稳定。提炼方法: 用金属钨粉和炭黑为原料，按一定比例配成混合料，将混合料装入石墨舟皿中，置于炭管炉内或高中频感电炉中，在一定温度下进行炭化，再经球磨、筛分即得碳化钨粉。粗晶碳化钨分子式为WC，具有一些中、细晶WC粉不同的特殊性能和用途，尤其是高温WC具有结构缺陷少、显微硬度高、微观应变小等优点，广泛应用在地矿开采、石油钻探、车床加工等方面。硬度仅次于金刚石，价值极高。目前粗晶WC的生产方法主要有：1.钨粉高温碳化  高温长时碳化，可以使WC的晶格缺陷降至最低、微观应变最小，WC的塑性得到改善。这是目前国内的主要生产方式。碳化的温度不宜超过1800-1900℃，在超过1800℃，WC晶粒间易发生晶界融合长大，致使WC粒度分布不均。一些研究表明，降低原料钨的粒度，提高碳化温度，降低碳化时间，可以提高获得的WC品质。2.氧化钨掺锂盐的中温还原和高温碳化  该法原理为：通过加入添加剂，加速WO3还原过程中的挥发沉积速率，致使钨粉粒度在较低的温度下得以长大，用于钨粉长大的添加剂为锂盐，该法主要用于制取矿用合金和冷微模合金。3.添加钴、镍高温碳化  在钨粉配碳时加入少量钴、镍或它们的氧化物，可以改变碳化机理，提高碳化的速度，此种方法生产的粗晶WC的晶粒度受配钴量的影响极大，配钴量越大所得WC越粗。4.添加钠盐法  在APT中添加钠盐，然后在较高的温度下还原，可得粒度大于10μm的粗钨粉，再经高温碳化可得粗颗粒WC粉。该法还处于研究中，一些技术还不成熟。5 .APT快速锻烧快速还原法  此法的实质是将APT在850-1000℃下于氧化气氛中快速加热锻烧，然后在氢气炉中快速加热到1100-1300℃的温度下还原，用此种方法可制备粒度为25-36μm的钨粉。6. 卤化物沸腾层氢还原法  将钨的氯化物或氟化物在沸腾层中用H2还原。首先将H2和原始钨粉送入反应器底部，制成钨沸腾层，而卤化物蒸气由反应器上部通入反应器内，在给定的最佳温度下被H2还原成钨粉，并沉积在原始钨粉上，使原始钨粉逐渐粗化，定期有反应器内部卸出钨粉。用此种方法制备的钨粉粒度大于40μm。7.粗晶铝热工艺  通过高吸热反应使WC直接从钨精矿中生产出来，该法能生产高纯度、粗颗粒、大块、单相WC晶粒。8.钨精矿熔盐碳化法（气体喷射法） 首先在1050-1100℃的高温下，用Na2SiO3-NaCl熔盐将钨精矿分解，将所生成的Na2WO4-NaCl熔盐相同含有Fe、Mn、Ca的硅酸盐相分离，然后用甲烷喷入熔盐相中，生成粗晶WC。该法优点成本低，约为通常60%，缺点是杂质（Mo、Cr、Fe、Ni、Si）含量偏高，需要长时间的化学处理。

（2）硅钢片性能指标  　　A、铁损低。质量的最重要指标，世界各国都以铁损值划分牌号，铁损越低，牌号越高，质量也高。  　　B、磁感应强度高。在相同磁场下能获得较高磁感的硅钢片，用它制造的电机或变压器铁芯的体积和重量较小，相对而言可节省硅钢片、铜线和绝缘材料等。  　　C、叠装系数高。硅钢片表面光滑，平整和厚度均匀，制造铁芯的叠装系数提高。  　　D、冲片性好。对制造小型、微型电机铁芯，这点更重要。  　　E、表面对绝缘膜的附着性和焊接性良好。  　　F、磁时效  　　G、硅钢片须经退火和酸洗后交货。  　　（一）电工用热轧硅钢薄板（GB5212-85）  　　电工用热轧硅钢薄板以含碳损低的硅铁软磁合金作材质，经热轧成厚度小于1mm的薄板。电工用热轧硅钢薄板也称热轧硅钢片。  　　热轧硅钢片按其合硅量可分为低硅（Si≤2.8％）和高硅（Si≤4.8％）两种钢片。