随着 市场 对紫铜需求的日益增大，对于其购买都是采用批发紫铜的买法。紫铜中的微量杂质对铜的导电、导热性能有严重影响。其中钛、磷、铁、硅等显著降低电导率,而镉、锌等则影响很小。氧、硫、硒、碲等在铜中的固溶度很小,可与铜生成脆性化合物,对导电性影响不大，但能降低加工塑性。普通紫铜在含氢或一氧化碳的还原性气氛中加热时，氢或一氧化碳易与晶界的氧化亚铜(Cu2O)作用，产生高压水蒸气或二氧化碳气体，可使铜破裂。这种现象常称为铜的“氢病”。氧对铜的焊接性有害。铋或铅与铜生成低熔点共晶，使铜产生热脆；而脆性的铋呈薄膜状分布在晶界时，又使铜产生冷脆。磷能显著降低铜的导电性,但可提高铜液的流动性,改善焊接性。适量的铅、碲、硫等能改善可切削性。紫铜退火板材的室温抗拉强度为22～25公斤力／毫米2,伸长率为45～50％，布氏硬度（HB）为35～45。具有优良的导电性﹑导热性﹑延展性和耐蚀性。主要用于制作发电机﹑母线﹑电缆﹑开关装置﹑变压器等电工器材和热交换器﹑管道﹑太阳能加热装置的平板集热器等导热器材。常用的铜合金分为黄铜﹑青铜﹑白铜3大类。 　　纯净的铜是紫红色的 金属 ，俗称“紫铜”、“红铜”或“赤铜”。紫铜富有延展性。象一滴水那么大小的纯铜，可拉成长达两公里的细丝，或压延成比床还大的几乎透明的箔。紫铜最可贵的性质是导电性能非常好，在所有的 金属 中仅次于银。但铜比银便宜得多，因此成了电气工业的“主角”。批发出售有利于更好的将紫铜推向 市场 ，想要了解更多关于紫铜批发的信息，请继续浏览上海 有色 网。

2009年中国裸铜线批发 市场 发展迅速，产品产出持续扩张，在国家 产业 政策的鼓励下， 行业 产品向高技术产品方向发展，国内企业新增投资项目逐渐增多。投资者对 行业 关注越来越密切，这使得裸铜线 行业 的发展需求不断增大。  2009年10月-2010年3月铜电线 价格 ：BV 2.5平方电线 价格 :145元/盘 BV 4平方电线 价格 :236元/盘 BV 6平方电线 价格 ：363元/盘  2009年8月国内 现货 铜线批发 价格 达到37000元 /吨的高位，但 期货价格 却不为所动，在连续6个 交易 日里自最高价下跌了1000元/吨。相比于上海铜价，LME和COMEX的 走势 显得更加疲弱，LME3 月铜 价格 反弹到3320美元后就调头向下，根本没有触及倒3338美元的记录新高，经过5个 交易 日的下跌已经回到3200美元以下。在 价格 温和下跌一定幅度后， 市场 上消费买盘纷纷进入也吸引了一部分以牛市思维进场的抄底买盘。对于 价格 后市如何演绎，铜价运行趋势是否转变，笔者综合几方面的因素进行了分析，得出这样的结论：铜价牛熊转换正在进行，如果 价格 跌破关键的支撑将加速下跌，并开始熊市。

    批发就是指专门从事大宗商品 交易 的商业活动。零售的对称。是商品流通中不可缺少的一个环节。通常有两种情况：①商业企业将商品批量售给其他商业企业用作转卖。②商业企业将用作再加工的生产资料供应给生产企业。而铜合金批发指主要从事大量铜合金产品 交易 的商业活动.   铜合金（copper alloy ）以纯铜为基体加入一种或几种其他元素所构成的合金。纯铜呈紫红色﹐又称紫铜。纯铜密度为8.96﹐熔点为1083℃﹐具有优良的导电性﹑导热性﹑延展性和耐蚀性。主要用于制作发电机﹑母线﹑电缆﹑开关装置﹑变压器等电工器材和热交换器﹑管道﹑太阳能加热装置的平板集热器等导热器材。常用的铜合金分为黄铜﹑青铜﹑白铜3大类。  批发是随着商品经济的发展而产生的。商品生产和商品交换的发展，使商品购销量增大，流通范围扩展，生产者相互之间、生产者与零售商之间直接进行商品交换，常有困难或不方便，于是产生了专门向生产者直接购进商品，然后再转卖给其他生产者或零售商的批发商业，商业部门内部有了批发和零售之间的分工。批发业务一般由批发企业来经营，每次批售的商品数量较大，并按批发 价格 出售。商品的批发 价格 低于零售 价格 ，即存在着批零差价，其差额由零售企业所耗费的流通费用、税金和利润构成。商业批发是生产与零售之间的中间环节。通过商业批发活动，使社会产品从生产领域进入流通领域，起到组织和调动地区之间商品流通的作用。还可通过商品储存发挥“蓄水池”作用，平衡商品供求。   铜合金批发以铜及铜合金材料为主做的大批量商品流通,购销及交换.随着铜材 市场 的需求供大,越来越多的商家或企业会选择批发来经营或购买铜材. 

4平方铜线 价格 各地 价格星花牌 朝阳昆仑电线/塑铜线BV-4平方 纯铜线 代理价 100码 北京  280.00星花牌 朝阳昆仑电线/塑铜线BV-4平方 纯铜线 代理价 100码 北京   265.00星花牌 朝阳昆仑电线/塑铜线BV--4平方 纯铜线 代理价 100码 北京   265.00塑铜线BV4平方 电线电缆 上海   143.50上海起帆电线 硬塑铜线BV 4平方 上海   220.00万安 电线 电缆 BV 4平方 2.25 单芯铜线 全国标长度浙江温州   200.00上海起帆电线塑铜线，BV4平方硬线 上海   235.00电线电缆民用BV4平方单根铜线 浙江温州   278.00铜线 电线 BV4平方 单芯硬线 一卷 价格之电线 浙江温州   163.00电线电缆 免检产品 国标BV4平方塑铜线 天津   161.00本周(09.13-09.17)1#光亮线不含税均价为53520元/吨，较上周下跌400元/吨。对铜线批发价形成了一定的打压态势，沪期铜受此影响接二连三出现早盘小幅高开跳水然后又在尾盘震荡拉升缩减跌幅的情况，由此看来逢低买盘的介入推动铜价“易涨难跌”。 现货市场 ，废铜 价格 本周承压小幅下滑，交投双方更趋谨慎，业内对于铜后市的看法不一。废铜货源供应方面依旧持续偏紧，铜价下挫时导致持货商出货意愿明显降低，多数持货待售等待 价格 回升，仅在资金周转偏紧时将货源低价出售给回收商快速回笼资金。而下游买盘对国内近期出台严厉调控措施的担忧加剧，在目前风险较高的情况下，多数厂家持观望态度以等待方向的明朗化。总体而言，本周废铜 市场 交投情况较上周没有明显变化， 市场 比较关注中秋节及国庆小长假的备料情况。 

目前的多晶硅提纯技术主要包括以下几种：　　西门子法（包括改良西门子法）、流化床法和冶金法（包括物理法）。国际上生产高纯多晶硅的生产工艺仍以“改良西门子法一三氯氢硅氢还原法”为主(约占全球总 产量 的80%)。　　多晶硅生产的西门子工艺，其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。改良西门子法是在西门子法工艺基础上，增加还原尾气干法回收系统、SiCl4 氢化工艺，实现闭路循环，通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗；采用SiCl4 氢化和尾气干法回收工艺，明显降低原辅材料的消耗，所生产的多晶硅占当今世界生产总量的80%。　　改良西门子法生产包括5 个主要环节，即SiHCl3 合成、SiHCl3 精馏提成、SiHCl3的氢还原、尾气的回收以及SiCl4 的氢化等。　　改良西门子法相对于传统西门子法的优点主要在于：　　1）节能：由于改良西门子法采用多对棒、大直径还原炉，可有效降低还原炉消耗的电能；　　2）降低物耗：改良西门子法对还原尾气进行了有效的回收。所谓还原尾气：是指从还原炉中排放出来的，经反应后的混合气体。改良西门子法将尾气中的各种组分全部进行回收利用，这样就可以大大低降低原料的消耗。　　3）减少污染：由于改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少，相对传统西门子法而言，污染得到了控制，保护了环境。　　制造太阳能电池须采用纯度99.9999％以上的多晶硅材料，通常以“N”表示小数点之后的“9”，N越大纯度越高。长期以来，4N至10N的多晶硅生产技术在我国仍属空白，这一关键原材料几乎全部依赖进口。若多晶硅提纯技术实现突破，太阳能电池成本有望下降。 　　 

1、改良西门子法是目前主流的生产方法        多晶硅制造-多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总 产量 的85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总 产量 的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变。在未来15-20年内，采用改良西门子法工艺投产多晶硅的资金将超过1,000亿美元，太阳能级多晶硅的生产将仍然以改良西门子法为主，改良西门子法依然是目前生产多晶硅最为成熟、最可靠、投产速度最快的工艺，与其他类型的生产工艺处于长期的竞争状态，很难相互取代。尤其对于中国的企业，由于技术来源的局限性，选择改良西门子法仍然是最现实的作法。在目前高利润的状况下，发展多晶硅工艺有一个良好的机遇，如何改善工艺、降低单位能耗是我国多晶硅企业未来所面临的挑战。2、西门子改良法生产工艺如下：       这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。   （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，     其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑    （2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。     其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑     反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。    （3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。    （4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。     其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。     多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该3工艺的竞争力。        在西门子改良法生产工艺中，一些关键技术我国还没有掌握，在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。多晶硅制造还有待逐步完善。

 目前国际上高纯多晶硅制备方法主要采用的是改良西门子法和新硅烷法两种化学方法。其中，改良西门子法在全球份额占80%以上，硅烷法占近20%，而用冶金法提纯多晶硅的 市场 份额可以忽略不计。朱教授表示，在解决硅晶体的完整性与均匀性上可以依靠物理法，但是在多晶硅纯度的提高工艺上，比如纯度要达到7个9甚或8-12个9时，主要还是要依靠化学法。　　“到现在为止，任何一个国家做出的高纯度多晶硅都是依靠改良西门子法和新硅烷法获取的。”朱教授说，“物理法技术一直未获突破，如果勉强通过物理法把多晶硅做到高纯度（磷、硼含量小于0.1PPma， 金属 杂质含量还应更低），其成本就将超过化学法成本。”　　朱教授表示：“我的观点很明确，纯度达不到7个9的多晶硅是不能生产太阳能电池的，如果非要用这种6个9纯度的硅制作太阳能电池，不仅会造成电池的光电转换效率低、衰减快，而且会造成电池的使用寿命短。因此我不同意6个9以下多晶硅生产电池。现在业内还有一种说法是，由于改良西门子法提纯的多晶硅纯度级别过高，不适合太阳能级要求，由于反正要掺杂，可以将低纯度多晶硅与高纯度多晶硅进行混合以此降低成本。这样的说法更是不负责任，不科学的。如用2个9的工业硅加入到10个9的高纯硅中，即或按1：9的比例融化，混合硅的纯度不是（2+10）/2个9，而仍然是2个9的硅。” 

蓄热式燃烧系统包括：一对蓄热体、一对点火烧嘴、一对蓄热式烧嘴；换向装置；燃料、空气和烟气管路；各种手动、电动调节阀；鼓风机、引风机；炉温、炉压检测元件和自动控制系统等。　　　　优点：对烟气热回收达到极限，排烟温度达≤150℃；因降低排烟温度，燃烧效率接近90%；减少温室气体　　　　蓄热式燃烧器：具有超强稳定的点火和火焰稳定系统保证设备在运行时不会发生燃爆。空燃比优化设计，使燃烧更充分，较大限度的节约燃料。蓄热体采用陶瓷小球，该蓄热体具有自清洗防尘结渣，阻力小，便于拆下清洗，反复使用，蓄热效率高，正常寿命保证1年以上。　　　　燃料快速脉冲阀：采用美国honywell公司电磁阀，该电磁阀比气动阀关闭速度快，可频繁开、关。　　　　换向装置：采用空气/烟气两位两通阀（或采用气动快速切断阀四台），切换时间为1次/min左右，采用定温换向方式。正常使用寿命两年以上。　　　　排烟系统：排烟系统由空气/烟气两位通用阀、烟气流量调节阀、排烟管道和高温引风机构成，耐温为200℃。　　　　供风系统：采用根据我公司专门选用的高压风机，带流量调节。　　　　蓄热式燃烧系统主要检测及控制参数　　　　1、炉膛温度控制、显示；　　　　2、铝液温度的测量与显示；　　　　3、排烟温度检测、显示，当温度超过200℃时，系统强制换向；　　　　4、炉压控制与显示；　　　　5、空、燃气压力低报警、显示及切断燃气；　　　　6、换向阀换向到位显示及不到位报警、联锁功能；　　　　7、鼓风机、引风机停运、燃气快断阀联锁功能；　　　　蓄热式燃烧系统优点：　　　　1、对烟气热回收达到极限，排烟温度≤150℃；　　　　2、因降低排烟温度，燃料能量利用率接近90%；　　　　3、减少温室气体CO2排放量的30~40%；　　　　4、燃烧采用浓淡燃烧方法，降低了火焰温度，提高了铝液表面黑度，提高了熔化率。　　　　蓄热式燃烧器控制说明　　　　本控制系统由西门子S7-200系列PLC（可编程控制器），一台气动燃气快断阀，四台气动空气两通阀和一套空气/烟气比例脉冲阀等共同组成了燃烧换向控制部分；西门子触摸显示屏，燃料电动调节阀，变频器等共同组成了燃烧温度自动控制部分；同时还具有各种连锁报警功能。　　　　连续式蓄热燃烧系统直接对主喷孔天然气火焰进行检测，烧嘴点火也直接针对主天然气点燃，烧嘴熄火会立刻关断电磁阀。为提高烧嘴的安全性能，设置了两道火焰检测——离子型火焰检测和紫外线火焰检测。无论远近火焰的存在都会被检测到。提高了燃烧设备的稳定性和可靠性。

  PROFIBUS是一种具有广泛应用范围的、开放的数字通信系统，特别适用于工厂自动化和过程自动化领域。PROFIBUS适合于快速、时间要求严格的应用和复杂的通信任务。国内某著名的多晶硅生产线的主控网络采用PROFIBUS现场总线。多晶硅是电子信息 产业 和太阳能光伏发电 行业 的最重要功能性原料，它对发展我国电子信息 产业 和太阳能 产业 极为重要。     晶硅还原炉电气系统的主要设备是大功率调压器。调压器所带负载是多晶硅棒串联而成的纯电阻负载。调压器的作用实际上是对负载电阻进行电加热，并且保持硅棒表面温度恒定（一般1080℃）。硅棒串联而成的电阻是一个变化的电阻：第一，硅棒温度从常温上升到1000℃，Φ8直径硅芯电阻从几百kΩ下降到几十Ω；第二，保持硅棒表面温度1080℃，硅棒直径从Φ8增加到Φ150，硅棒电阻从几十Ω下降到几十mΩ。可见硅棒电阻大范围变动引起调压器输出电压和电流的调节范围大是这种调压器的设计特点。按照实际工作的性质，调压器分为硅棒温度从常温加热到1000℃的预热调压器和硅棒直径从Φ8增加到最终直径并且始终保持硅棒表面温度1080℃的还原调压器。　　　　多晶硅还原炉电气系统主要功能是：　　1． 对管辖的所有还原炉电气设备（调压器、变压器、开关柜）进行数字通信。　　2． 对管辖的所有还原炉电气设备的电气数据进行画面显示和曲线记录，并且对所有还原炉电气设备的故障进行画面提示和记录。PB-B-MODBUS总线桥主要应用在还原炉开关柜与PROFIBUS主控系统的通讯。该系统采用双冗余PROFIBUS和光纤通信，可靠性高、抗干扰能力强。     在该多晶硅（控制10KV多晶硅还原炉）生产线分为两期进行建设，两期生产线都采用PROFIBUS DP作为主控网络。第一期采用西门子S7 400H冗余PLC，配置软件使用STEP 7。 第二期工程主控系统采用横河DCS，配置软件为SYCON。    自本通讯系统运行以来，PLC与Modbus RTU间的通讯一直正常，从未出现过任何软、硬件故障以及其它干扰现象，有效地保证了自动控制系统的正常运行。可见，PLC通过PB-B-MODBUS总线桥与Modbus RTU通讯是一种行之有效的方法。由此看来，利用PB-B-MODBUS网桥来解决PROFIBUS主站（SIEMENSE S7300/400,ABB AC800,横河DCS，AB PLC）与第三方智能控制仪表之间的通讯是一个值得推广的方式，在多晶硅的电气控制系统中，一定会取得更加成功的应用。也是多晶硅生产线的主控网络采用的系统。

洛阳世纪新源硅业科技有限公司选址于伊川县水寨镇左村空心村——洛阳新天源实业股份有限公司工业园内，项目占地300亩。项目分三期进行，第一期投资12亿元，建设规模为年产多晶硅2200吨，2008年10月份开工建设。建设内容为西门子改良法200吨/年。GCR法1000吨/年，物理法1000吨/年。改良西门子法和物理法生产多晶硅项目2009年7月1日前建成投产；GCR法生产多晶硅项目建设周期为1年半左右2010年8月分建成投产。　　多晶硅特别是高纯度多晶硅是生产太阳能电池的重要原料，也是太阳能电池制造环节中的最高技术壁垒，科技含量非常高。太阳能电池是选用光伏效能直接转换为电能的一种装置，它的开发和利用是人类科学利用太阳能的伟大探索，是解决石化及煤炭等不可再生能源日益枯竭及环境污染严重难题的一个新突破。太阳能取之不尽、用之不竭，清洁、绿色、环保，科学有效开发太阳是一个朝阳 产业 ，具有广阔的发展前景。　　洛阳市内及周边地区萤石矿资源丰富，储量大、品位高，为多晶硅生产入境提供了丰富的原料；选址伊川县水寨村，毗邻伊川电力，多晶硅生产有了可靠的电力保证，生产成本也容易得到控制；洛阳是我国重 　　要的硅 产业 生产基地，硅业生产在我市的 产业 发展中举足轻重；洛阳市已经建成了几个规模较大的太阳能 　　生产企业，可以大量吸纳高纯度多晶硅产品，为发展多昌硅提供了较大的 市场 ；基于此，新天源实业股份有限公司站在时代的高度，大手笔、大动作、决定开工建设多晶硅项目。　　目前，国际、国内生产多晶硅的方法有改良西门子法，GCR法，物理法等，新天源公司拟上马项目采用了当前的所有三种方法，形成了高、中档，多系列、多品种、多产品的产品系列，具有 市场 广阔， 市场 开拓力强的强势特点。多晶硅项目的技术含量高，投资额度大，预期效益十分明显，世纪新源硅业科技有限公司很快成为全球太阳能电池 行业 有重要影响的供应商。

钛广泛应用于制作涂料、高档白色油漆、白色橡胶、合成纤维、电焊条、人造丝的减光剂、塑料和高档纸张的填料等方面，还用于电讯器材、冶金、印染、印刷、珐琅、航天等职业。硫酸法出产钛的首要质料是钛铁矿和硫酸。该工艺为接连出产方法，工艺流程长，出产进程中三废排放较多，但只需选用有用的环保管理办法，均可达国家排放标准。本文首要简述硫酸法钛废水处理技能办法，在废水处理进程中各出产工序完成逻辑操控全体，一起完成长途主动操控，节约很多劳动力，改动出产环境，完成减员增效，一起确保污水处理质量。然后确保钛白工业健康发展，谋福子孙后代。一、废水的排放量 硫酸法出产钛，废水首要来自地坪冲刷、设备冲刷及酸解、煅烧尾气冲刷水，其废水排放及水质与钛铁矿中硫的含量、工艺进程中洗水套用次数、操作管理水平有必定联系。一般吨产品钛废水排放量约为80～250t/a，PH值约为1～5，且含有微量FeSO4·7H2O，水量及水质改变起伏较大。 二、一般选用的废水处理工艺钛白工业废水的处理，一般选用中和法，一般分红三个组成部分：中和药剂的制备和投配、中和反响及沉降、污泥处置等。传统的钛白出产废水处理进程，需求很多的人员现场实际操作，且作业现场空气污染、粉尘污染，严峻损害职工身体健康，机电一体化型废水处理微机操控体系可较好的处理这一问题。（一）中和药剂的制备及投配因为Ca(OH)2能够中和任何浓度的酸性废水，且其自身对废水中的杂质具有凝集效果，钛白酸性废水处理可选用Ca(OH)2作为中和药剂，其投进办法可选用干投或湿投，湿投反响敏捷、彻底、投加量小，故而广泛选用。Ca(OH)2乳液制备可选用多种办法制得，不管选用何种质料，投配体系的规划应尽量密闭化、主动化，以防止粉尘损害，保护职工的健康。Ca(OH)2乳液浓度应以5～10%为宜。 1、工艺规划留意事项①选用斗式进步机进步质料，应确保质料块度小于30mm。②质料定量运送易选用螺旋式气流运送机，防止粉尘飞扬。③Ca(OH)2乳液装备槽及储槽都应设置拌和设备，拌和方法可选用机械拌和或压缩空气拌和，以机械拌和居多，机械拌和线速度一般3m/s左右，空气拌和强度为8～10L/（s.m2）。④Ca(OH)2泵的选型应考虑泵的耐腐蚀及耐磨性能。 2、机电一体化中药剂装备、投配规划留意事项 ①质料进步机与质料仓位传感器操控I/O模块的组合，经过内部体系总线与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连。现场添加质料进步机手动发动、中止操控按钮。②质料螺旋运送机、乳化水注入操控电磁阀、乳液液位传感器、乳液浓度丈量传感器、乳液制备池拌和五者I/O操控模块经过内部体系总线，与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连，现场添加添加质料螺旋运送机、乳化水注入操控电磁阀、乳液装备池拌和手动发动、中止操控按钮。 （二）中和反响及沉降 钛白酸性废水留意污染物为H2SO4及微量FeSO4·7H2O，选用Ca(OH)2乳液与其进行反响，生成CaSO4沉积，当pH值增到8以上时，废水华夏有的二价铁盐（F2＋)被氧化成三价铁盐（F3＋），氢氧化铁胶体为表面活性物质，能起到吸附效果，加速沉降速度。Ca(OH)2乳液的投加，可经过pH在线操控阀进行调整，pH值操控在6.5～8.5，以到达最佳效果，依据运转经历，中和反响停留时间，应以15～30min为宜。因为中和产品CaSO4重度较大，可选用重力沉降法，使其从废水中除掉。为获得较好的沉降效果，减轻CaSO4结垢现象，可在废水沉积前适量投加高分子絮凝剂聚酰胺（PAM）,使CaSO4和其他悬浮物一起絮凝或悬浮颗粒，进步沉积速度，减轻CaSO4结垢现象。PAM投加量与PAM的分子量有很大的联系，一般选用分子量300～600万单位，投加量为污水量的0.1%～0.15%，选用在线混合器完成废水与PAM的接连混合。 1、工艺规划留意事项①中和反映槽应设置拌和设备，使反响均匀快速进行。拌和方法可选用机械拌和或压缩空气拌和，机械拌和线速度一般为9m/s左右，空气压力为0.1～0.2MPa空气拌和强度为0.2m3/(min.m2)，依据运转经历，空气拌和可大幅进步反响速率，然后削减Ca(OH)2乳液用量，主张规划中优先选用，并选用膜片式防阻塞曝气头。②CsSO4粘性较大，选用斜板、斜管沉积池，易引起斜板、斜管阻塞，保护工作量较大，规划中应尽量防止，竖流式沉积池、辐流式沉积池有用容积大，占地面积小，排泥便利，适用于CsSO4的别离。关于小流量废水，规划应选用竖流式沉积池，接连运转；关于大流量废水，规划宜选用辐流式沉积池，接连运转。③因为CsSO4粘性较大，沉积池的规划应充分考虑排泥管检修、保护的便利。不管何种沉积池，均应彻底地面上规划，排泥管的规划也应防止埋地，并设置冲刷水管路，定时进行冲刷，防止堵管。 2、中和反响及沉积规划留意事项 ①Ca(OH)2乳液注入操控、废酸水注入操控、中和液位传感器操控I/O模块经过内部总线，与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连。现场添加Ca(OH)2乳液注入操控电磁阀、废酸水注入操控手动发动、中止操控按钮。②压缩空气操控、PH值丈量电极传感器I/O模块经过内部总线与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连。现场添加曝气池压缩空气电磁阀手动启中止操控按钮。③中和后上层中性水清水与基层污泥水，别离经过I/O操控模块排放，经过内部总线与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连。现场添加中和后上层中性水排放、基层污泥水排放手动发动、中止操控按钮。 （三）污泥处理 为了进步脱水设备的出产功率尽可能削减湿污泥的含水率，从沉降槽排出的污泥，一般先去污泥浓缩池进行浓缩，再进行脱水机脱水。污泥浓缩池接连运转不只起到浓缩效果，也有必定的污泥储存及缓冲效果。关于小流量的废水，因为沉积池接连运转，也起到必定的浓缩效果，可直接进污泥脱水机进行脱水。现在污水处理常用的污泥脱水设备，首要有带式压滤机、板框压滤机及离心脱水机，其间带式压滤机、离心脱水机因其处理量大、能接连运转，而在污水处理职业广泛运用。但关于工业污水处理，设备的选型，其运转费用的凹凸也对整个设备的正常运转，起到决定性的效果。 1、污泥水脱水机电操控留意事项 ①中性污泥水进板框压滤机泵、中性清水收回流量传感器I/O模块，经过内部总线与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连。现场添加中性污泥水进板框压滤机泵，手动发动、中止操控按钮。②板框压滤机主动空板液压操控、滤饼运送皮带机操控I/O模块，经过内部总线与西门子模块主机（日本MORONC200H型）相连。现场添加板框压滤机主动空板、滤饼运送皮带手动发动、中止操控按钮。总归：硫酸法钛废水处理技能，将会日益成为钛白工业的要点，减轻废水排放形成的环境污染，将具有重要的社会效益。 参考文献  [1]秦霄鹏，王贵鹏，马清；硫酸法钛出产进程中废酸和废水的管理[J]；山东环境；2002年06期。  [2]刘建，王金银；硫酸法出产钛白的废酸管理[J]；化工出产与技能：2003年01期。

  从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的!目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。     张家港市日晶科技有限公司是生产高纯度多晶硅的股份制科技公司。公司年产300吨多晶硅项目是经江苏省发展与改革委员会批准的重点工程，并列入张家港市人民政府光伏 产业 发展规划和张家港市人民政府重点建设工程。该项目批准投资额度为3亿元人民币，采用国际上最先进的第三代优化改良西门子法技术，实现低能耗，低污染和高新技术工艺进行设计。公司目前生产设备有：原料提纯塔 干法提纯塔 间歇塔 换热器 槽罐 淋洗塔 吸收塔 脱吸塔 活性炭吸附塔 还原炉 制氢设备 板式换热器 氢压机 燃气锅炉 低温制冷机组 制氮机 溴化锂机组 空压机 还原炉变压器 还原炉电气 硅芯炉 冷却塔 石墨煅烧炉 循环水泵等。   2009年五月，公司自行研发的硅烷法生产高纯度电子极多晶硅生产线点火试车成功，使用九对棒硅烷热分解炉成功生产出直径为5CM长1米的电子极多晶硅棒，经中科院等权威机构检测纯度已达电子极9个9。目前，公司硅烷法生产电子极多晶硅 产量 为年产：100吨   该项目建设工程周期为8个月（2008年5月-2009年2月）建设年生产太阳能极多晶硅300吨的生产线一条，实现年产300吨的生产能力，并完成该项目征用土地和项目总体规划的管道和电力配套等各项基础配套设施的建设任务。   日晶科技原隶属于化学工业部第一设计院，从事改良西门子法提纯多晶硅技术攻关及科研工作已有十二年历史。经过近几年的不断摸索及技术创新，并吸收了意大利及德国的改良西门子法技术，优势组合后，创新出一套低成本建设优化改良西门子法工厂的第三代电子极多晶硅生产技术。本公司独创的优化改良西门子法技术一般采用9对和12对棒电子极 氢还原炉,除传统的温度控制外,增加了三氯氢硅进气孔进气速率与沉积时间相应的可调式装置,使硅蕊硅棒在不同的沉积时间及温度条件下炉体内的还原反应自动调节在最佳状态,使硅棒的沉积外表及产品质量得到升华.所生长出的原生硅棒纯度在9N以上，电阻率可达N型300-1500欧姆,碳含量小于：1.5 x 1016at/cm3  

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅的生产工艺：西门子工艺每生产1t多晶硅产品将产生近14t的副产物SiCl4，即年产1000t多晶硅，就有14000t副产SiCl4，一般通过四氯化硅氢化、四氯化硅综合利用（生产白炭黑），以达到四氯化硅的循环使用。　　改良西门子法，三氯氢硅在纯H2的还原条件下，在1050℃的硅芯发热体表面上沉积、生长多晶硅。该工艺目前是国内外成熟、稳定、安全、可靠、产品质量稳定的多晶硅生产工艺。　　高纯氢气和精馏提纯的高纯三氯氢硅按适宜的摩尔配比进入还原炉，在硅芯发热体表面上沉积，生长多晶硅，得到产品。　　还原炉尾气经干法回收得到三氯氢硅和四氯化硅混合液、氯化氢气体以及氢气。分离的氯化氢经降膜吸收器吸收成为副产品盐酸。降膜吸收后的尾气经喷淋水洗塔水洗后达标排空。氢气返回还原炉生产多晶硅。　　三氯氢硅和四氯化硅混合液送精馏分离，经连续精馏后得到的三氯氢硅送还原炉生产多晶硅，四氯化硅送氢化。三氯氢硅粗馏、干法精馏和氢化粗馏得到的四氯化硅经连续提纯后，送四氯化硅氢化系统。在温度400～500℃、压力1.2～l.5MPaG的条件下，四氯化硅转化成三氯氢硅，得到氢化产品。氢化产品经连续粗馏后，得到三氯氢硅、四氯化硅和低沸物。三氯氢硅送三氯氢硅精馏，四氯化硅送提纯系统，低沸物加以回收和综合利用。　　还原过程产生大量的热能，用导热油循环冷却将热量用于工艺生产和生活中，使能量得到循环利用。　　改良西门子法多晶硅生产工艺，其特点为闭路循环，包括四氯化硅氢化、大型还原炉、还原尾气干法回收等。 

       多晶硅检测方法，国家 有色金属 及电子材料分析测试中心从事多硅和化合物半导体材料检测，可一次完成硅片厚度、总厚度变化、平整度、局部平整度、翘曲度、类型、电阻率的测试和分类，并可作图；可进行硅抛光片和外延片的表面质量分析检测，包括颗粒尺寸及数量的分类；划伤、桔皮、凹坑等表面质量的检查；利用x射线荧光光谱方法对硅抛光片和外延片的表面 金属 进行非破坏性检测；红外氧碳测试仪是用红外吸收法分别测定硅单晶中的间隙氧和替位碳含量，并可计算外延片的外延层厚度。中心拥有美国Thermo Fisher公司最新型号的Element GD辉光放电质谱仪(GDMS)，适用于 金属 中ppb级及其以上含量的杂质分析，可以检测5N、6N高纯铝、铜、锌、镍、钴、多晶硅中的痕量和超痕量杂质元素。    多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。    当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其 市场 占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、 市场 垄断的状况。国际多晶硅主要技术特征有以下两点：（1）多种生产工艺路线并存， 产业 化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变。（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低 价格 工艺；冶金法从 金属 硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。      

法国铬锆铜有良好的导电性，导热性，硬度高，耐磨抗爆，抗裂性以及软化温度高，焊接时电极损耗少，焊接速快，焊接总成本低，适合作为熔接焊机的电极有关管件．密度8.7g/cm3，导电率115w(m.k)20℃，硬度140HV，软化温度550℃。随着电气化铁路及高速铁路的建设，电力机车的安全运行成了铁路部门一个重要的研究课题。由于电力机车的频繁停靠站，牵引电机也频繁启动，频繁且巨大的启动电流造成电机转子温升提高，有时高达300℃以上，电机转子端环和导条使用的紫铜材料其软化温度只有250℃，在温升达到300℃时，端环和导条就会软化，强度降低，致使焊缝开裂，造成停车事故和巨大的经济损失。德国西门子、法国阿尔斯通、美国和日本等国外公司多年前已经采用铬锆铜材料代替紫铜材料，铬锆铜的软化温度为550℃以上，300℃的温升不会降低材料的机械性能，因而可以避免焊缝开裂的问题。国内以前都是采用紫铜材料制作大型电机的导条和端环，甚至有的厂家在制作端环时采用离心铸造工艺，好的厂家采用自由锻造工艺，端环的机械性能较低，组织也不均匀。有的大学和研究所研究弥散强化铜合金制作端环和导条，从性能上将确实是好的材料，但远不能形成 产业 化。随着铁路的提速及高速铁路的快速发展，紫铜材料已经不能满足大型牵引电机的制造要求，铁道部门已要求尽快与国际接轨，采用高性能的铬锆铜材料，目前铁道部北车集团和南车集团都已经开始采用国际先进标准，具体及德国西门子和法国阿尔斯通的制造标准。国内现在只有江苏省一些小厂家能制造铬锆铜材料，但他们只有25-50Kg的小真空感应电炉，无法形成大批量的生产能力。我公司具有国内最大的300Kg真空感应电炉，又有多年的铬锆铜材料的生产经验，从熔化、铸造、锻压轧制、挤压拉拔、焊接及热处理都有成熟的技术与工艺。并且已经为德国西门子天津公司和法国阿尔斯通西安公司提供了合格的产品，也已经批量为铁道部北车集团、南车集团、江苏庞巴迪供货（东电集团电机有限公司和哈电集团的核电电机导条）。了解更多关于法国铬锆铜的信息，请关注上海 有色 网。 

       迅天宇硅品有限公司是专业从事太阳能级多晶硅材料研发、生产、销售的高新技术企业。公司成立于2007年12月，是由河南迅天宇科技有限公司吸收美国IDG 公司的风险投资组建起来的中外合作企业。　 迅天宇科技的多晶硅项目于2006年3月开工建设。迅天宇硅品承接了迅天宇科技发展两年多的多晶硅项目基础，并加大投资至7000万美元。公司正在建设的年产3000吨太阳能级多晶硅项目，第一阶段生产线已经于2007年8月份投产，产品品质达到了国际领先水平，开创了国际硅材料 行业 的先河，后续阶段生产线正在进行安装调试，近期即可实现生产线全线贯通。年产3000吨多晶硅项目达产后，可实现年销售收入24亿元，年利税13.2亿元，年利润8.4亿元。　　迅天宇公司成功开发了国际领先的太阳能级多晶硅低成本制造技术，在国际上率先提出了从硅石开始、纯度自下而上制备多晶硅的“方城物理法”全流程新工艺。与传统的改良西门子法相比，物理法的能耗、生产成本、投资额均小于改良西门子法    

t2铜纯度及t2铜的电导率符号、单位1、t2铜纯度符号、单位：t2铜纯度符号是没有的，t2铜纯度单位是有的，就是“%”。2、t2铜的电导率符号、单位：t2铜的电导率符号为为“χ”或者是“σ”。t2铜的电导率单位为“西门子/米(S/m)”。

多晶硅技术严格地说是一种工艺，这种工艺所使用的液晶分子是具有多晶硅特点的产品。这种工艺比传统的镀膜更加昂贵，但是它带来了一些额外的好处。除了孔径比增加外，多晶硅层的使用使得在面板边缘构造驱动电路成为可能，从而能够无需接片在底层很好地实现连接。这意味着可使连接到面板上的接头数目减少95%以上，而且同时增加了显示的物理可靠性。　　多晶硅技术屏更多地被应用到笔记本等屏幕较小的显示屏中，多晶硅屏幕比无定形屏幕亮得多，反应速度也快，并且具有更高的对比度，更高的视角。多晶硅显示屏还可以从不同的角度释放出光源体，有近乎立体的效果。　　我国多晶硅材料 产业 近年发展迅速，无论技术还是生产规模都取得长足进步。全球金融危机在给 行业 带来威胁的同时，也给业内企业创造了调整的机会。多晶硅是新能源 产业 及信息 产业 的基础原材料，此前，只有美国、日本、德国拥有先进的 产业 化技术，长期实行技术封锁和 市场 垄断。近年来，我国多晶硅材料 产业 也实现了快速发展。　　目前我国自主创新的千吨级西门子法高纯硅材料规模化生产线取得突破性进展。以洛阳中硅高科技有限公司为代表，采用自主研发创新的西门子改良法生产工艺，2005年12月，我国首条年产300吨 产业 化规模的多晶硅生产线投产，在此基础上，国家发改委2006年支持的年产700吨高纯硅材料示范工程于2007年5月成功投产，初步形成了千吨级的生产能力。此后，中硅高科以863项目“24对棒节能型多晶硅还原炉技术”为基础，建设年产2000吨多晶硅项目，现已稳定生产，单条生产线能力达到国际公认的规模，技术达到国际先进水平。

“不非常谨慎的说,在未来的50年里,还没有什么其它材料能够代替多晶硅而成为电子和光伏工业的首要原材料”,一名清华大学新动力范畴研究员向记者着重这个说法并不科学,却又是不得不供认的实际。 　　材料显现,多晶硅在高温熔融状态下,具有较大的化学生动性,能与简直任何材料作用,具有半导体性质,是极为重要的优秀半导体材料。电子工业中广泛用于制作半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、是电子计算机等的根底材料。此外,多晶硅是出产单晶硅的直接质料,是今世人工智能、自动控制、信息处理、光电转化等半导体器材的电子信息根底材料。享有“微电子大厦柱石”的美誉。 　　更为重要的是,太阳能发电（光伏）与风电、核电等同为被世界公认的未来新式动力趋向,在这一布景下,太阳能正逐渐被商场承受。而单晶硅和多晶硅正是出产太阳能电池不行或缺的首要原材料。有最新统计数据显现,单晶硅与多晶硅在光伏工业中的使用率高达90%以上。 　　由此,能够推论,上文中那句在业界看来还不行谨慎的描绘,向人们“不行科学”地提醒了“多晶硅”在未来高精尖科技、电子信息乃至人们日常日子中的不行代替。 　　难以替代的硅晶电池 　　“太阳能发电是一种公正的、无污染的、绝佳的传统动力代替品。只是局限于科技水平的现状,特别是储能（电池）技能的现状,形成其发电本钱过高（逾越上网电价）,加之上游太阳能电池板首要原材料多晶硅的出产加工进程存在污染环境的问题,才使太阳能的开展遭到一些阻力。站在科学的视点,我并不以为这些能够约束或应该约束太阳能技能的开展,更不应因其中一个环节的污染问题难以处理,而完全否定开展太阳能的含义。事实上,它们都将经过科技水平的不断进步,被逐个霸占,关于新式原材料的研制、工业化都在飞速的开展中。”该研究员向记者表明。 　　据记者了解,从现在世界太阳电池的开展进程中看,其趋势大致为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包含微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。而最终的“薄膜材料”（薄膜电池）正是业界对以单晶硅和多晶硅为主质料的太阳能电池的更新换代。一些薄膜电池中现已完全抛弃了对多晶硅的使用,然后处理了“环保技能不环保”,光伏上游多晶硅出产进程中存在的污染问题。 　　“太阳能工业化进程中最大的阻力就是难以进步太阳电池的光电转化功率,用商场言语描绘就是难以下降其出产本钱。尽管一部分薄膜电池技能确实改变了对多晶硅的依托以及传统硅晶电池存在的电池主体易破碎、带着不方便、抗震才干差等缺陷,但却无法逾越传统硅晶电池的转化率,反而有所下降。”一位不肯签字的科技部人士向记者表明。 　　多晶硅的污染问题 　　材料显现,现在我国多晶硅出产的干流工艺是改进西门子法。据记者了解,这种西门子法其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢复原高纯三氯氢硅,生成多晶硅沉积在硅芯上;而改进西门子工艺是在传统西门子工艺的根底上,一起具有节能、降耗、收回使用出产进程中随同发生的许多副产物以及许多副产热能的配套工艺。现在世界上绝大部分供应商均选用改进西门子法出产多晶硅。 　　但即便如此,这种改进后的出产工艺仍然会发生许多四氯氢硅,而四氯氢硅是一种具有腐蚀性的有毒有害液体。 　　对此,清华大学研究员表明,“改进后的出产工艺考究闭路循环,可有用下降复原炉耗费的电能,对复原尾气进行收回,最大极限的使用多晶硅出产中的各种物料,排出的废料很少,相对传统办法而言对环境污染起到极大的改进作用。尽管这种工艺有待进一步进步,也确实没能完全根绝污染现象。但我坚持以为,更多污染环境的现象与厂商的投机取巧、不负职责或办理不严、商场准入标准过低有直接关系。” 　　多晶硅的产能过剩 　　2009年9月26日,国务院批转发改委等部分《关于按捺部分职业产能过剩和重复建造引导工业健康开展的若干定见》,文中明确指出多晶硅产能已显着过剩。随后,光伏不只因产能过剩而被办理层连连“点名批判”,更成为许多媒体报道中产能过剩的代表之一。近来,我国可再生动力学会副理事长孟宪淦更透过媒体表明,“寻求职业安排定见,计划将光伏职业同钢铁、有色、建材、化工等同时列入’两高’名单。” 　　对此,发改委动力研究所副所长李俊峰透过媒体表明,“应该考虑相同的能耗在不同产品中发明的价值,比方,一公斤的多晶硅的报价能够卖到60到70美元,而一吨水泥才干卖这个价,但它却要耗费两百度电。咱们在拟定方针时分一定要考虑到整个大环境,假如急急忙忙的出台方针,却不考虑方针带来的影响,这将发生许多消沉的作用。” 　　别的,清华大学研究员还表明,约束多晶硅出口实属应该,但现在多晶硅的出产污染是个敏感话题,有人说了多晶硅出产污染状况如何严峻,社会舆论就立刻跟着炒作,使得这个问题被逐渐扩大。就我个人和身边的一些人而言,大都科研人员对太阳能开展是持大力支持的情绪。我以为办理层的方针拟定意在遏止多晶硅出产低水平的重复建造,以及加强各级政府对光伏上游污染问题的办理检查和注重情绪,只是一个环节的问题不应牵扯整个光伏工业,而光伏自身确实需求一个容纳、科学的看待和开展环境。 　　据记者了解,2009年我国多晶硅的产值约为2万吨,而随同光伏产品的升级换代,商场占有率的不断攀升,面临约4万吨的巨大需求,我国光伏业所需的多晶硅一半以上依托进口。曾有专家猜测,2010年,这一状况还将得到连续,或将到达3.5万吨的多晶硅产值仍只能满意需求的一半。就现在而言,正确理解方针导向、勇于承当社会职责、经过科技水平改进出产工艺是挑选进入多晶硅工业前的必修课。

多晶硅设备,主要是指多晶硅生产设备。多晶硅设备主要是根据多晶硅的生产方法、生产原材料的不同，使用不同的生产设备。主要的多晶硅设备生产工艺：流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。　　 改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。想要了解更多多晶硅设备的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

关于硅石矿基地、工业硅、多晶硅项目,多晶硅的生产方法和流程,至今为止，国际上生产高纯多晶硅的主要方法仍然以“改良西门子法——三氯氢硅氢还原法”（约占全球总量的80%）和硅烷热分解法（约占总量的20%）为主。  “改良西门子法”生产多晶硅的工艺流程是以水、液氯、硅粉（化学级工业硅粉）为原料，采用电解水制氧气、氢气和氯气反应生成氯化氢、氯化氢与硅粉反应制得三氯氢硅再与氢气还原反应制得高纯多晶硅。   多晶硅的用途和产品方案，多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。多晶硅是制造集成电路硅衬底、太阳能电池等产品的主要原料，是发展信息 产业 和新能源 产业 的重要基石。   另据消息称，日矿 金属 开发出直径为450衄的多晶硅测试晶圆日矿 金属 宣布，该公司已在矶原工厂成功开发出了直径为450mm的搬运测试晶圆，将于2008年以后正式开始销售。此次开发的晶圆不是用于半导体制造，而是用于开发450ram晶圆的半导体制造装置和晶圆搬运装置。虽然并非单晶，但外形尺寸和研磨状态与实际晶圆非常相近。   多晶硅矿产近几年发展势头迅猛，它在工业上和太阳能电池发展过程中起的举足轻重的作用。世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000吨。 

日前，江苏中能硅业科技发展有限公司副总经理吕锦标表示国产多晶硅成本不断下降。　　中国多晶硅 产业 的发展走出了技术创新、规模化和专业化经营的成功路子。在技术上，经过几年的努力，我们的主流企业通过引进、消化吸收成熟的改良西门子技术，在精馏、还原、尾气分离处理等方面提高了工艺水平。在能耗方面，先进的企业已经达到生产每千克多晶硅综合耗电120-150千瓦时的世界先进指标，摘掉了多晶硅生产“高耗能”的帽子。通过技术引进和自主创新，以成熟运行的氢化技术解决了副产物处理，实现了物料循环利用，环保排放达标，摘掉了“高污染”的帽子。　　在规模化经营方面，以江苏中能为例，单线5000吨、单体超万吨的多晶硅项目进入稳定运行，2009年第四季度开始实现月产多晶硅超千吨，进入全球多晶硅规模化运行前三强。　　在专业化管理方面，成功定位了改良西门子法多晶硅生产的化工特点，消化吸收了精细化工生产技术，充分利用先进的化工机械设备，引进和培养化工类技术和管理人才，借鉴了化工生产的安全、环保管理，实现装置的长周期稳定运行，确保了系统高效运转，产品质量提升，产能发挥充分，成本步步逼近国际多晶硅七巨头。　　国内的多晶硅 产业 发展主要还是和国际七巨头争 市场 ，一是靠质量，二是看成本。从质量上看，江苏中能现在出来的产品全部达到太阳能多晶硅国家一级标准指标，我们从二季度开始供应电子级多晶硅，今年我们1.6万吨多晶硅总量中会安排10%左右的电子级产品供应半导体 市场 。成本方面，目前已经控制在35美元/千克以下，随着技术改造完成和运行经验的积累，年内会把生产成本降到30美元/千克的世界先进水平。可以说中国的多晶硅企业具备了和全球同行竞争的实力，从现有在建和将要投产的项目来看，预计2010年国内多晶硅 产量 会达到3万吨，占到全世界总 产量 的20%。由于太阳能 市场 的发展，全球多晶硅供求总体平衡。　　从未来发展趋势看，需求稳步上升，但 价格 持续下行，随着太阳能各 产业 链技术不断进步，规模化 产业 化进一步完善，太阳能发电设备制造会实现低成本扩张，多晶硅成本不断下降，五年内会实现太阳能发电平价上网，真正做到绿色能源进入千家万户。  

铝锭铣床是一种投资者想知道，因为了解它可以帮助操作。大型铝锭铣床为西南铝业公司生产的大型铝锭铣床，用来铣铝锭表面的氧化层，是为大飞机项目配套的关键设备。摘要：程序主轴指令-数控车床加工程序的结构和常用代码纺机内衣产品-浙江日发无缝内衣机下线产品品牌上海-西门子收购上海二工：整合低压电气资源铣床机长数控-经纬纺机公司常德纺机加长型数控钻铣床问世管道焊丝焊条-国内长输管道下向焊用焊接材料的发展现状与建议煤炭产能机械制造-煤炭机械行业产能过剩 中小型企业面临淘汰沈阳重工股权-三一重工和美国JANA公司竞购沈阳机床加工油嘴微孔-鲁南机床两种数控专机填补国内空白加工水轮机直径-二重加工出最大的水轮机锻造轴身东风价格今年-四季度乘用车市场压力和降价趋势分析从我国重型机床及锻压设备的重要生产基地--齐齐哈尔第二机床集团公司获悉，由该公司自主研发、具有完全自主知识产权的国内首台XKL2427/L50型数控龙门铝锭组合铣床成功下线，并发往用户安装调试准备投入生产。 据了解，XKL2427/L50型数控龙门铝锭组合铣床是机床,铝锭,我国,铣床,龙门从我国重型机床及锻压设备的重要生产基地--齐齐哈尔第二机床集团公司获悉，由该公司自主研发、具有完全自主知识产权的国内首台XKL２４２７/L５０型数控龙门铝锭组合铣床成功下线，并发往用户安装调试准备投入生产。 据了解，XKL2427/L50型数控龙门铝锭组合铣床是一种重型有色金属加工机床，机床集机械、电器、液压等新技术而设计的重型金属加工自动化生产线，该机床是铝合金板材轧制生产线的重要组成部分，用于铸造铝锭外表面的加工，它广泛用于民用铝型材、航空航天特种铝型材轧制生产线，是铝板带轧制线上的关键设备。 齐二机床是我国“一五”时期建立的第一批机械工业重点骨干企业，被誉为我国机床行业“十八罗汉”之一，为我国国防、军工、航空航天、造船、汽车、能源等重点行业提供了一大批关键装备。总结：纺机内衣产品-浙江日发无缝内衣机下线加工油嘴微孔-鲁南机床两种数控专机填补国内空白管道焊丝焊条-国内长输管道下向焊用焊接材料的发展现状与建议煤炭产能机械制造-煤炭机械行业产能过剩 中小型企业面临淘汰沈阳重工股权-三一重工和美国JANA公司竞购沈阳机床程序主轴指令-数控车床加工程序的结构和常用代码产品品牌上海-西门子收购上海二工：整合低压电气资源东风价格今年-四季度乘用车市场压力和降价趋势分析铣床机长数控-经纬纺机公司常德纺机加长型数控钻铣床问世加工水轮机直径-二重加工出最大的水轮机锻造轴身如果你想更多的了解关于铝锭铣床的信息，你可以登陆上海有色网进行查询和关注。 

当前国内许多大公司也没有完全采用无铅工艺而是采取有铅工艺技术来提高可靠性，在机车行业中西门子和庞巴迪等国际知名公司也没有完全采用无铅工艺进行生产，而是尽量豁免。      当前有许多专业也认为无铅技术还有许多问题有待于进一步认识，如著名工艺专家李宁成博士也认为当前的无铅工艺技术的发展还没有有铅技术成熟，如先前的无铅焊接采用的最多的Sn3Ag0.5Cu焊料合金，最近发现由于Cu的含量稍低，焊点可靠性有些问题，有人建议将Cu的质量分数提高到1%~2%，但是现在时常上还没有这种焊料合金的产品。同时无铅焊接的电子产品的可靠性数据远远没有有铅焊接生产的电子产品丰富。

  多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。    灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 　　多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。国际多晶硅主要技术特征（1）多种生产工艺路线并存， 产业 化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低 价格 工艺；冶金法从 金属 硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。多晶硅 产业 发展 预测　　高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏 产业 的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏 产业 主要原材料。 　　随着信息技术和太阳能 产业 的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛， 市场 供不应求。世界多晶硅的 产量 2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15600吨，供不应求。近年来，全球太阳能电池 产量 快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅 价格 快速上涨。 　　中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了 产业 化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，环境污染严重，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止，国内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料厂（所）、四川新光硅业科技有限责任公司3家企业。 　　中国集成电路和太阳能电池对多晶硅的需求快速增长，2005年集成电路 产业 需要电子级多晶硅约1000吨，太阳能电池需要多晶硅约1400吨；到2010年，中国电子级多晶硅年需求量将达到约2000吨，光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。而中国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口，95%以上多晶硅材料需要进口，供应长期受制于人，再加上 价格 的暴涨，已经危及到多晶硅下游众多企业的发展，成为制约中国信息 产业 和光伏 产业产业 发展的瓶颈问题。 　　由于多晶硅需求量继续加大，在 市场 缺口加大、 价格 不断上扬的刺激下，国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。多晶硅项目的投资热潮，可以说是太阳能电池 市场 迅猛发展的必然结果，但中国硅材料 产业 一定要慎重发展，不能一哄而上；关键是要掌握核心技术，否则将难以摆脱受制于人的局面。 　　作为高科技 产业 ，利用硅矿开发多晶硅， 产业 耗能大，电力需求高。目前电价已成为中国大多数硅矿企业亟待突破的瓶颈之一。因此中国大力发展多晶硅 产业 ，亟需在条件成熟的地方制定电价优惠政策，降低成本。 　　由于需求增加快速，但供给成长有限，预估多晶硅料源的供应2007年将是最严重缺乏的一年，预计到2009年，全世界多晶硅的年需求量将达到6.5万吨。在未来的3至5年间，也就是在中国的“十一五”期间，将是中国多晶硅 产业 快速发展的黄金时期。    

中核华原钛白股份有限公司是由原我国核工业集团公司四零四厂钛白分厂改制并由甘肃华原厂商总公司、我国信达财物办理公司、我国东方财物办理公司等五家建议建立的。    20世纪90年代初，公司从南斯拉夫卢布尔雅那斯麦尔特公司引入钛出产线和国外先进的出产技术和关键设备，建设了我国第一座年产1. 5万吨的硫酸法钛厂，首要出产设备和大型精细分析实验仪器均从德国、美国、芬兰等八个国家引入，整个出产过程由德国西门子公司引入的集散操控系统(DCS )进行操控。    1993年5月投料出产，现能出产A-101/A103和R-215/R201等14个牌号的钛，商标“泰奥华”。现在出产的锐铁型、金红石型和化纤钛等几大类，广泛应用于高级涂料、塑料、造纸、油墨、合成纤维、橡胶和电子元件等。    二期扩产工程将于2005年竣工，到时产能将达3万吨／年。

美国内华达州圆山附近的烟谷（Smoky Valley）金矿，坐落尼县托诺帕以北96km处。工厂基建总投资1800万美元，经两年建成于1977年投产，当年产金1.152t。该厂有员工140人，估计1979年产金1.71t，银0.98t。 该矿有按含金鸿沟档次0.68g∕t固定的矿石储量1200万t，矿石均匀含金1.93g／t、银2.18g∕t。运用化液堆浸，金的收回率达86%。 矿山为露天开采，采出的原矿经1066×1651mm的圆锥破碎机碎至178mm后，由宽914mm的皮带运送机供入2.1m西门子（Symons）标准破碎机再破碎至－50mm，然后由两台2.1m西门子短头破碎机碎至－9.5mm供堆浸用。 整个堆浸场所为一长640m、宽86m的矩形地段。场所的垫层厚178mm，下面铺设由橡胶板和沥青组成的厚50mm的隔水层，上面再涂敷沥青。用粉矿筑成的运送路途高出沥青地上660mm，将场所分隔成5个堆浸场。每个场所均向一侧和一端歪斜，以便浸出液会集流入贵液池。每个堆浸场可堆浸矿石4.5万t，4堆进行浸出，1堆进行洗刷，出渣和装矿筑堆。出渣和筑堆约需5d。 浸出液含0.045%NaCN、0.04%CaO。浸液经总管由4条塑料管供入每个浸出堆。塑料管上每隔12m装一组巴格达摇摆喷射器。喷射器由长228mm、直径6.35mm的医用胶管制成，喷洒半径9m。每个浸出堆约设84只喷嘴，供液速度2.7～3.4mL∕（m2·s），喷洒面积116m2，每小时喷液约近1500L。浸出周期27d。在堆浸进程中，每天取样监测各浸出堆排出的浸出液，当金的浸出量低于所规则的目标时便封闭浸出液，再用水洗刷两天。 浸出后的废石由两台装矿机和5辆45t货车运往废石场。因为废石场附近浸出场所，故28h即可运完。为了维护堆浸场沥青地上不受损坏，矿堆底部留下200～250mm厚一层废石不运走。为查验浸出液是否会经过浸出场所进入地下，在浸场下部开一眼深井，定时取样查验。 浸出的含金液，用涡轮泵泵送吸附－解吸－活化车间。含金液以6056L∕min的速度经过串联的5个活性炭吸附槽，经吸附后产出含金、银约7.775kg∕t的载金量。浸出液与炭粒呈逆向运转，每天从一号槽取出载金炭1t送解吸，一起向五号槽参加活性炭1t。经吸附后的贫液由五号槽排出，参加和石灰调整后，回来浸出进程循环运用。 载金炭于解吸槽中在88℃的热NaOH和NaCN液中进行洗脱。解吸后的炭粒于密封的irotech窑内活化后回来循环运用。富含金、银的洗脱液在3只电解槽内电积，于钢棉阴极收回金。

铜线电导性能是很好的。各种 金属 的导电性各不相同，通常银的导电性最好，其次是铜和金。固体的导电是指固体中的电子或离子在电场作用下的远程迁移，通常以一种类型的电荷载体为主，如：电子导体，以电子载流子为主体的导电；离子导电，以离子载流子为主体的导电；混合型导体，其载流子电子和离子兼而有之。除此以外，有些电现象并不是由于载流子迁移所引起的，而是电场作用下诱发固体极化所引起的，例如介电现象和介电材料等。 金属 导电是 金属 中自由电子做定向移动导电的，取决于单位体积内自由电子数和 金属 导体中原子热运动的剧烈程度即温度，单位体积内自由电子数越多，温度越低， 金属 的导电性能越好。电导率是物体传导电流的能力。电导率测量仪的测量原理是将两块平行的极板，放到被测溶液中，在极板的两端加上一定的电势（通常为正弦波电压），然后测量极板间流过的电流。根据欧姆定律，电导率(G)--电阻(R)的倒数，是由电压和电流决定的。电导率的基本单位是西门子（S），原来被称为欧姆。因为电导池的几何形状影响电导率值，标准的测量中用单位电导率S/cm来表示，以补偿各种电极尺寸造成的差别。单位电导率（C）简单的说是所测电导率（G）与电导池常数(L/A)的乘积.这里的L为两块极板之间的液柱长度，A为极板的面积。=ρl=l/σ(1)定义或解释 电阻率的倒数为电导率。σ=1/ρ (2)单位: 在国际单位制中,电导率的单位是西门子/米。 (3)说明 电导率的物理意义是表示物质导电的性能。电导率越大则导电性能越强,反之越小。    铜线电阻率和电流的关系:如果按照电线的载荷能力来算一平方毫米的铜导线的 载流量为6安铝线为4安 低压电器在－5％～10％的情况下，一般可以运行 也就是说导线上的电压降不能大于电源电压的5% 220伏电压下为11伏 按铜线来算20度时铜的电阻率为0.01756欧姆·平方毫米/米 一平方毫米100米的导线的电阻为0.01756*100=1.756欧 导线电阻为1.765欧允许电压降为11伏， 电流可以用电压除以电流 11/1.765=6.23也就是说，按照国家标准100米1平方毫米的铜导线的额定电流为6.23安以下 铝的电阻率是0.028一百米导线的电阻就事2.8欧， 11/2.8=3.9安 100米1平方毫米的铝导线的额定电流为3.9安以下 标准/规范的导线颜色：A线用黄色，B线用蓝色，C线用红色，N线用褐色，PE线用黄绿色 N 线代表的事零线 PE线是保护地线，也叫安全线，是专门用于接到诸如设备外壳等保证用电安全之用的.铜线电导率＊四环电导电极，精确性和可靠性高；＊坚固耐用的探棒和套管均由PVC材质所制，外部直径为20mm，长度为120mm，四组测量范围覆盖全量程。＊自动温度补偿和温度补偿系数在0－2.5%/℃可调，适用于酸性、碱性和高含盐性等样品。铜线电导率测量范围0.0 to 199.9μS/cm；0 to 1999μS/cm；0.00 to 19.99mS/cm；0.0 to 199.9mS/cm解 析 度：0.1μS/cm；1μS/cm；　0.01mS/cm；0.1mS/cm；精 确 度：±1%F.S.EMC偏差：±2%F.S.校　　准：自动0 to 50℃,补偿系数β值在0 to 2.5%/℃可调温度补偿：具有ATC功能的HI76302（1米长导线）配套电极：HI76301（1米线）电　　源：1×9V环　　境：0 to 50℃；RH95%尺寸/重量：185×82×45mm/355g  

由于技术受制于人，多晶硅进出口曾有400倍差价。此前我国曾大量出口粗制的冶金级的硅，而进口经国外技术加工的太阳电池级的硅。这中间造成了巨大的进出口差价，产生了“新能源出口、碳排放留下”的声音。　　现在生产多晶硅主要有两个办法，一种是改良西门子法，一种是硅烷法。这两种方法我们都在引进、消化和吸收，但是基本上核心技术仍然还是国外的。他坦言，冶金级的硅纯度99%，我们过去曾大量出口且 价格 低廉，每一公斤不到一个美元。这个出口确实等于消耗了我们的能源，因为提炼有机硅，要耗很多的电。而国外企业进口了我们冶金级的硅，经过提炼后纯度达到99.9999%(六个9)，再反卖给我们，最贵的400多美元一公斤。　　对于多晶硅的出口，已经引起了国家有关部门的重视，正在制定相关措施进行规范。多晶硅 产业 应首先满足国内 市场 的需求，而不要出口初级产品。

多晶硅碎片用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法，其中利用包括粉碎工具和筛分装置的装置对来自西门子法的多晶硅进行粉碎和分级，并利用清洁浴清洁由此获得的多晶硅碎片，其特征在于，所述粉碎工具和所述筛分装置与多晶硅接触的表面主要由一种材料制成，该材料仅以杂质颗粒污染多晶硅碎片，随后通过清洁浴针对性地去除该杂质颗粒。    背腐蚀工艺是将扩散后的硅片漂浮在腐蚀 液上面，扩散面向上，背面扩散的少量ｎ层被腐蚀液去掉，达到分离ｐ－ｎ结的目 的。目前，Ｒｅｎａ公司已经开发出适用于背腐蚀的设备，在电池效率接近的情况 下，碎片率明显减小。正面无保护背腐蚀分离ｐ－ｎ结工艺是酸液腐蚀体系在太阳 能电池工艺中应用的新领域。自从多晶硅材料被用来代替单晶硅以降低晶体硅太阳能电池的成本以来，制 备高质量的绒面结构以提高其光吸收率的尝试就没有停止过。经过研究者的探 索，最终选择了用酸液各向同性腐蚀硅片制备绒面。 这里的酸液主要指ＨＦ／ＨＮ０３体系。酸液对硅片腐蚀最大的缺点是反应的自 催化性，产品质量的可重复性难以控制，这无疑会给大规模生产带来很大的困难。 在应用于工业化生产实际过程中，技术人员通过加冷却装置、循环装置等附属装 置来控制反应，这又增加了工艺成本。 对于工艺控制而言，富氧化体系（ＨＮ０３含量远多于ＨＦ含量的体系）中， 决定反应速率就仅仅在于ＨＦ的扩散和硅片表面氧化产物的溶解。相对氧化控制， 这一步更容易控制。