国际多晶硅 产业 概况 当前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料,其 市场 占有率在 90%以上,而且在 今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料.多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美,日, 德等 3 个国家 7 个公司的 10 家工厂手中,形成技术封锁, 市场 垄断的状况. 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池.按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级.其中,用 于电子级多晶硅占 55%左右,太阳能级多晶硅占 45%,随着光伏 产业 的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅 需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展。     1994 年全世界太阳能电池的总 产量 只有 69MW, 2004 年就接近 1200MW, 而 在短短的 10 年里就 增长了 17 倍.专家 预测 太阳能光伏 产业 在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一. 据悉,美国能源部计划到 2010 年累计安装容量 4600MW,日本计划 2010 年达到 5000MW,欧盟 计划达到 6900MW,预计 2010 年世界累计安装量至少 18000MW.从上述的推测分析,至 2010 年太 阳能电池用多晶硅至少在 30000 吨以上。     据国外资料分析报 道,世界多晶硅的 产量2005 年为 28750 吨,其中半导体级为 20250 吨,太阳能级为 8500 吨,半导体 级需求量约为 19000 吨,略有过剩;太阳能级的需求量为 15000 吨,供不应求,从 2006 年开始太阳能 级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大. 据日本稀有 金属 杂质 2005 年 11 月 24 日报道, 世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张, 主要是由于以 欧洲为中心的太阳能 市场 迅速扩大,预计 2006 年,2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多 晶硅 价格 方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005 年世界太阳能电池 产量 约 1GW,如果以 1MW 用多晶硅 12 吨计算,共需多晶硅是 1.2 万吨,2005-2010 年世界太阳能电池平均 年增长率在 25%,到 2010 年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过 6.3 万吨. 世界多晶硅主要生产企业有日本的 Tokuyama,三菱,住友公司,美国的 Hemlock,Asimi,SGS, MEMC 公司,德国的 Wacker 公司等,其年产能绝大部分在 1000 吨以上,其中 Tokuyama,Hemlock, Wacker 三个公司生产规模最大,年生产能力均在 3000-5000 吨.     国际多晶硅主要技术特征有以下两点: (1)多种生产工艺路线并存, 产业 化技术封锁,垄断局面不会改变.由于各多晶硅生产工厂所用主辅 原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标,产品质量指标,用途,产 品检测方法,过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产 主要的传统工艺有:改良西门子法,硅烷法和流化床法.其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世 界总产能的 80%,短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变. (2)新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃.除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升 级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的低 价格 工艺;冶 金法从 金属 硅中提取高纯度硅; 高纯度 SiO2 直接制取; 熔融析出法 (VLD: Vaper to liquid deposition) ; 还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si 溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等.     国内多晶硅 产业 概况 我国集成电路的增长,硅片生产和太阳能电池 产业 的发展,大大带动多晶硅材料的增长. 太阳能电池用多晶硅按每生产 1MW 多晶硅太阳能电池需要 11-12 吨多晶硅计算,我国 2004 年多 晶,单晶太阳能电池 产量 为 48.45MW,多晶硅用量为 678 吨左右,而实际产能已达 70MW 左右,多晶 硅缺口达 250 吨以上. 2005 年底国内太阳能电池产能达到 300MW, 到 实际能形成的 产量 约为 110MW, 需要多晶硅 1400 吨左右,预测 到 2010 年太阳能电池 产量 达 300MW, 需要多晶硅保守估计约 4200 吨, 因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加,见表 3. 2005 年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在 20%-30%,半导体用单晶硅企业开工率在 80%- 90%,都不能满负荷生产,主要原因是多晶硅供给量不足所造成的.预计多晶硅生产企业扩产后的 产量 , 仍然满足不了快速增长的需要. 2005 年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为 10448 吨,而 2005 年太阳能用硅材料需求量约为 回收单晶硅公司 15953101283 提供 22881 吨,如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的 65%计,则太阳能电池用多晶硅需求量约为 14873 吨, 这样全球太阳能电池用多晶硅的 市场 缺口达 4424 吨. 2005 年半导体用多晶硅短缺 6000 吨, 加上太阳能用多晶硅缺口 4424 吨,合计 10424 吨,供给严重不足,导致全球多晶硅 价格 上涨.目前多 晶硅 市场 的持续升温,导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划,根据来自国际光伏组织的统计,至 2008 年 全球多晶硅的产能将达 49550 吨,至 2010 年将达 58800 吨.预计到 2010 年全球多晶硅需求量将达 85000 吨,缺口 26200 吨.    从长远来看,考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能 产业 的大力支持, 需求将持续增长.根据欧洲光伏工业联合会的 2010 年各国光伏 产业 发展计划预计,届时全球光伏 产量 将 达到 15GW(1GW=1000MW) ,设想其中 60%使用多晶硅(包括多晶硅和单晶硅)为原材料,如果技术进步每 MW 消耗 10 吨 多晶硅,保守估计全球至少需要太阳能多晶硅 5 万吨以上. 与国际水平相比,国内多晶硅生产物 耗能耗高出 1 倍以上,产品成本缺乏竞争力.  

单晶硅多晶硅都是硅的一种形态。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。想要了解更多单晶硅多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

单晶硅 多晶硅.首先要了解两者的本质和性质。单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。接下来了解两者的性质。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。想要了解更多单晶硅 多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

太空中的单晶硅      遥望星空，茫茫宇宙，探索太空是人类几百年的梦想。人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。航天飞机、宇宙飞船、人造卫星都要以单晶硅作为必不可少的原材料。航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。离开单晶硅，卫星会没有能源，没有单晶硅，航天飞机和宇航员不会和地球取得联系，单晶硅作为人类科技进步的基石，为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。火星上的单晶硅    当今，“火星热”在全世界范围内掀起了浪潮，仅在今年，人类就有三颗探测器在火星表面登陆，先是欧州航天局的“猎兔犬”号，接着就是美国的“勇气”号和“机遇”号的两次难度最高、惊心动魄的人工智能控制着陆。现在，两辆火星探测车正在火星表面进行漫步，在地球上的工程技术人员控制下进行火星探测，已经发回了大量珍贵的火星探测数据，甚至还发现了火星曾有水存在的证据，这在人类探索宇宙的历程上无疑是一个里程碑。    火星探测器进行所有的探测活动所需的能源都是由探测器上携带的太阳能电池板转化太阳能得来的，太阳能电池板把太阳能转化为电能，供给火星探测器使用。这样，火星探测器可以在距离地球数千万英里之外的火星上接收来自地球的控制信号，进行一系列复杂的探测活动。这些能源的来源都是以单晶硅为材料制成的太阳能转换器，火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光，探测器白天休息——利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来，晚上则进行科学研究活动。也就是说，只要有了单晶硅，在太阳光照到的地方，就有了能量来源。你身边的单晶硅    不知道你发现了没有，在你的日常生活里，单晶硅可以说是无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中各个角落。    ２1世纪是材料的世纪，科学技术的飞速发展给人们的生活带来了日新月异的变化，而每一项科学技术的应用与普及都与单晶硅有着密不可分的关系，单晶硅作为科技基础材料已经成为科技发展的基石和人们日常生活中必不可少的一部分。

  整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

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多晶硅片是制作太阳能电池的核心材料，产品被广泛应用于光伏发电、通讯、交通以及偏远地区居民的生产、生活供电等领域，还可以应用于太阳能灯、草坪灯和屋顶太阳能光伏发电等新的领域。　　运用垂直梯度凝固技术和多线网切割技术加工而成，在晶体生长速率和退火，能有效保证晶体的晶向和结晶速度，从而确保多晶硅片的稳定性和高转化率。　　一种用于生产太阳能电池的多晶硅片的制造方法，是将熔融的硅熔体注入到一个狭缝，硅熔体在狭缝的耐高温面上结晶，在狭缝空间的约束下，结晶成指定厚度的多晶硅片。它是一种使熔融状态的硅直接结晶成薄片硅的方法，因此可以提高硅材料的利用率，可以制造出200微米以下厚度的硅片，从而降低太阳能电池的成本。

我国是能源消耗大国，石油、煤炭等能源资源稀少，太阳能利用技术的研究有十分重要的意义。而多晶硅片是太阳能电池的主要材料的一种型号。当前，衡量各种太阳能电池组件电性能的主要指标是在标准测试条件下的额定输出功率。  由于光照变化，太阳能电池组件的输出功率也在不断变化，因此，在实际使用时，仅以额定输出功率衡量太阳能电池组件的电性能，不能完全反映其实际发电效能。对用户来说，更关心的是在户外条件下太阳能电池组件每瓦在一段时间内的比额定功率发电量，包括这段时间内所有户外光照情况下的发电量总和，它能较好反映太阳能电池组件在应用中的实际发电能力。由于地球上的纬度不同，日照和气候条件差别很大，而太阳能电池对日照条件非常敏感，因此，在某一地点得出的实验结论，在其他地点是否相同，尚需进一步验证。为了便于比较分析，本文针对地处北纬22.16°、东经114.1°深圳地区的非晶硅和单、多晶硅太阳能电池组件的比额定 功率发电量进行模拟，并对其结果进行了分析。  介绍和比较了非晶硅和单、多晶硅太阳能电池组件的优缺点。针对它们在并网光伏发电系统中的应用，采用PVsyst 软件对各种太阳能电池组件的比功率发电量进行模拟。结果表明，非晶硅太阳能薄膜电池板的比功率发电量大于单、多晶硅的比功率发电量。PVsyst 软件中图分类号：TM914.4 文献标识码：A 文章编号：1007-3175(2010)04-0030-03 几种太阳能电池组件比功率发电量的模拟与比较 31 电工电气 (2010 No.4) 生产技术成熟，是光伏 市场 上的主导产品。国际公认最高效率在AM1.5( 即大气质量1.5) 条件下为 24%，空间用高质量的效率在AM0( 即大气质量为0，日- 地平均距离为一个天文单位时，太阳的总辐射度和光谱分布) 条件下为13.5% ～18%，地面用大量生产的在AM1 条件下多在11% ～18%。大晶粒多晶硅太阳能电池的转换效率最高达18.6%。多晶硅 太阳能电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致太阳能电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。随硅元件使用的多少以及纯度的改变，单件功率不确定，同样面积的板块功率可以变化。薄膜晶体硅太阳能电池能够大大降低晶硅用量，但目前还处于研发阶段，尚未工业化。晶体硅片太阳能电池的优点是可在单位面积上获得较高的发电功率和稳定的发电性能。如果其中一小部分被遮挡，会产生孤岛效应，但由于其强光发电的特性，只有保障与阳光的合理角度才能达到应有的光电转换率，因此必须考虑安装角度问题，这使得可安装的总面积和平面布局都受到限制。

        江西赛维LDK太阳能高科技有限公司多晶硅片产能达到1000兆瓦,该公司成为全球产能最大的多晶硅制造企业后,进一步成为世界首个实际产能进入吉瓦(GW)俱乐部的光伏企业。　　仅经过短短3年时间的发展,今天的赛维已经是全球最大的太阳能硅片供应商。在当前能源资源紧缺的形势下,发展光伏 产业 ,推动太阳能的广泛应用意义重大。    祝赛维LDK多晶硅片产能达到1000兆瓦，这不仅是赛维公司发展史上具有里程碑意义的大事、喜事，也是全市经济发展中的一大盛事，对于推动新余加快光伏 产业 发展，打造世界重要光伏 产业 基地具有十分重要的意义。     维公司多晶硅片产能达到1000兆瓦，这是公司广大员工励精图治、锐意进取、敢有作为、善于作为的结果，也是我市深入实施以新型工业化为核心的发展战略，举全市之力支持光伏 产业 发展所取得的重大成果。

       浙江昱辉阳光能源有限公司多晶厂第一台开方机调试成功，顺利将试生产的多晶硅锭进行了开方，这标志着公司多晶硅片项目已经进入试生产阶段。     公司从德国进口的多晶炉设备，能生产目前国内最大尺寸的多晶硅锭，单锭重量达400公斤以上。     公司采用了世界先进的顶底加热方式的长晶工艺。据技术人员介绍，这种工艺不仅可以实现高效、安全、环保、低耗能，而且生产出硅锭的晶粒尺寸大、杂质低，更有利于提高电池片的转换效率。     浙江昱辉董事长兼总经理李仙寿介绍说，此次调试成功表明，公司已经具备独立生产多晶硅片的能力。李仙寿表示，多晶硅片项目正式投产后，公司将形成月产1000万片硅片的能力。   

人造单晶金刚石作为刀具材料，市场上能买到的目前有戴比尔斯(DE-BEERS)生产的工业级单晶金刚石材料。这种材料硬度略逊于天然金刚石。其它性能都与天然金刚石不相上下。由于经过人工制造，其解理方向和尺寸变得可控和统一。随着高温高压技术的发展，人造单晶金刚石最大尺寸已经可以做到8mm。由于这种材料有相对较好的一致性和较低的价格，所以受到广泛的注意。作为替代天然金刚石的新材料，人造单晶金刚石的应用将会有大的发展。

天然单晶金刚石是一种各向异性的单晶体。硬度达HV9000-10000，是自然界中最硬的物质。这种材料耐磨性极好，制成刀具在切削中可长时间保持尺寸的稳定，故而有很长的刀具寿命。     天然金刚石刀具刃口可以加工到极其锋利。可用于制作眼科和神经外科手术刀；可用于加工隐形眼镜的曲面；可用于切割光导玻璃纤维；用于加工黄金、白金首饰的花纹；最重要的用途在于高速超精加工有色金属及其合金。如铝、黄金、巴氏合金、铍铜、紫铜等。用天然金刚石制作的超精加工刀具其刀尖圆弧部分在400倍显微镜下观察无缺陷，用于加工铝合金多面体反射镜、无氧铜激光反射镜、陀螺仪、录像机磁鼓等。表现粗糙度可达到Ra(0.01-0.025)μm。     天然金刚石材料韧性很差，抗弯强度很低，仅为(0.2-0.5)Gpa。热稳定性差，温度达到700℃-800℃时就会失去硬度。温度再高就会碳化。另外，它与铁的亲和力很强，一般不适于加工钢铁。

1、外观上的区别外观上面看的话，单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。2、使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形（四边都是圆弧状），因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满；而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题。3、制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保！

钨是战略资源，是我国的丰产元素和保护矿种。长期以来，我国出口钨的初级产品，进口高端产品，出口产品的价格仅为进口产品的1％，与我国的经济发展要求极不适应。为加快钨新材料研发进程，实现钨产品由初级向高技术含量、高附加值产品的转变，使我国钨资源优势转化为经济优势，研究高性能钨材料的制备技术具有重要的现实意义和发展前景。     由于遗传关系，仲钨酸铵(APT)的晶体特性，如晶体形貌、平均粒度和粒度分布、松装密度和流动性对后续粉末冶金产品－钨粉、钨丝和钨合金的材料性能影响极大。单晶APT因其具有优良的物理性能，是生产高性能钨材料的理想原料。首先，单晶APT粉体具有良好的流动性，由单晶APT经焙烧－氢还原制取的钨粉，在压制过程中因滑动磨擦阻力小，坯料的空洞缺陷明显降低，加工材料的力学性能大幅度提高。由于抗拉、抗断裂性能好，拉制过程钨丝的成品率为90％，而以多晶APT为原料生产的钨丝其成品率仅为70％。因此，单晶APT成为生产车用高品质钨丝的必选粉体原料。此外，单晶APT粉体具有较高的松装密度，坯料中晶粒间隙小而均匀，力学缺陷少，压实密度高，以其制取的合金材料其抗压、抗剪力、抗冲击性能优良。如以单晶APT制取的顶锤寿命是以多晶APT制取的2～3倍。由于配重作用大，单晶APT是生产装甲弹、高密度合金、微钻、数控刀片等高性能钨材料的优良粉体原料。     因此，单晶APT粉体的制备技术及其制备原理的研究，是一关键课题。国内外现有的对APT性能的研究，较多的是关注工艺条件与仲钨酸铵的粒度、粒度分布、松装密度和流动性等晶体特性的关系。笔者在探明单晶APT结晶原理基础上，研究了结晶装置、搅拌转速、温度等因素对仲钨酸铵团聚的影响。     一、试验部分     （一）试验原料及试剂     (NH4)2WO4溶液：为黑钨矿精矿经碱溶、离子交换法除杂净化转型后所得溶液，其ρ（WO3）＝285.66 g/L，pH＝9.80，c（Cl－）＝2.5mol/L，Mo、Si、P、As杂质微量。     试验过程中，溶液结晶至初始溶液体积的40％。     （二）试验仪器     DF－1集热式恒温磁力搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；5312数显搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；0.1mg电光分析天平（成都科学仪器厂）；721型分光光度计（上海精密科学仪器有限公司）；SFC－100FL麦克奥迪显微镜；红外线快速干燥器。     （三）试验装置    试验装置如图1所示。图1  制备球形仲钨酸铵的蒸发结晶装置     二、单晶仲钨酸铵的制取机理     晶粒团聚的先决条件是接触。晶粒的接触方式有2种：一是沉积于结晶器底部的堆积接触；二是悬浮于结晶溶液中的碰撞接触。其中，碰撞接触的机会大小与结晶器内流体的流动方式和溶液中固体颗粒的浓度有直接关系。     堆积接触可以通过搅拌使晶体颗粒悬浮而避免，因此，在保证晶粒处于悬浮前提下，降低以至消除晶粒在溶液中运动碰撞的机会是制取仲钨酸铵单粒晶体的前提。     由于搅拌装置和搅拌转速不同，晶粒在运动中碰撞的机会有很大不同。根据研究，在横截面为圆形的结晶器中，流体围绕搅拌轴做圆周同心层流运动时，晶粒碰撞机会最小。     流体运动是层流还是紊流，取决于流速，即搅拌速度。搅拌越慢，流体偏离紊流越远。因此，在保证晶粒不沉积的前提下，搅拌转速越慢越好。     APT晶粒的沉降速度与其粒度有关。粒度越大，越易沉降，维持其保持悬浮状态所需的转速越快。因此，结晶过程根据晶粒长大的情况，对搅拌转速进行由慢到快的控制，确定不同粒径范围，APT晶粒既不沉积也不碰撞的最佳转速是制取单粒晶形APT的技术关键之一。     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会也与单位体积晶液中颗粒多少（即固相浓度）、晶粒大小有关。根据前期研究结果，在起始钨酸铵溶液浓度相同条件下，降低结晶前期溶液温度、搅拌转速是降低成核数量（即降低固相浓度）和晶粒生长速度（即降低晶粒粒径）、减少APT晶粒碰撞、制取单粒晶形APT的技术关键之二。     三、结果和讨论     （一）结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响     反应条件：搅拌转速70 r/min，结晶温度95℃。定性考察结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响。     结晶装置均为横截面为圆形的结晶器。根据仲钨酸铵结晶动力学理论及流体力学原理，这种结晶装置中，流体围绕搅拌轴作圆周运动，相同半径点的流体速度基本一致，基本实现流体层流。研制的结晶器与普通结晶器流体流动状态显著不同，如图2所示。图2  不同结晶器中流体的流动状态     基于上述原理，对搅拌浆进行改进。装置分为A、B、C 3种。A未进行改进，B、C分别为改进1和改进2装置。试验结果见表1。可见，经过改进的结晶装置，所得APT粉体单晶率明显升高。以下试验均在C装置中进行。 表1  结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响结晶装置APT粉体单晶率/%APT粉体粒度/μmAPT粉体松装密度/（g·cm－3）A46462.2B78351.8C85422.1     （二）搅拌转速对仲钨酸铵团聚的影响     结晶温度95℃，试验结果如图3所示。图3  搅拌速度对APT粉体团聚的影响     由图3可知：1、低搅拌速度下所得APT的单晶率较低，转速为30 r/min时，单晶率为62％。这是因为搅拌转速较慢时，APT颗粒在溶液中不能充分悬浮于溶液中，而是以堆积方式沉积于结晶器底部，这必然导致APT团聚现象发生。随着搅拌速度提高，APT团聚现象逐步得到缓解，因而APT单晶率逐步提高，并在70～90 r/min时达到最佳值，此时单晶率在86％左右。     2、随着搅拌转速的进一步提高，APT单晶率逐步下降。这是因为搅拌转速的提高必然导致结晶器内溶液的流动状态从层流变为紊流，紊流状态使悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞接触机会加大，从而导致APT团聚现象发生。     3、可以得出结论：搅拌转速70～90r/min是一个分界点。低于70r/min，溶液中的APT颗粒有部分因搅拌力不足而沉积团聚；在此范围内，溶液中的APT颗粒基本悬浮于溶液中；大于90r/min，溶液搅拌加剧，悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞加剧而团聚。因而，从结晶的整个过程来看，搅拌转速应控制在70～90r/min范围内。     （三）搅拌转速对不同时期仲钨酸铵团聚的影响     从结晶局部过程来看，搅拌速度70～90r/min并非为最佳值。如前所述，最佳搅拌速度是在保证APT晶粒不沉积前提下越慢越好。但在结晶不同时期，由于晶粒的数量和大小是不同的，因而保证APT晶粒不沉积的最慢转速也不同。因此，有必要进一步探索不同结晶时间时维持层流和阻止晶粒沉积的最佳转速。     结晶从开始到结束，APT颗粒的大小应该呈总体增大趋势，因而搅拌速度在结晶初期可以取较小值，随着结晶过程的进行，搅拌速度应逐步提高。在结晶后期，搅拌转速达到70^90 r/min总体最佳值。     结晶时间取3个点：晶核出现前，晶核出现时和晶核出现后1h。对于时间点1，取转速分别为10，20，30r/min；对于时间点2，取转速分别为30，40，50r/min；对于时间点3，取转速分别为60，70，80r/min；结晶温度为95℃。在此条件下进行正交试验。试验结果见表2。 表2  不同结晶时期搅拌转速对APT团聚的影响试验序号时间点1时间点2时间点3APT单晶率/%120406089230507093340608091420508092530606088640407092720607091830408092940506090     由表2可知：2号试验所得产品单晶率最高，即晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期，搅拌转速控制在70～90r/min范围内。在此条件下，所得产品APT单晶率达93％。     结晶后期指的是溶液中不再形成新的晶核，即溶液的过饱和度达到了最低值。据测算，这个点溶液的密度为1.116～1.125g/cm3。结晶后期到结晶结束，仍有5～6h的结晶时间，但这段时间工艺条件的改变对APT单晶率影响很小，因为这段时间晶体已经长的比较大了，相互的碰撞不再易于团聚。     （四）温度对仲钨酸铵团聚的影响     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会与单位体积溶液中颗粒数量的多少也有关系。如上所述，对APT单晶率影响最大的阶段是结晶前期，即从成核开始至成核结束。因此，着重研究了结晶前期不同温度对APT单晶率的影响。溶液温度仍取95℃，加速加热以缩短周期；成核终了至结晶结束，温度仍控制在95℃。     试验条件：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现后1h，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶终了，搅拌转速为80r/min。结晶前期，改变蒸汽温度，试验结果如图4所示。图4  结晶温度对APT粉体单晶率的影响     由图4可知：适当降低结晶前期的温度，APT粉体的单晶率有较大的提升空间，但温度不能降低得太多；温度为80℃时，APT单晶率达到最佳值，为96％；进一步降低温度，晶体成核率过低，晶体长大速度过快，晶粒粗大，反而对APT粉体单晶率有负面影响。     四、验证试验     根据上述试验结果，在最佳工艺条件下进行验证试验。结果表明，APT粉体单晶率大于95％，松装密度1.5～3.0 g/cm3，费氏粒度在30～60μm之间，霍尔流动性30～50s/50g。产品单晶电镜扫描图如图5所示。图5  单晶APT电镜扫描图     五、结论     采用改进的结晶装置，APT粉体单晶率明显提高。这种改进主要体现在搅拌浆上，可以促进结晶器内溶液层流的实现。所研发的单晶APT粉体制备流体层流控制技术及装置，可有效减少晶粒间的碰撞，使制备出的单晶APT粉体单晶率达90％以上。     APT粉体最佳结晶条件为：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶结束，搅拌转速为70～90r/min；适当降低结晶前期温度，APT粉体单晶率有较大提升空间，在结晶温度为80℃时达到最佳值，单晶率为96％。

多晶硅电池,是一种制造太阳能电池的材料，虽然太阳能是一种环保的能源，但由于因技术限制，多晶硅电池仍存在环保问题。多晶硅材料随着其供应商的不同而差异很大，这对电池生产工艺的优化和产品质量的控制带来很多不便。然而减少电池表面的复合率和改善体内质量是提高电池转换效率的重要手段。等离子体化学气相沉积（PECVD）氮化硅薄膜是很理想的电池表面减反射膜，同时也提供了较为理想的电池表面和体内钝化。目前，有两种等离子体化学沉积技术被广泛用于氮化硅的淀积工艺，一种是远程PECVD，另外一种是直接PECVD。前者在淀积氮化硅的过程中，对电池表面的损伤几乎可以忽略。因此对电池表面的钝化效果较为理想，而直接PECVD对电池表面的损伤较大，所以对表面的钝化效果不佳，但是电池表面损伤层能增强氢原子在硅材料体内的扩散，从而加强了电池体内钝化效果，然而直接PECVD对电池表面损伤在高温处理中（700℃）能得到恢复。多晶硅是由定向凝固的方法铸造而成的，它的结晶速度和生产能力均比单晶硅片的制造快许多。目前单一多晶硅的铸造炉的容量已超过270公斤。由于晶界的存在和晶体生长速度很快，多晶硅片的质量的均匀性较差，如晶粒大小不一样，晶界处杂质和缺陷浓度较高等。加之多晶硅晶粒晶向的不一致性，不能采用各向异性的化学腐蚀方法形成有效的绒面，因此在很长一段时间内多晶硅电池的转换效率比单晶硅电池的转换效率低很多。近年来，随着人们对多晶硅材料的理解的不断加深，对多晶硅材料的处理和电池工艺作了大量的改进，从而使多晶硅电池的转换效率得到了迅速的提高。大规模工业生产的转换效率也能达到14%以上。多晶硅电池转换效率的大幅度提高主要归功于磷扩散和铝背场的吸杂效应以及氮化硅减反射膜中氢原子对多晶硅材料中缺陷的钝化作用。　　由于多晶硅具有比单晶硅相对低的材料成本，且材料成本随着硅片的厚度而降低，同时多晶硅片具有跟单晶硅相似的光电转换效率，多晶硅太阳电池将进一步取代单晶硅片的 市场 。因此太阳电池的技术发展的主要方向之一是如何采用大规模生产的工艺，进一步提高多晶硅电池的转换效率。针对目前多晶硅电池大规模生产的特点，提高转换效率的主要创新点有以下几个方面：　　1)高产出的各向同性表面腐蚀以形成绒面。　　2)简单、低成本的选择性扩散工艺。　　3)具有创新的、高产出的扩散和PECVD SiN淀积设备。　　4)降低硅片的厚度。　　5)背电极的电池结构和组件。想要了解更多多晶硅电池的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅和多晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术 产业 的发展，成为当代信息技术 产业 的支柱，其产生的废料，正引起越来越多的关注和重视。目前国内大部分单多晶硅废料供应 价格 如下：　　单晶硅废料供应：单晶硅棒/单晶硅废料/单晶硅片/裸片/抛光片等。　　单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上/40元/片　　单晶硅抛光片/P型/电阻:0.5以上/38元/片　　单晶硅方棒/P型/电阻:0.5以上/1800.00元/公斤　　单晶硅圆棒/P型/电阻:0.5以上/2000.00元/公斤　　单晶硅废料/P型/电阻:0.5以上/太阳能级/1000.00元/公斤　　多晶硅 现货价格 让下游无法承受。按照目前10g/W的消耗量计算，如果全部用 现货市场 300$/kg的原料，则每瓦的硅料成本就有3$/W。半导体废片和多晶硅废料/边角料的 价格 都在170$/kg以上。　　更多单多晶硅废料 价格 详见上海 有色 网。

四川瑞能多晶硅有限公司(Reneslola)　　国内著名太阳能生产企业,主要生产太阳能电池单晶硅片,多晶硅片,月产1000万片硅片生产能力。是世界领先的太阳能硅片生产商之一。目前在美国,新加坡,浙江,河南等地有6家子公司。产品经营遍布全球。目前已经在美国及英国两地上市。　　四川瑞能硅材料有限公司于2007年8月在眉山正式成立，其投资主体是英国上市公司Renesola Ltd（英国 瑞能），是外商独资企业。瑞能公司2007年多晶硅、单晶硅切片 产量 378兆瓦，居世界同 行业 第三位，是目前全省乃至全国多晶硅投资主体中综合优势最强业主之一。　　公司在眉山总投资45亿元，建设6000吨/年多晶硅生产能力，分两期建设到位，一、二期各3000吨/年。“如果前两期投产顺利，我们将考虑第三期的建设，再扩增6000吨/年产能，同时投资硅片、电池片等相关 产业 链项目。”涂建林介绍，项目一期工程已于今年4月开工，预计下个月进入安装调试，明年2月就能出产品，一期建成后，将实现年销售收入80亿元，利润20亿元，税金10亿元。按照进度，2009年可实现销售收30亿元以上，2010年50亿元以上，2015年100亿元以上。　　更多有关瑞能多晶硅的信息详见上海 有色 网。

   太阳能级多晶硅超大规格电磁提纯铸锭（900 kg）工艺高技术 产业 化示范项目   建设规模：新建生产车间、预处理车间、原料车间、后处理车间、仓库、办公楼、职工食堂、研发中心、职工宿舍、变配电室、维修车间、超纯水及工作气体站等有关设施、设备购置及安装等内容，建成太阳能级多晶硅超大规格电磁提纯铸锭（900 kg）工艺示范工程。工艺技术：企业拥有自主知识产权。主要装备：国产研发设备17台（套），国产生产设备53台（套），含除尘与回收设备1套，进口设备38台（套）。 市场预测 ：太阳能级多晶硅供不应求， 市场 前景广阔。     半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的.多晶硅所使用的原材料来自硅砂.目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶.多晶硅的品质规格:多晶硅按外形可分为块状多晶与棒状多晶;等级分一,二,三级免洗料.多晶硅的检测:主要检测参数为电阻率,碳浓度,N型少数载流子寿命;外形主要是块状的大小程度;结构方面要求无氧化夹层;表面需要经过酸腐蚀,结构需致密,平整,多晶硅的外观应无色斑,变色,无可见的污染物.对于特殊要求的,还需要进行体内 金属 杂质含量的检测.  

太阳能硅片切割液废砂浆（以下简称废砂浆）是硅片切割的必然产物，废砂浆是多种物质组成的混合物，其组成为：聚乙二醇35%；碳化硅微粉33%；单晶硅微粉9%；水5%和组成切割液的其它物质15%；有机胶粒；二氧化硅； 金属 及 金属 离子；破碎的碳化硅微粉（色素和有机胶粒以及 金属 及 金属 离子和破碎的碳化硅微粉3%）。其中最有价值也是最难回收的是单晶硅微粉。一、废砂浆中单晶硅微粉的产生集成电路用基板、太阳能电池用基板的薄片状产品的切割制备，采用多线切割原理，用钢丝带动由碳化硅磨料构成的砂浆对高纯度的单晶硅或多晶硅棒进行切割。在切割硅棒为硅片的同时也产生了一定量的硅屑，随着切割过程的进行，混入切割液中的硅屑越来越多，最终使砂浆的切割性能降低，导致获得的硅片精度恶化，硅屑的产生不仅影响了切割液的使用，还使硅棒的使用率下降。作为战略资源，在我国高纯度硅的95%需要进口，其主要原因是我国还无法规模化将工业硅加工成高纯度的多晶硅。而废的切割砂浆里面混有8～9%（重量）的高纯硅粉料，在硅棒切割加工过程中高纯硅棒的切割损失率高达40%（重量），这也是硅片成本高居不下的原因之一。二、废砂浆中各组分的价值1、每吨废砂浆中含有8%～9%（重量）的高纯硅，也就是含有80～90公斤的单晶硅，目前单晶硅 市场价格 为50万元/吨，因此，废砂浆中的单晶硅价值为4万～4.5万元。2、每吨废砂浆中含有35%的聚乙二醇，也就是含有350公斤的聚乙二醇，目前 市场 价为1.3万元/吨,因此,废砂浆中聚乙二醇的价值为0.4550万元。3、每吨废砂浆中含有33%的碳化硅微粉，即330公斤的碳化硅，目前碳化硅的 市场 价为1.5万元/吨,因此,废砂浆中的碳化硅价值为0.4950元/吨。可以看出,废砂浆中各物质的价值以单晶硅为最大。三、废砂浆中单晶硅回收的重要性从单晶硅的产生和价值分析可以看出, 回收废砂浆中的单晶硅意义非凡。1、将切割砂浆中的高纯硅粉提取出来，进一步用于制备单晶硅或多晶硅的原料，对于资源的有效利用将是一个重要贡献，还可以解决高纯度硅的资源短缺问题。2、降低了硅片的成本。3、为废砂浆的回收指明了方向。    

金属硅价格是很多金属硅投资人士很多金属硅企业关注的焦点，及时掌握金属硅的价格信息、交易状况、市场供求关系、行情走势等，是在金属硅投资交易中获得成功的关键。    2010年8月17日讯，今日国内现货金属硅价格市场随着国内外需求升温，询盘积极，但实际成交一般。最新SMM黄埔港金属硅价格报价：553#12200-12400元/吨，441#13000-13200元/吨，3303#13600-13800元/吨，2202#14100-14300元/吨。国内金属硅贸易商在海外日韩、欧美等地夏休假期期间备货积极，使得当前金属硅生产厂家以完成订单量为主，现货库存量极为有限。从而出现目前国内金属硅生产厂家惜售情绪较浓，金属硅价格持续坚挺且一路攀升。    昨日，国内金属硅持货商以惜售来推动金属硅价格上涨。但由于涨势过快，国内金属硅采购商尚未完全接受当前金属硅价格，还需一定时日消化。今日国内金属硅价格涨势趋缓，市场整体成交一般。刚止跌反弹的金属硅价格能快速上涨，主要是受金属硅生产原材料价格的持续上涨，以及国家工信部近日公布了2010年9月底前关停落后产能的淘汰企业名单，其中包含了部分金属硅生产企业。而人为的价格助推只是短期行为，大部分金属硅生产厂家由于前期订单已基本消耗库存，一两周的惜售囤积是为了缓解现货库存量。    从6月下旬来时，随着金属硅主生产大区--西南地区已进入传统丰水期，金属硅生产开工恢复明显，当地现货供应量正在稳步增加。金属硅生产厂家报价出现松动，惜售情绪有所缓解，特别是四川地区，出货意愿明显加强。因此，近日低品位553#金属硅跌势持续。目前，高品位金属硅云南产区厂家在7月中旬已基本完成前期订单量，当地现货市场金属硅供应量增加迅速，由此高品位3303#、2202#金属硅也开始出现下跌趋势。    另外，在德国削减光伏补贴的预期下、中国硅片出口近来猛增，导致市场供应出现缺口，硅片价格因此大涨，目前环比前一季度涨幅已达10%左右。有市场分析人员说，现在单晶硅片的最高报价为29元/片，多晶硅片的价格区间则在26元-28 元/片，三个月内涨了10%左右。而硅片上游产品——多晶硅的报价则在55美元-57美元/公斤，环比上季度高出5%-10%。    有关人士认为，此波金属硅价格攀升走势是否得以持久，需待国内外消费商的接受度，以及是否能承受为回笼资金而抛售的部分生产企业的高价冲击。 

  从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的!目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。     张家港市日晶科技有限公司是生产高纯度多晶硅的股份制科技公司。公司年产300吨多晶硅项目是经江苏省发展与改革委员会批准的重点工程，并列入张家港市人民政府光伏 产业 发展规划和张家港市人民政府重点建设工程。该项目批准投资额度为3亿元人民币，采用国际上最先进的第三代优化改良西门子法技术，实现低能耗，低污染和高新技术工艺进行设计。公司目前生产设备有：原料提纯塔 干法提纯塔 间歇塔 换热器 槽罐 淋洗塔 吸收塔 脱吸塔 活性炭吸附塔 还原炉 制氢设备 板式换热器 氢压机 燃气锅炉 低温制冷机组 制氮机 溴化锂机组 空压机 还原炉变压器 还原炉电气 硅芯炉 冷却塔 石墨煅烧炉 循环水泵等。   2009年五月，公司自行研发的硅烷法生产高纯度电子极多晶硅生产线点火试车成功，使用九对棒硅烷热分解炉成功生产出直径为5CM长1米的电子极多晶硅棒，经中科院等权威机构检测纯度已达电子极9个9。目前，公司硅烷法生产电子极多晶硅 产量 为年产：100吨   该项目建设工程周期为8个月（2008年5月-2009年2月）建设年生产太阳能极多晶硅300吨的生产线一条，实现年产300吨的生产能力，并完成该项目征用土地和项目总体规划的管道和电力配套等各项基础配套设施的建设任务。   日晶科技原隶属于化学工业部第一设计院，从事改良西门子法提纯多晶硅技术攻关及科研工作已有十二年历史。经过近几年的不断摸索及技术创新，并吸收了意大利及德国的改良西门子法技术，优势组合后，创新出一套低成本建设优化改良西门子法工厂的第三代电子极多晶硅生产技术。本公司独创的优化改良西门子法技术一般采用9对和12对棒电子极 氢还原炉,除传统的温度控制外,增加了三氯氢硅进气孔进气速率与沉积时间相应的可调式装置,使硅蕊硅棒在不同的沉积时间及温度条件下炉体内的还原反应自动调节在最佳状态,使硅棒的沉积外表及产品质量得到升华.所生长出的原生硅棒纯度在9N以上，电阻率可达N型300-1500欧姆,碳含量小于：1.5 x 1016at/cm3  

   多晶硅料英文名称 polycrystalline silicon 　　   性能参数:硅99.9999 ％ 　　   用途:用于开发单晶硅片与多晶硅片 　　  市场 特征:多晶硅料是目前 市场 短缺的硅材料，由于我国技术限制等瓶颈。目前主要依赖于进口。   中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了 产业 化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。 　　   进入21世纪以来，强大的需求和丰厚的利润刺激着多晶硅 产业 的迅速膨胀。多晶硅 现货 价7年内上涨了10倍，高峰时利润率超过800%。截至08年12月，已有超过10家上市公司投资多晶硅项目，已公告的投资额近60亿元，总投资额高达300多亿元。 　　   2009年新春伊始，有两件事情令多晶硅-光伏 产业 振奋。首先是《能源法》已经提交到国务院法制办，这将直接影响“十二五”期间国家能源政策的整体规划。随后，无锡尚德、赛维LDK、常州天合、林洋新能源、CSI阿特斯、南京冠亚等在内的太阳能电池生产巨头们已将“1元/度”光伏发电成本的方案上交给科技部。这标志着光伏发电入网已经不再那么遥远，这两大利好无疑给予多晶硅-光伏企业一剂兴奋剂。 　　   2009年1月，国家发改委已正式批复，同意在洛阳中硅建设多晶硅材料制备技术国家工程实验室，并安排1500万元国家投资补助资金，这表明海外对中国高纯多晶硅 产业 的技术壁垒正在被一一打破，对缓解中国多晶硅需求主要依赖进口现状、促进光伏产品成本降低都具有标志性意义。   “目前在 现货市场 ，多晶硅料已出现持续短缺。”该知情人士透露，国内最大的多晶硅生产商江苏中能从9月份开始，生产的硅料就以满足本厂硅片生产为主；第二大多晶硅生产商、最大的硅片生产商赛维LDK也是如此，供 现货市场 的硅料基本没有；峨嵋厂的产能则主要用于已收预付款的部分，其他几家大厂也多被长单锁定；不仅如此，宁夏阳光的硅料报价甚至只限当天有效。 

    洛阳晶晨半导体材料有限公司是专业从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业，公司成立以来，一直致力于半导体硅单晶和多晶的研究和生产。目前已经形成了单晶硅片、靶材类硅单晶和多晶、太阳能级单晶三大优势产品系列。产品远销国外。公司拥有先进的生产设备和一支精干的技术队伍，为生产高质量的产品提供了有力保障。硅靶材类产品可根据客户需要，加工任何形状和尺寸的单晶硅靶材和多晶硅靶材。  CF-81XXITO靶材系列：应用于薄膜太阳能电池ITOFilm和ITOGlass；  CF-83XX ZAO/ZTO/ZnO靶材：应用于薄膜太阳能电池（CIGS、CdTe、a-Si:H），建筑节能玻璃（LOW-Eglass）等；太阳能材料：一、非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜太阳能电池1、铜铟镓硒（CIGS）系薄膜太阳能电池2、硒铟铜（CIS）系薄膜太阳能电池3、碲化镉/硫化镉（CdTe/CdS）系薄膜太阳能电池4、非晶硅薄膜（a-Sithinfilm）、非晶硅/非晶硅双叠层太阳电池、非晶硅/非晶硅锗三叠层太阳电池、非晶 硅/微晶硅叠层、非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三叠层太阳电池、半透明硅基薄膜电池(BIPV)太阳能电池5、多晶硅薄膜（poly-仁不带兵 义不行贾Sithinfilm）太阳能电池、微晶薄膜太阳能电池、纳米晶化学太阳能电池、二、聚光太阳能电池(CPV)：砷化镓（GaAs）太阳能电池、高效聚光硅类太阳能电池三、有机和染料敏化太阳能电池：染料敏化二氧化钛（DSSC色素增感）型太阳能电池、光电化学太阳能电池、有机和塑料太阳能电池四、集热太阳能电池系统(STC)10g尼龙丝试验：五、光热镜场太阳能电池(CSP)六、聚合物多层修饰电极型太阳能电池：Si,化合物，聚合物七、荧光光波导等效聚焦太阳能电池八、多带隙太阳电池九、热载流子太阳电池除此以外，上海常祥实业可以提供太阳能电池材料的整体解决方案，如：3MBBF,3MEPE,3MEVA,3M导电胶带,3M密封胶,3M氟橡胶,3M美观胶带,3MVHB胶带,3M测试胶带等系列材料。  太阳能概念，曾几何时是那样的炙手可热。新能源、高科技、巨额利润的旗号吸引着无数企业投身其中，而十余家企业先后在海外上市，更是为太阳能争足了面子。然而物极必反，过度灼热的太阳能 产业 终于在金融危机的肆虐之下，迎来了与世纪初的互联网泡沫相同的洗牌命运。　但中国乃至世界范围的光伏从业者似乎并不愿看到，属于他们的辉煌时代就这样一夜之间化为乌有。于是薄膜太阳能 被狂热吹捧，而光伏泡沫也找到了新的“代言人”。　在目前光伏 产业 链上游硅料供应持续吃紧的局面下，众多光伏电池生产厂家已经加大了在薄膜太阳能 电池研发方面的投入，这使得未来薄膜太阳能 电池的转换效率会进一步提升，加之来薄膜电池大面积生产的成本优势，其 市场 占有率有望进一步提升。欧洲能源协会 预测 ，到2010年薄膜太阳能 电池将占据光伏 市场 20%份额。这便是众多分析人士为薄膜太阳能 描写的光明前景。　在此推动之下，全球薄膜太阳能 电池的 产量 增幅惊人。据中投顾问能源 行业 研究部数据分析显示，2008年全球薄膜太阳能 电池 产量 达892MW，同比增长123%，而在2007年全球薄膜太阳能 电池 产量 达到400MW，也较2006年的181MW增长120%。　产能大幅增长，并不代表薄膜太阳能 电池的前景一片光明。中投顾问能源 行业 分析师姜谦表示，当初很多厂家之所以选择入主薄膜太阳能 领域，最主要的原因是多晶硅原料缺乏， 价格 居高不下，而随着近期多晶硅 价格 的一泻千里，这些企业的如意算盘落空，日子可想而知。 行业 龙头赛维LDK将2009年1GW的薄膜太阳能 产能缩减80%，已经是最好的证明。         

  SLG系列多晶硅铸造炉，主要用于太阳能级多晶硅铸造切片制备太阳能电池片成套设备集合熔炼和定向凝固一体化设计，石墨发热体加热。合理的设计温场，配合控制温度梯度。高精密丝杆驱动机构性能稳定有效地控制结晶速度加热方式分为中频感应加热和石墨鼠笼式加热。极限真空度：6.67＊10-2pa　　额定工作温度：1650度　　最大冲气压力：00.016Mpa   太阳级硅锭/硅片制造同样得到快速的提升。据有关统计，截止2007年底，全国单晶硅炉子数约2400台，总产能达到14400吨/年，拥有多晶硅铸造炉230台，合计产能达到21400吨/年。硅 产量 也在不断提高，2007年中国太阳级晶硅 产量 达到11810吨，近三年平均增长率达到 %。从硅锭制造技术看，中国单晶硅技术相对比较成熟，单晶炉已经实现了国产化， 价格 比较低廉。不过从2007年开始多晶硅锭的增长率超过单晶硅锭，逐渐向国际主流趋势靠近。

多晶硅电池片,是太阳能电池片的一种，相对环保的一种电池片。电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。多晶硅电池片的优良性能简介：高效率，低衰减，可靠性强；先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观；应用高品质的 金属 浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。目前，中国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设，已经初步具备成套供应能力，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉、多晶铸锭炉等开始少量出口，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种（扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉）已在国内生产线上占据主导地位，2种（管式PECVD、快速烧结炉）与进口设备并存但份额正逐步增大。此外，全自动丝网印刷机、自动分拣机、平板式PECVD则完全依赖进口。组件生产用的层压机、太阳能模拟器等在 行业 获得广泛应用。硅材料加工设备中单晶炉以优良的性价比占据了国内 市场 的绝对统治地位并批量出口亚洲，多线切割机已取得突破，多晶硅铸锭炉已经开始大量在国内企业中使用。想要了解更多多晶硅电池片的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

硅粉生产工艺是投资者想知道的信息，因为了解它可以帮助操作。硅粉生产工艺是由纯净石英粉经先进的超细研磨工艺加工而成　　是用途极为广泛的无机非金属材料。具有介电性能优异、热膨胀系数低、导热系数高、悬浮性能好等优点。因其具有优良的物理性能、极高的化学稳定性、独特的光学性质及合理、可控的粒度分布，从而被广泛应用于光学玻璃、电子封装、电气绝缘、高档陶瓷、油漆涂料、精密铸造、硅橡胶、医药、化装品、电子元器件以及超大规模集成电路、移动通讯、手提电脑、航空航天等生产领域。　　硅微粉还是生产多晶硅的重要原料。硅微粉用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成三氯氢硅（SiHCl3），SiHCl3进一步提纯后在氢气中还原沉积成多晶硅。而多晶硅则是光伏产业太阳能电池的主要原材料。近年来，全球能源的持续紧张，使大力发展太阳能成为了世界各国能源战略的重点，随着光伏产业的风起云涌，太阳能电池原材料多晶硅价格暴涨，又促使硅微粉的市场需求迅猛增长，硅微粉呈现出供不应求的局面，更使硅资源拥有者尽享惊人的暴利。　　据调查，目前国内生产硅微粉的能力约25万吨，主要是普通硅微粉，而高纯超细硅微粉大量依靠进口。初步预测2005年我国对超细硅微粉的需求量将达6万吨以上。其中，橡胶行业是最大的用户，涂料行业是重要有巨大潜力的应用领域，电子塑封料、硅基板材料和电子电器浇注料对高纯超细硅微粉原料全部依靠进口，仅普通球形硅微粉的价格2-3万元/吨，而高纯超细硅微粉的价格则高达几十万元/吨以上。　　硅微粉是由纯净石英粉经先进的超细研磨工艺加工而成，是用途极为广泛的无机非金属材料。具有介电性能优异、热膨胀系数低、导热系数高、悬浮性能好等优点。因其具有优良的物理性能、极高的化学稳定性、独特的光学性质及合理、可控的粒度分布，从而被广泛应用于光学玻璃、电子封装、电气绝缘、高档陶瓷、油漆涂料、精密铸造、硅橡胶、医药、化装品、电子元器件以及超大规模集成电路、移动通讯、手提电脑、航空航天等生产领域。 硅微粉还是生产多晶硅的重要原料。硅微粉用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成三氯氢硅（SiHCl3），SiHCl3进一步提纯后在氢气中还原沉积成多晶硅。而多晶硅则是光伏产业太阳能电池的主要原材料。近年来，全球能源的持续紧张，使大力发展太阳能成为了世界各国能源战略的重点，随着光伏产业的风起云涌，太阳能电池原材料多晶硅价格暴涨，又促使硅微粉的市场需求迅猛增长，硅微粉呈现出供不应求的局面，更使硅资源拥有者尽享惊人的暴利。 据调查，目前国内生产硅微粉的能力约50万吨，主要是普通硅微粉，而高纯超细硅微粉大量依靠进口。初步预测2008年我国对超细硅微粉的需求量将达10万吨以上。其中，橡胶行业是最大的用户，涂料行业是重要有巨大潜力的应用领域，电子塑封料、硅基板材料和电子电器浇注料对高纯超细硅微粉原料全部依靠进口，仅普通球形硅微粉的价格2-3万元/吨，而高纯超细硅微粉的价格则高达几十万元/吨以上。　　超细硅微粉具有粒度小、比表面积大、化学纯度高、分散性能好等特点。以其优越的稳定性、补强性、增稠性和触变性而在橡胶、涂料、医药、造纸、日化等诸多领域得到广泛应用，并为其相关工业领域的发展提供了新材料的基础和技术保证，享有"工业味精""材料科学的原点"之美誉。自问世以来，已成为当今时间材料科学中最能适应时代要求和发展最快的品种之一，发达国家已经把高性能、高附加植的精细无机材料作为本世纪新材料的重点加以发展。　　近年来，计算机市场、网络信息技术市场发展迅猛，CPU集程度愈来愈大，运算速度越来越快，家庭电脑和上网用户越来越多，对计算机技术和网络技术的要求也越来越高，作为技术依托的微电子工业也获得了飞速的发展，PⅢ 、PⅣ 处理器，宽带大容量传输网络，都离不开大规模、超大规模集成电路的硬件支持。　　随着微电子工业的迅猛发展，大规模、超大规模集成电路对封装材料的要求也越来越高，不仅要求对其超细，而且要求其有高纯度、低放射性元素含量，特别是对于颗粒形状提出了球形化要求。高纯超细熔融球形石英粉（简称球形硅微粉）由于其有高介电、高耐热、高耐湿、高填充量、低膨胀、低应力、低杂质、低摩擦系数等优越性能，在大规模、超大规模集成电路的基板和封装料中，成了不可缺少的优质材料。　　为什么要球形化？首先，球的表面流动性好，与树脂搅拌成膜均匀，树脂添加量小，并且流动性最好，粉的填充量可达到最高，重量比可达90.5%，因此，球形化意味着硅微粉填充率的增加，硅微粉的填充率越高，其热膨胀系数就越小，导热系数也越低，就越接近单晶硅的热膨胀系数，由此生产的电子元器件的使用性能也越好。其次，球形化制成的塑封料应力集中最小，强度最高，当角形粉的塑封料应力集中为1时，球形粉的应力仅为0.6，因此，球形粉塑封料封装集成电路芯片时，成品率高，并且运输、安装、使用过程中不易产生机械损伤。其三，球形粉摩擦系数小，对模具的磨损小，使模具的使用寿命长，与角形粉的相比，可以提高模具的使用寿命达一倍，塑封料的封装模具价格很高，有的还需要进口，这一点对封装厂降低成本，提高经济效益也很重要。　　球形硅微粉，主要用于大规模和超大规模集成电路的封装上，根据集程度（每块集成电路标准元件的数量）确定是否球形硅微粉，当集程度为1M到4M时，已经部分使用球形粉，8M到16M集程度时，已经全部使用球形粉。250M集程度时，集成电路的线宽为0.25μm，当1G集程度时，集成电路的线宽已经小到0.18μm，目前计算机PⅣ 处理器的CPU芯片，就达到了这样的水平。这时所用的球形粉为更高档的，主要使用多晶硅的下脚料制成正硅酸乙脂与四氯化硅水解得到SiO2，也制成球形其颗粒度为 -（10～20）μm可调。这种用化学法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要贵10倍，其原因是这种粉基本没有放射性α射线污染，可做到0.02PPb以下的铀含量。当集程度大时，由于超大规模集成电路间的导线间距非常小，封装料放射性大时集成电路工作时会产生源误差，会使超大规模集成电路工作时可靠性受到影响，因而必须对放射性提出严格要求。而天然石英原料达到(0.2～0.4) PPb就为好的原料。现在国内使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉，并且也是进口粉。　　一般集成电路都是用光刻的方法将电路集中刻制在单晶硅片上，然后接好连接引线和管角，再用环氧塑封料封装而成。塑封料的热膨胀率与单晶硅的越接近，集成电路的工作热稳定性就越好。单晶硅的熔点为1415℃，膨胀系数为3.5PPM，熔融石英粉的为(0.3～0.5)PPM，环氧树脂的为(30～50)PPM，当熔融球形石英粉以高比例加入环氧树脂中制成塑封料时，其热膨胀系数可调到8PPM左右，加得越多就越接近单晶硅片的，也就越好。而结晶粉俗称生粉的热膨胀系数为60PPM，结晶石英的熔点为1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中高档集成电路中不用球形粉时，也要用熔融的角形硅微粉。这也是高档球形粉想用结晶粉整形为近球形不能成功的原因所在。80年代日本也走过这条路，效果不行，走不通；10年前，包括现在我国还有人走这条路，从以上理论证明此种方法是不行的。即高档塑封料粉不能用结晶粉取代。　　是用熔融石英（即高纯石英玻璃），还是用结晶石英，哪一种为原料生产高纯球形石英粉为好？根据试验，专家认为：这个题已经十分清楚，用天然石英SiO2，高温熔融喷射制球，可以制得完全熔融的球形石英粉。用天然结晶石英制成粉，然后分散后用等离子火焰制成的球就是熔融的球，用火焰烧粉制得的球，表面光华，体积也有收缩，更好用，日本提供的这种粉，用X射线光谱分析谱线完全是平的，也是全熔融球形石英粉，而国内电熔融的石英，如连云港的熔融石英光谱分析不定型含量为95%，谱线仍能看出有尖峰，仍有5%未熔融。由此可见，生产球形石英粉，只要纯度能达到要求，以天然结晶石英为原料最好，其生产成本最低，工艺路线更简捷　　一) 硅微粉在橡胶制品中的应用　　活性硅微粉(经偶联剂处理)填充于天然橡胶、顺丁橡胶等胶料中，粉体易于分散，混炼工艺性能好，压延和压出性良，并能提高硫化胶的硫化速度，对橡胶还有增进粘性的功效，尤其是超细级硅微粉，取代部分白炭黑填于胶料中，对于提高制品的物性指标和降低生产成本均有很好作用。-2um达60-70%的硅微粉用于出口级药用氯化丁基橡胶瓶塞和用于电工绝缘胶鞋中效果甚佳。　　硅微粉在仿皮革制作中作为填充料，其制品的强度、伸长率、柔性等各项技术指标均优于轻质碳酸钙、活性碳酸钙、活性叶蜡石等无机材料作填充剂制作的产品。　　硅微粉代替精制陶土、轻质碳酸征等粉体材料应用于蓄电池胶壳，填充我量可达65%左右，且工艺性能良好。所获胶壳制品，具有外表平整光滑，硬度大，耐酸蚀，耐电压，热变形和抗冲击等物理机械性能均达到或超过JB3076-82技术指标。　　(二) 硅微粉在塑料制品中的应用　　活性硅微粉是聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯等制品理想的增强剂，不仅有较大的填充量，而且抗张强度好。制成母粒，用于聚氯乙烯地板砖中，可提高产品耐磨性。　　硅微粉应用于烯烃树脂薄膜其粉体分散均匀，成膜性好，力学性能强，较用PCC做填充料生产的塑膜，阻隔红外线透过率降低10%以上，对农用

以集成电路为代表的微电子技能与微电子工业是信息工业的中心与根底。现在国际微电子工业现已超越重金属、轿车和农业而成为全球最大的工业。硅材料在微电子工业中的运用 电子封装的三大主材料是基板材料、塑封料和引线结构及焊料。塑封猜中，环氧塑封料(EMC)是国内外集成电路封装的干流，现在95%以上的微电子器材都是环氧塑封器材。EMC中，硅微粉含量占60%～90%。 01 微电子用硅微粉 硅微粉可分为结晶型和无定型两大类。一般集成电路都是用光刻的办法将电路会集刻制在单晶硅片上，然后接好衔接引线和管脚，再用环氧塑封料封装而成。微电子封装范畴主要用无定型或许说是融凝态硅微粉，尺度在微米量级，依据其形状，融凝态硅微粉又可进一步分为角形硅微粉和球形硅微粉两种。 跟着大规划、超大规划集成电路的开展，集成度越高，要求环氧塑封猜中的硅微粉纯度越高，颗粒越细，球形化越好，特别对其颗粒形状提出了球形化要求。大规划集成电路中应部分运用球形硅微粉，超大规划和特大规划集成电路中，集成度到达8M以上时，有必要悉数运用球形硅微粉。这是由于： (1)球的表面流动性好，与树脂拌和成膜均匀，树脂添加量小，粉的填充量可到达最高，质量比可达90.5%，因而，球形化意味着硅微粉填充率的添加，硅微粉的填充率越高，其热膨胀系数就越小，导热系数也越低，就越挨近单晶硅的热膨胀系数，由此出产的电子元器材的运用功能也越好。 (2)球形化构成的塑封料应力会集最小，强度最高，当角形粉的塑封料应力会集为1时，球形粉的应力仅为0.6，因而，球形粉塑封料封装集成电路芯片时，成品率高，而且运送、装置、运用进程中不易发生机械损害。 (3)球形粉摩擦系数小,对模具的磨损小，与角形粉比较，模具的运用寿命可进步一倍，塑封料的封装模具报价很高，有的还需要进口，这一点对封装厂降低成本，进步经济效益也很重要。 02 硅微粉球形化的制备 现在国际上对粉体球形化研讨最为成功的国家是日本，他们已大批量地投入出产并运用到航天、超大屏幕电子显像和大规划集成电路中，而我国对此项技能的研讨才刚起步。 国外球形硅微粉的制备一般选用二氧化硅高温熔融喷射法、在液相中操控正硅酸乙脂、的水解法等，但由于工艺杂乱，这些办法国内还只停留在实验室阶段，有较大的技能难度，这是国内至今还不能出产出高质量球形硅微粉的重要原因之一。 球形化的原理可分为干法和湿法两种：(1)化学性的湿法。让含硅化合物在溶液中反响，经过各种手法操控均匀的成长速率，使反响产品尽量均匀地向各个方向成长，终究取得球形产品。 (2)物理性的干法。依据固体热力学的原理，高温颗粒的尖角部位简单最早呈现液相以及在气液固三相界面上液相表面张力较大、主动滑润成球体的现象来完结球化进程。 详细的工艺办法为以下几种： ①正硅酸乙脂、的水解法; ①正硅酸乙脂、的水解法; ②有机硅或硅酸盐制成二氧化硅溶胶-凝胶后灼烧法; ③二氧化硅高温熔融喷射法; ④、等气体焚烧火焰作热源熔融法; ⑤等离子体高温场作热源熔融法。  前二种为化学湿法，用化学法出产的球形硅微粉，其球形度、球化率、无定形率都可到达100%，而且能够到达很低的放射性目标，但因其容积密度较低，当彻底用此种球形粉制成环氧树脂塑封料，其塑封料块的密实功能、强度和线性膨胀率等受其影响，故实际运用中其最大只能加40%。

多晶硅工程，是一种新能源的工程，相对于目前的能源来说，相对环保。近日国家出台了很多关于新能源的推广应用的法律法规，新能源建设是将来的热门，其中太阳能的利用更是得到大力推广，而多晶硅、单晶硅及相关工程的建设更是越来越多！在当经世界经济形式下加之中国的这些法律法规的出台，众多的企业会投资这个 行业 ，而国内的多晶硅、单晶硅厂家相对较少！施工领域更是不够，陕西建工在我国湖北的多晶硅建设，施工总包更是全国首家！这家中国老是工企业堪称卓越领头羊！我公司单晶硅建设正在时常评估阶段，我走访过国内几家厂商。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。近年来，在中央政府大力推广新能源政策的支持下，各地方省份也是积极跟进，培养优势 产业 。江西省抓住机遇，凭借粉石英（硅材料主要原料）储量全国第一的资源优势，出台多方面措施保障光伏 产业 发展。短短3、4年间，使得一大批光伏 产业 上下游项目迅速在江西集聚，成为我国重要的光伏 产业 基地。以新余为主产地、以赛维LDK和盛丰能源为核心企业的 产业 带具有较强的生产能力，初步建立了从硅料、硅片到太阳能电池组件及配套产品的完整 产业 链，拥有了对外合作的有效途径和一批关键人才，在国内已具有较明显的规模优势和 市场 竞争力。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。想要了解更多多晶硅工程的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

      中国东方电气集团旗下的东汽投资发展有限公司峨嵋半导体材料厂、研究所（以下简称：东汽峨半厂所）座落在举世闻名的旅胜地峨眉山脚下，占地面积 430余亩。东汽峨半厂所是1964年10月以原冶金部 有色金属 研究院338室和沈阳冶炼厂高纯 金属 车间为主组建的我国第一家集半导体材料科研、试制、生产相结合的大型厂（所）一体的企业，是 有色 工业重点骨干企业，其中，“研究所”是国家242所重点科研所之一，每年承担多项国家及军工重点科研专题项目，是我国硅材料主要生产企业之一。现有职工近1600人，各类技术人员681人，其中具有高级技术职称的有22人，中级技术职称有214人。     东汽峨半厂所是省级“企业技术中心”。截至目前，共取得科研成果300多项，其中获省部级以上成果奖80多项，累计开发试制新产品6000多种。先后为我国电子信息、能源交通、机械电力等许多工业部门和研究领域提供了相关的半导体材料。同时向我国洲际导弹、海上发射运载火箭、人造卫星、北正负电子对撞机及神舟5号、6号飞船等提供了关键材料，为我国国防事业做出了重要贡献，多次受到中央、、中央军委及中央相关部委的通报表彰。     经过四十多年的建设和发展，东汽峨半厂所现资产总额达19.42亿元，已形成硅材料（多晶硅、单晶硅、硅片）、高（超）纯 金属 材料、化合物半导体材料及高纯气体、高纯试剂等4大产品系列，产品品种及规格达650多个。目前主要产品年生产能力已达到：多晶硅700吨，单晶硅100吨、硅片30吨、高纯 金属 65吨，是全国最大的多晶硅和高纯 金属 生产供应商。     东汽峨半厂所的发展目标是：坚持“多电并举” 发展战略，在“十一五”末，主要产品年生产能力达到多晶硅5200吨、单晶硅1000吨、硅片5000万片、高纯 金属 100吨，年销售收入达到50亿元，并利用多晶硅优势，广泛寻求战略合作伙伴，共同打造光伏 产业 链，形成100亿元规模的 产业 集群。

日前，国内第一台太阳能全自动硅片多线切片机（多晶硅切片机）已经研制成功，该设备填补了国内空白，并在多线切割技术领域形成多项自主知识产权的先进技术，为我国光伏 产业 加工设备实现替代进口，走出了一条自主创新发展之路，同时也为推进无锡乃至全国光伏 产业 的发展，提供了国内顶尖的专用设备。　　全自动硅片多线切片机（多晶硅切片机）采用精密主轴制造技术、精密滚动导轨技术、线丝恒张紧力自动控制技术、排线导轮的翻新及耐用度技术，并通过对砂浆供给系统的研究和应用，具备了先进的双向正反切割两根300毫米多晶硅、单晶硅的性能。与过去采用内圆切割技术相比，具有翘曲度小、平行度好、总厚度公差（TTV）离散性小、刃口切割损耗小、表面损伤层浅、硅片表面粗糙度低等优点，且一台全自动硅片多线切割机的生产能力相当于几十台内圆切片机的生产能力，从而使硅片切割表面精度、质量、切割效率、机床稳定性等性能指标处于国内领先地位，接近国际先进水平。为太阳能电池和半导体生产企业高精度、高质量、高效率的工业化生产提供了技术和装备的支持。