高纯金属硅
2017-06-06 17:49:51
高纯金属硅 （ 99.99%-99.9999%） 熔点. 1410 0C, 沸点. 2355 0C, 密度2.33 gm/cm3 蓝白色, 非常脆, 低导热导电系数. 成块状、锭状、板状和薄片状等. 用于半导体, 光电照相装置常用于制造多晶硅和高纯度二氧化硅。 工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为97~98%，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。 中国是全球主要的金属硅产地，2007年中国金属硅总产量为95-100万吨，而2006年中国金属硅总产量为75-80万吨。2007年中国国内金属硅消费量达25万吨以上，而且近几年国内对金属硅的需求也在不断增加，国内消费量在总产量中的比重也在不断提高。2008年1-3月份中国金属硅生产量在200,000-250,000吨左右。除去出口量，中国国内消费量在35,000-85,000吨左右。 更多关于高纯度金属硅的资讯，请登录上海有色网查询。
高纯金属硅
2017-06-06 17:49:50
高纯金属硅 （ 99.99%-99.9999%） 熔点. 1410 0C, 沸点. 2355 0C, 密度2.33 gm/cm3 蓝白色, 非常脆, 低导热导电系数. 成块状、锭状、板状和薄片状等. 用于半导体, 光电照相装置常用于制造多晶硅和高纯度二氧化硅。 高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法，在高纯氩气的保护氛中，以石墨坩埚为正极、设于石墨坩埚中间的竖向石墨电极为负极，在所述石墨坩埚内壁与石墨电极外壁上上下错开设置水平格栅，加热石墨坩埚中的高纯金属硅至１６５０－１８００℃产生硅蒸气，使硅蒸气上行经过格栅后冷却收集得到高纯多晶硅。本发明与传统提纯工艺相比，不仅大幅缩短了提纯工艺流程，而且工艺稳定、效率高，降低了太阳能电池的原料成本，得到的高纯多晶硅纯度稳定、一致性好；提纯设备的制造成本低，生产过程中也无排污，环保效益好。 金属硅又称结晶硅或工业硅，其主要用途是作为非铁基合金的添加剂。硅是非金属元素，呈灰色，有金属色泽，性硬且脆。硅的含量约占地壳质量的26%；原子量为28.80；密度为2.33g/m3；熔点为1410C；沸点为2355C；电阻率为2140Ω.m。金属硅的牌号：按照金属硅中铁、铝、钙的含量，可把金属硅分为553、441、411、421、331、3303、2202等不同的牌号。金属硅的附加产品：包括硅微粉,边皮硅，黑皮硅，硅渣等。 更多关于高纯金属硅的资讯，请登录上海有色网查询。
化学纯金属硅
2017-06-06 17:49:51
化学纯金属硅的制备方法： 一种超纯硅的制备方法，其特征在于，通过以下工序由金属硅制备超纯硅：A.将金属硅粉碎为细颗粒；B.将硅颗粒装入高频感应炉的坩埚内加热，通入氧气使硅中的杂质被氧化成氧化物；C.将硅颗粒装入搪玻璃反应釜内，加入盐酸并加热，使硅中的杂质反应成为氯化物，滤出反应液，通入氮气把硅颗粒水份吹干；D.将硅颗粒装入高频感应电炉的坩埚内加热，在一定的温度范围内通入氯气，使硅中的杂质进一步生成氯化物，停止通氯后使硅熔融直至更高的温度；E.将硅熔体浇入预先放置有脱模剂的，有高级绝热效能的方斗形铸模内，缓慢地冷却以实现中间凝固，达到把杂质排除在坩埚内壁与内容硅间的周边，冷却脱模并清理后，获得铸块制品。F.将硅熔体或硅颗粒装入卧式多段式管式炉内，开启悬挂于钢轨下面嵌套在炉管径向外周，可沿炉管轴向方向移动的高频感应线圈，在开始中的一端朝轴向的另一端方向移动，即可把硅熔液中的杂质赶向炉管端头，把浓集杂质的一短炉管及内容硅取下后，装回端轴，把高频感应线圈调到开始的一端，重复上述操作趋赶杂质，又去掉浓集杂质的炉管小段。 中国是全球主要的金属硅产地，2007年中国金属硅总产量为95-100万吨，而2006年中国金属硅总产量为75-80万吨。2007年中国国内金属硅消费量达25万吨以上，而且近几年国内对金属硅的需求也在不断增加，国内消费量在总产量中的比重也在不断提高。2008年1-3月份中国金属硅生产量在200,000-250,000吨左右。除去出口量，中国国内消费量在35,000-85,000吨左右。 更多关于化学纯金属硅的想，请登录上海有色网查询。
高纯金属制备技术（一）
2019-02-15 14:21:16
高纯金属是现代许多高、新技能的归纳产品，尽管20世纪30年代便已呈现“高纯物质”这一称号，但把高纯金属的研讨和出产进步到重要日程，是在二次世界大战后，首先是原子能研讨需求一系列高纯金属，然后跟着半导体技能、宇航、无线电电子学等的开展，对金属纯度要求越来越高，大大促进了高纯金属出产的开展。 纯度对金属有着三方面的意义。榜首，金属的一些性质和纯度关系密切。纯铁质软，含杂质的铸铁才是坚固的。另一方面，杂质又是十分有害的，大多数金属因含杂质而发脆，关于半导体，极微量的杂质就会引起材料功能十分显着的改变。锗、硅中含有微量的m、V族元素、重金属、碱金属等有害杂质，可使半导体器材的电功能遭到严重影响。第二，纯度研讨有助说明金属材料的结构铍理性、杂质对缺点的影响等要素，并由此为开发预先给定材料性质的新材料规划发明条件。第三，跟着金属纯度的不断进步，将进一步提醒出金属的潜在功能，如普通金属铍是一切金属中最脆的金属。而在高纯时铍便呈现低温塑性，超高纯时更具有高温超塑性。超高纯金属的潜在功能的发现，有或许开阔新的应用领域，在材料学方面翻开新的突破口，为高技能的延伸铺平道路。 金属的纯度是相关于杂质而言的，广义上杂质包含化学杂质（元素）和物理杂质（晶体缺点）。可是，只要当金属纯度极高时，物理杂质的概念才是有意义的，因而出产上一般仍以化学杂质的含量作为点评金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数标明，常用N（nine的榜首字母）代表。如99.9999 %写为6N，99.99999%写为7N。此外，半导体材料还用载流子浓度（atom/cm3）和低温搬迁率（cm2V-1S-1）标明纯度。金属用剩下电阻率RRR和纯度级R（Rein heitgrad）标明纯度。国际上关于纯度的界说尚无统一标准。一般讲，理论的纯金属应是纯洁彻底不含杂质的，并有稳定的熔点和晶体结构。但技能上任何金属都达不到不含杂质的肯定纯度，故纯金属只要相对意义，它仅仅标明现在技能上能到达的标准。跟着提纯水平的进步，金属的纯度在不断进步。例如，曩昔高纯金属的杂质为10-6级（百万分之几），而超纯半导体材料的杂质达10-9级（十亿分之几），并逐步开展到10-12级（一万亿分之几）。一起各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯，而难熔金属钨、钽等达6N已属超高纯。 高纯金属制取一般分两个进程进行，即纯化（开始提纯）和超纯化（终究提纯）。出产办法大致分为化学提纯和物理提纯两类。为获高纯金属，有用除掉难以别离的杂质，往往需求将化学提纯和物理提纯合作运用，即在物理提纯的一起，还进行化学提纯，如硅在无坩埚区熔融时可用氢作维护气，如果在中参加少数水蒸气，则水与硅中的硼起化学反响，可除掉物理提纯不能除掉的硼。又如选用真空烧结法提纯高熔点金属钽、铌等时，为了脱碳，有时需求配入比化学计量稍过量的氧，或为脱氧配入必定数量的碳，这种办法又称为化学物理提纯。[next] 一、化学提纯 化学提纯是制取高纯金属的根底。金属中的杂质首要靠化学办法铲除，除直接用化学办法取得高纯金属外，常常是把被提纯金属先制成中间化合物（氧化物、卤化物等），经过对中间化合物的蒸馏、精馏、吸附、络合、结晶、歧化、氧化、复原等办法将化合物提纯到很高纯度，然后再复原成金属，如锗、硅挑选、三氯氢硅、硅烷（SiH4）作为中间化合物，经提纯后再复原成锗和硅。化学提纯办法许多，常用的列于表1。表1 常用化学提纯办法办法内容沉积包含沉积、共沉积、均一沉积等金属置换包含依照金属活动性次序K、Ca、Na、Mg、Zn、Fe、Ni、Sn、Pb、H、Cu、Hg、Ag、Au，用前面金属把后边的金属从其盐溶液中置换出来萃取包含有机溶剂萃取、络合萃取、萃取精馏等离子交流包含用离子交流树脂、离子交流纤维、离子交流膜以及沸石的交流电化学办法包含电解、操控电位电解、电渗析以及电泳等化合物提纯包含化学搬运反响，先制成化合物并经过提纯，进一步热分化、氢复原、金属热复原、氧化、电解、色谱别离等各种不同办法进行提纯蒸馏包含常压蒸馏、减压蒸馏、蒸汽蒸馏、共沸蒸馏、亚沸蒸馏、精馏、常压进步、真空进步等重结晶包含在水及其他有机溶剂中的重结晶，分步结晶等色谱别离包含气相色谱、液相色谱、薄层色谱、干柱色谱（用活性炭、硅胶、氧化铝、分子筛、硅藻土等作吸附剂的吸附提纯）过滤包含微孔滤膜、超滤膜及其他介质过滤[next]
二、物理提纯 物理提纯首要运用蒸腾、凝结、结晶、分散、电搬迁等物理进程除掉杂质。物理提纯办法首要有真空蒸馏、真空脱气、区域熔炼、单晶法（拜见半导体材料章）、电磁场提纯等，此外还有空间无重力熔炼提纯办法。 物理提纯时，真空条件十分重要。高纯金属精粹提纯一般都要在高真空和超高真空(10-6~10-8Pa）中进行，真空对冶金进程的重要作用首要是：①为有气态生成物的冶金反响发明有利的化学热力学和动力学条件，从而使在常压下难以从主金属中别离出杂质的冶金进程在真空条件下得以完成；②下降气体杂质及易蒸腾性杂质在金属中的溶解度，相应下降其在主金属中的含量；③下降金属或杂质蒸腾所需温度，进步金属与杂质间的别离系数；④减轻或防止金属或其他反响剂与空气的作用，防止气相杂质对金属或合金的污染。因而许多提纯办法，如真空熔炼（真空感应熔炼、真空电弧熔炼、真空电子束熔炼）、真空蒸馏、真空脱气等有必要在真空条件下进行。 1．真空蒸馏 真空蒸馏是在真空条件下，运用主金属和杂质从同一温度下蒸气压和蒸腾速度的不同，操控恰当的温度，使某种物质挑选性地蒸腾和挑选性地冷凝来使金属纯化的办法，这种办法曾经首要用来提纯某些低沸点的金属（或化合物），如锌、钙、镁、镓、硅、锂、硒、碲等，跟着真空和超高真空技能的开展，特别是冶金高温高真空技能的开展，真空蒸馏也用于稀有金属和熔点较高的金属如铍、铬、钇、钒、铁、镍、钴等的提纯。 蒸馏的首要进程是蒸腾和冷凝，在必定温度下，物质都有必定的饱满蒸气压，当气压中物质分压低于它在该温度下的饱满蒸气压的蒸气压时，该物质便不断蒸腾。蒸腾的条件是不断供应被蒸腾物质热量，并排出发生的气体；冷凝是蒸腾的逆进程，气态物质的饱满蒸气压随温度下降而下降，当气态组分的分压大于它在冷凝温度下的饱满蒸气压时，这种物质便冷凝成液相（或固相），为使冷凝进程进行到底，有必要及时排出冷凝放出的热量。影响真空蒸馏提纯作用的首要要素是：①各组分的蒸气分压，分压差越大，别离作用越好；②蒸腾和冷凝的温度和动力学条件，一般温度下降可增大金属与杂质蒸气压的距离，进步别离作用；③待提纯金属的成分，原金属中杂质含量越低，别离作用越好；④金属和蒸腾和冷凝材料间的作用，要求蒸腾冷凝材料自身有最低的饱满蒸气压；⑤金属剩余气体的相互作用；⑥蒸馏设备的结构；⑦真空蒸馏有坩埚式和无坩埚式两种，无柑埚蒸馏一般经过电磁场作用将金属熔体悬浮起来（见图1），有关蒸馏工艺请拜见上述元素的精制进程。[next] 2．真空脱气 真空脱气是指在真空条件下脱除金属中气体杂质的进程。实际上是下降气体杂质在金属中的溶解度。依据西韦茨规律，恒温下双原子气体在金属中的溶解度和气体分压的平方根成正比。因而进步体系的真空度，便相当于下降气体的分压，亦即能下降气体在金属中的溶解度，而超越溶解度的部分气体杂质便会从金属中逸出而脱除。以钽粉真空热处理为例，在高真空（2.5-6μPa）条件下，钽的水分在100一200℃急剧蒸腾，600-700℃氢化物分化逸出，碱金属及其化合物在1100-1600℃温度下蒸腾，大部分铁、镍、铬等以低熔点氧化物形状蒸腾，2300℃时氮蒸腾逸出，比照氢、氮对金属亲和势大的氧，则以加碳脱氧([C]＋[O]=CO↑）和以上杂质金属贱价氧化物MeOn，的办法除掉。真空脱气广泛用于高熔点金属钨、钼、钒、铌、钽、铼等的纯化。 3．区域熔炼 区域熔炼是一种深度提纯金属的办法，其实质是经过部分加热细长料锭构成一个狭隘的熔融区，并移动加热器使此狭隘熔融区按必定方向沿料锭缓慢移动，运用杂质在固相与液相间平衡浓度的差异，在重复熔化和凝结的进程中，杂质便偏析到固相或液相中而得以除掉或从头散布，熔区一般选用电阻加热，感应加热或电子束加热，图2为锗区域熔炼示意图。
[next]
图3为熔融区部分相图，当固液平衡共存时，杂质在固相中的浓度Cs和液相中的浓度C1是不相同的，两者之比称为平衡分配系数，即K0=Cs/C1。在图3中，当熔区自左向右缓慢移动时，分配系数K0＜1的杂质就会富集在液相，并逐步随熔区向右搬迁并富集；K0>1的杂质则向右搬迁并富集。一般在一次区域熔炼不能到达所要求的纯度时，提纯进程需求重复屡次，或许用一系列加热器，在料锭上发生多个熔区，到达高度提纯的意图。 区域熔炼广泛用于半导体材料和高熔点金属钨、钼、钽、铌的提纯，更用于高纯铝、镓、锑、铜、铁、银等金属的提纯。对含杂质约l×10-3％的锗，在区域提纯6次后，高纯锗部分的杂质浓度可降到1×10-3％。钨单晶经5次区熔后，R298K/R4.2K可由40进步到2000. 4．电搬迁提纯 电搬迁是指金属和杂质离子在电场的作用下往必定方向搬迁或分散速度的差别来到达别离杂质的意图。是新近开展起来的用于深度提纯金属的办法，其特点是别离空隙杂质（特别是氧、氮、碳等）的作用好，但现在仅应用于小量金属的提纯。将其和其他提纯办法结合运用，可获超高纯度的金属。 将棒状样品经过流电，母体金属和杂质离子便向必定方向移动，这时离子的漂移速度为： V＝UF
金属硅
2017-06-27 10:31:14
金属
硅又称
结晶硅
或
工业硅
，其主要用途是作为非
铁
基合金的添加剂。
金属
硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也包含在
金属
硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。中文名称:
金属
硅中文别名:结晶硅;工业硅;硅微粉;硅粉;多晶硅;单晶硅;硅光学窗;硅英文名称:Silicon 定义“
金属
硅”（我国也称工业硅）是上世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体
行业
的兴起有关。国际通用作法是把商品硅分成
金属
硅和半导体硅。
金属
硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（含Si量99.99%的也包含在
金属
硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度
金属
硅。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗
金属
硅约50万吨，其中用于铝合金的
金属
硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。硅的性质硅是半
金属
之一,旧称“矽”。熔点为1420℃，密度为2.34克每立方厘米。质硬而脆。在常温下不溶于酸，易溶于碱。
金属
硅的性质与锗、铅、锡相近，具有半导体性质。硅在地壳中资源极为丰富，仅次于氧，占地壳总重的四分之一还多，以二氧化硅或硅酸盐形式存在。最纯的硅矿物是石英或硅石。硅有两种同素异形体：一种为暗棕色无定形粉末，性质活泼，在空气中能燃烧；另一种为性质稳定的晶体（晶态硅）。一般硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、
金属
和单晶。硅的用途硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种
金属
冶炼中作还原剂。硅还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有硅。硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。非晶硅太阳能电池研究进展很快，转换率达到了8%以上。硅钼棒电热元件最高使用温度可达1700℃，具有电阻不易老化和良好的抗氧化性能。用硅生产的三氯氢硅，可配制几百种硅树脂润滑剂和防水化合物等。此外，碳化硅可作磨料，高纯氧化硅制作的石英管是高纯
金属
冶炼及照明灯具的重要材料。 八十年代的纸张——硅 人们称硅为“八十年代的纸张”。这是因为纸张只能记录信息，而硅不仅能记载信息，还能对信息进行处理加工以获得新的信息。1945年制造的世界上第一台电子计算机，装有18000个电子管、70000只电阻、10000只电容，整个机器重30吨，占地170平方米，相当于10间房子大小。而今天的电子计算机，由于技术的进步和材质的改善，在一个指甲盖大小的硅片上，可以容纳上万个晶体管；并且有输入、输出、运算、存储和控制信息等一系列功能。 微孔硅钙保温材料微孔硅钙保温材料是一种优良的保温材料。它具有热容量小、机械强度高、导热系数低、不燃烧、无毒无味、可切割、运输方便等特点，可广泛用于冶金、电力、化工、船舶等各种热力设备及管道上。经测试，节能效益优于石棉、水泥、蛭石和水泥珍珠岩等保温材料。特种硅钙材料可用作催化剂载体，在石油炼制、汽车尾气净化等多方面广泛应用。
金属硅
2017-06-06 17:49:50
金属硅，我国也称工业硅是本世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。目前，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。 金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也归在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。 工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为97~98%，再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。 你想了解更多的信息请到上海有色网——硅专区。
高纯金属制备技术（二）
2019-01-25 13:38:01
式中，V为离子漂移速度；U为离子迁移率；F为作用于离子的外力，它由电场作用力和导电电子散射作用于离子的力组成。这些作用力和离子有效电荷数有关。依母体离子和杂质离子的电荷数不同和扩散、漂移速度不同而达到分离目的。如图4。 电迁移和区域熔炼方法结合使用效果更好（如图5），以镓为例，经过上述方法提纯后，镓的残余电阻率达到R残余=100000。这种方法已广泛用于铍、钨、钇、镧、铈等金属的提纯。
[next]
5．电磁场提纯 在电磁场作用下深度提纯高熔点金属的技术越来越多地被采用。电磁场不限于对熔融金属的搅拌作用，更主要的是电磁场下可使熔融金属在结晶过程中获得结构缺陷的均匀分布，并细化晶粒结构。在半导体材料拉制单晶时，在定向结晶时熔体中存在温度波动，这种温度波动会导致杂质的层状分布，而一个很小的恒定磁场就足以消除这种温度波动。在多相系统结晶时，利用电磁场可使第二相定向析出，生成类似磁性复合材料的各向异性的组织结构。电磁场还用于悬浮熔炼，这时电磁场起能源支撑作用和搅拌作用，利用杂质的蒸发和漂走第二相（氧化物、碳化物等）来纯化金属。由于不存在和容器接触对提纯金属造成的污染问题，被普遍用于几乎所有高熔点金属的提纯，如钨、钼、钽、铌、钒、铼、锇、钌、锆等。 6．提纯方法的综合应用 各个提纯方法都是利用金属的某个物理性质或化学性质和杂质元素间的差异而进行分离达到提纯目的的，如真空蒸馏是利用金属和杂质的饱和蒸气压和挥发速度的差异。区域熔炼是利用杂质在固相和液相间的溶解度差异而进行提纯分离的，因而各个方法都有一定的长处（对某些杂质分离效果好）和短处（对另一些杂质分离效果差）。即使是同一个提纯方法，也因金属性质的不同，提纯效果差别很大，如区域熔炼对高熔点金属的提纯效果好，但对某些稀土金属的提纯效果则不理想。欲获深度提纯金属的效果，一般需要综合应用多种提纯手段。在这方面，各个方法的合理结合应用和先后顺序使用十分重要，通常是将电子束熔炼或蒸馏和区域熔炼或电迁移法相结合，即先进行电子束熔炼或蒸馏提纯，再以区域熔炼或电迁移提纯作为终极提纯手段，以铍为例，为获超高纯铍，最好先多次蒸馏提纯，再真空熔炼，最后进行区域熔炼或电迁移提纯，经这样提纯后所得铍单晶纯度达99.999%，残余电阻率R残>1000。在制取超纯锗时，一般先用化学法除去磷、砷、铝、硅、硼等杂质，再用区熔法提纯得到电子级纯锗；最后多次拉晶和切割才能达到13N的纯度要求。表2为各种方法结合使用提纯金属铼的效果。表2 各种提纯方法提纯金属铼的效果提纯方法剩余电阻率RRR值铼粉末真空熔炼1000铼粉末真空熔炼+区域熔炼6000粉末在H2和O2气中退火+真空熔炼+区域熔炼8000氢还原提纯+真空熔炼15000氢还原提纯+真空熔炼+区域熔炼30000氢还原提纯+真空熔炼+电迁移区熔50000[next]
7.宇宙空间条件下提纯金属 宇宙空间的开发为提纯金属制造了新的机会。宇宙空间的超高真空（约10-10Pa),超低温和基本上的无重力（g=10-5g0），为金属提纯提供了优越条件。在这种条件下，液态金属中将不会有对流的问题，结晶时杂质的分布将只具有纯扩散性质，熔化金属毋需坩埚，超高真空尤其有利于杂质的挥发和脱气。这些对于采用熔炼、蒸发、区域熔炼等方法提纯化学活性大的金属和半导体材料来说更是非常理想的条件。以提纯锗为例，在地球上锗垂熔时杂质镓的分离系数为0.1/0.15，而在宇宙空间时则达0.23/0.17。在无重力条件拉制的晶体的完整性较在重力条件下的完整性好很多。以锑化锢为例，其位错密度比只是在重力条件下的位错密度的1/6。由于宇宙中液态金属表面张力系数值很大，故在宇宙间用无坩埚区域熔炼法必定能制备出极高纯度和完整性的单晶来。此外，超低“宇宙”温度也具有良好的应用前景。
金属硅
2017-06-06 17:49:57
金属硅，我国也称工业硅是本世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。目前，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。 金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也归在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。 金属硅名称的由来？英文silicon，来自拉丁文的silex,silicis，意思为燧石（火石）。 民国初期，学者原将此元素译为“硅”而令其读为“xi（圭旁确可读xi音，如畦字）”（又，“硅”字本为“砉”字之异体，读huo）。然而在当时的时空下，由于拼音方案尚未推广普及，一般大众多误读为gui。由于化学元素译词除中国原有命名者，多用音译，化学学会注意到此问题，于是又创 “矽”字避免误读。台湾沿用“矽”字至今。 中国大陆在1953年2月，中国科学院召开了一次全国性的化学物质命名扩大座谈会，有学者以“矽”与另外的化学元素“锡”和“硒”同音易混淆为由，通过并公布改回原名字“硅”并读“gui”，但并未意识到其实“硅”字本亦应读xi音。有趣的是，矽肺与矽钢片等词汇至今仍用矽字。在香港，两用法皆有，但“矽”较通用。 工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为97~98%，再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。 硅的地壳丰度仅次于氧，达到25.8％。金属硅在自然界中，主要的赋存形式为同氧结合成二氧化硅或金属的硅酸盐，最纯的硅矿物是石英和硅石。金属硅的性质和硅的性质和锗、锡、铅相近。金属硅大量用于冶炼成硅铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种金属冶炼中作还原剂。金属硅还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有金属硅。金属硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的金属硅制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。 你想了解更多关于金属硅的信息，请到上海有色网——硅专区。
金属硅网站
2017-06-06 17:49:51
金属硅网站——上海有色网致力于打造全球最权威的金属硅网站。 上海有色网是上海有色网信息科技有限公司运营成立。上海有色网信息科技有限公司是中国权威的有色金属市场综合服务提供商。经过数十年的发展壮大，其行业门户网站：上海有色网，日均访问量超过20万人次，页面日均点击量超过千万，现有注册会员近10万，覆盖一百三十多个国家和地区。 上海有色网信息科技有限公司完全独立运作，是不参与市场交易的中立第三方服务机构，总部位于上海，公司拥有一支高素质的专业团队，为业内及相关企业提供强有力的信息支持以及决策参考。 上海有色网拥有权威的现货价格及有色指数，发布的上海现货价格涉及上百种有色金属产品，其中基本金属价格等已成为中国有色金属市场的风向标；上海有色金属价格指数（SMMI）精确反映中国有色金属市场的总体状况，荣获 “2008全国商业科技进步三等奖”。 展望未来，上海有色网将凭借雄厚的业务基础、市场拓展能力和行业信息平台，加大研发力度，发展成为亚洲乃至国际有色金属领域资讯服务的领先企业。 金属硅又称结晶硅或工业硅，其主要用途是作为非铁基合金的添加剂。硅是非金属元素，呈灰色，有金属色泽，性硬且脆。硅的含量约占地壳质量的26%；原子量为28.80；密度为2.33g/m3；熔点为1410C；沸点为2355C；电阻率为2140Ω.m。金属硅的牌号：按照金属硅中铁、铝、钙的含量，可把金属硅分为553、441、411、421、331、3303、2202等不同的牌号。 随着科学技术的发展，金属硅的应用领域还将进一步扩大金属硅的主要产区:金属硅主要分布在西南地区的云南，四川，贵州，广西，华中的湖南，湖北，华东的福建地区，东北地区主要是黑龙江的黑河，临江地带，吉林和辽宁，内蒙古，其中陕西青海等地也有厂家生产。 更多关于金属硅网站的资讯，请登录上海有色网查询。
金属硅网
2017-06-06 17:49:50
金属硅网上出口价格持续上涨，买家大多持观望态度。 受近期中国金属硅出口价格持续上涨影响，俄罗斯金属硅供应商仍在上调报价，不过消费商采购都很谨慎。现货市场上553和441主流价格分别持稳在75-78卢布/公斤（2586-2690美元/吨）和80-83卢布/公斤（2758-2862美元/吨），较上周持平。 俄罗斯一消费商表示，自十月中下旬以来当地供应商纷纷上调了金属硅报价，一些采购商开始小量进行采购，不过近期市场略显平静，买家大多持观望态度，市场成交仍很清淡。他说：“我们还有两个月生产使用的库存，近期没有安排金属硅采购。” 俄罗斯一贸易商表示，随着消费商库存的消耗和主流价格的走高，近期金属硅市场成交应该有所增多，然而市场运行并非如他的预期，很多消费商依然在观望市场，入市只是询价。他透露，消费商的采购量较去年同期相比减少了很多，短期内俄罗斯金属硅市场可能还将持续有价无市的状态。“一些采购商开始向中国供应商发出采购询盘，不过面对上涨的中国金属硅报价很多采购商都持观望态度，并表示为了降低风险只在接到订单后入市采购。” 更多关于金属硅网上报价资讯，请登录上海有色网了解。
高纯金属硅
