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金属硅价格

2017-06-06 17:49:50

金属硅价格是很多金属硅投资人士很多金属硅企业关注的焦点，及时掌握金属硅的价格信息、交易状况、市场供求关系、行情走势等，是在金属硅投资交易中获得成功的关键。    2010年8月17日讯，今日国内现货金属硅价格市场随着国内外需求升温，询盘积极，但实际成交一般。最新SMM黄埔港金属硅价格报价：553#12200-12400元/吨，441#13000-13200元/吨，3303#13600-13800元/吨，2202#14100-14300元/吨。国内金属硅贸易商在海外日韩、欧美等地夏休假期期间备货积极，使得当前金属硅生产厂家以完成订单量为主，现货库存量极为有限。从而出现目前国内金属硅生产厂家惜售情绪较浓，金属硅价格持续坚挺且一路攀升。    昨日，国内金属硅持货商以惜售来推动金属硅价格上涨。但由于涨势过快，国内金属硅采购商尚未完全接受当前金属硅价格，还需一定时日消化。今日国内金属硅价格涨势趋缓，市场整体成交一般。刚止跌反弹的金属硅价格能快速上涨，主要是受金属硅生产原材料价格的持续上涨，以及国家工信部近日公布了2010年9月底前关停落后产能的淘汰企业名单，其中包含了部分金属硅生产企业。而人为的价格助推只是短期行为，大部分金属硅生产厂家由于前期订单已基本消耗库存，一两周的惜售囤积是为了缓解现货库存量。    从6月下旬来时，随着金属硅主生产大区--西南地区已进入传统丰水期，金属硅生产开工恢复明显，当地现货供应量正在稳步增加。金属硅生产厂家报价出现松动，惜售情绪有所缓解，特别是四川地区，出货意愿明显加强。因此，近日低品位553#金属硅跌势持续。目前，高品位金属硅云南产区厂家在7月中旬已基本完成前期订单量，当地现货市场金属硅供应量增加迅速，由此高品位3303#、2202#金属硅也开始出现下跌趋势。    另外，在德国削减光伏补贴的预期下、中国硅片出口近来猛增，导致市场供应出现缺口，硅片价格因此大涨，目前环比前一季度涨幅已达10%左右。有市场分析人员说，现在单晶硅片的最高报价为29元/片，多晶硅片的价格区间则在26元-28 元/片，三个月内涨了10%左右。而硅片上游产品——多晶硅的报价则在55美元-57美元/公斤，环比上季度高出5%-10%。    有关人士认为，此波金属硅价格攀升走势是否得以持久，需待国内外消费商的接受度，以及是否能承受为回笼资金而抛售的部分生产企业的高价冲击。 

多晶硅价格

2017-06-06 17:50:04

国际多晶硅价格重新攀上70美元/公斤，8月23日的市场成交价已经高达75美元/公斤。这是继国际多晶硅价格 2008年从510美元/公斤的高点回落到2009年40美元/公斤的低点之后，正式呈现强劲上攻态势。　　作为直接以多晶硅为原材料的企业，下游光伏企业已经开始感受到多晶硅供应的紧张气氛。尽管不少硅片企业表示年内的多晶硅长单已经签订并确定价格，但由于长单在总订单中占比较小，多晶硅涨价还是将对企业带来不可回避的供给和价格压力。　　据业内专家介绍，由于今年整个光伏行业的复苏，其产业链上的所有产品如太阳能电池硅片、电池片、组件等都呈现出供不应求的态势。这直接反映到国际多晶硅价格的波动上。目前，硅料价格已从40美元/公斤上涨到接近80美元/公斤，并且仍然存在很大的上升空间。　　有分析人士预测，由于硅料价格的周期性涨价规律，随着半导体及光伏产业的增长，多晶硅价格将有望在年内突破100美元/公斤。

工业硅价格

2017-06-06 17:50:02

中国出口的工业硅价格一直偏低。特别是20世纪90年代以来，由于欧盟和美国以及后来的澳大利亚等对中国出口的工业硅长期征收高额反倾销税，再加上中国国内低水平重复建设和竟相降价的无序竞争，使中国出口的工业硅价格一直严重偏低。 随着WTO的进一步深化，2007年以来中国出口的工业硅价格有所提高，2007年1-12月，中国出口工业硅的平均离岸价为381美元/吨，这比2006年全年的平均离岸价提高了27%。　　从2008年1月1日起，中国工业硅暂定关税为10%。此次关税上调的目的是控制工业硅的出口。但尽管关税上调，中国产工业硅价格在国际市场上仍然是最低的，价格优势明显。 

碳化硅价格

2017-06-06 17:50:03

2010年国内碳化硅价格仍将趋于平稳。我国碳化硅的主要分布在甘肃、宁夏、青海、新疆、河南、四川、贵州、湖北等地区。全国黑碳化硅产能约100万吨左右。其中甘肃地区约占50%，宁夏约占25%，其他地区黑碳化硅产能约占25%。绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。2008年到2009年，国内碳化硅市场价格呈暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的走势。  2008年上半年，因担心奥运会期间影响原料供应，制品企业大量备货，原燃料价格大幅上涨，碳化硅也进入暴涨期。其中，4-5月一级碳化硅涨势最为迅猛，涨幅超过30%，创单月涨幅最高。7月份，电价统一上调，加之原料无烟煤价格的上涨，为碳化硅价格上涨再度提供动力。到奥运前，一级碳化硅价格已经涨至8000元/吨，为2008年历史最高，较年初碳化硅价格增长74%。  奥运结束后，前期备货较多的企业开始消化库存，市场交易量开始下滑。2008年9月金融危机全面爆发，低迷的市场需求导致碳化硅价格迅速下滑。从2008年9月到2009年1月，碳化硅一路下跌，一级碳化硅降幅23.38%。在此期间，因需求不旺，碳化硅市场交易量大幅下降，国内碳化硅生产企业停产、减产来应对金融危机。11月底，政府为刺激经济，下调电价，但电价的下调，再次推动碳化硅价格的走低，并未带动当地电石、铁合金、硅铁、碳化硅等耗能企业动工复产。  进入2009年，因市场需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力，价格继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅价格下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内市场的同时，多数出口到国外市场，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年价格波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅价格迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦价格开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅价格开始反弹，但下游市场需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统产业、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高产业集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等行业实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能行业进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、行业准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加，价格走高。  2010年，我国将继续实施积极的财政政策和适度宽松的货币政策。中国国务院发展研究中心称，2010年中国经济有望出现相对温和的增长和较低价格上涨的良好局面，国内生产总值(GDP)增长率预计在9.5%。国内经济的稳步增长将在一定程度上带动国内碳化硅市场需求。  工信部部长李毅中指出，2009年我国出口下降16%，2010年预计出口增长8%。在全球经济回暖预期加强的情况下，2010年碳化硅出口情况将好于2009年。虽然出口形势比较乐观，外贸企业仍应时刻关注国际经济形势和汇率变化情况。目前国内碳化硅价格趋于平稳。

08年多晶硅价格

2017-06-06 17:50:13

  2008年9月，多晶硅价格最高时接近每公斤500美元，为了避免原材料价格进一步上涨造成更大的损失，光伏企业纷纷大规模囤积多晶硅。但短短几个月，供需状况全面逆转，多晶硅从供不应求变成大量积压，到2008年末，多晶硅价格已经跌至每公斤150美元左右。    作为产业链的上游，多晶硅行业显然也面临着市场与技术的两大成本方面的挑战。特别是经过2008年金融危机的洗礼，曾享受高毛利的多晶硅行业已逐步转向价值回归。    自2004年起，多晶硅行业毛利率一直处于快速增长，从最初的30%一度上升到2007年的70%左右。而相反，其下游环节硅片、电池、组件系统却呈现稳定下降趋势。其中，硅片环节的毛利由35%下降到20%，而电池环节则由20%下降到15%，组件系统由10%降至7%左右。2008年多晶硅市场的暴跌则成为各环节毛利分配的转折点。上游多晶硅部分利润逐步向中下游转移，截止2009年其已基本回归至五年前约35%的水平。     2008年在金融危机影响下，多晶硅价格暴跌，从最高时的四五百美元/公斤，跌至最低至每公斤五六十美元。2010年随着海外市场复苏，多晶硅进入新一轮投产热，乐电天威、鄂尔多斯子公司等多晶硅生产企业纷纷发布投产消息。多晶硅价格重拾回升态势。由于2010年整个光伏行业的复苏，其产业链上的所有产品如太阳能电池硅片、电池片、组件等都呈现出供不应求的态势。

多晶硅价格网

2017-06-06 17:50:10

       多晶硅价格重拾升势,日前，我国部分省市取消针对多晶硅项目的优惠电价，导致多晶硅生产成本提升，加上全球光伏产品需求超预期，国内多晶硅尤其是高纯多晶硅的供应又呈现供不应求的苗头。对此，不少晶硅电池生产商担忧多晶硅价格的提升会带来成本压力的增加。来源:多晶硅价格网　　优惠电价取消　　日前，浙江省物价局联合有关部门下发通知，自6月1日起取消对高耗能企业的用电价格优惠，凡是自行对高耗能企业（包括多晶硅）实行电价优惠的，要立即停止执行。同样取消多晶硅产业优惠电价的省份还有宁夏、广西、内蒙古等。　　多晶硅的国际价格自2008年下半年迅速回落至今，一直在50-60美元/公斤的价格徘徊，目前国内多晶硅优惠电价的取消将直接导致多晶硅成本价格的提升，多晶硅作为光伏产业链最基本的原料，其价格上涨将导致全产业链遭遇较大成本压力。　　事实上，除了多晶硅优惠电价取消之外，全球光伏产品的终端需求大幅提升，也使得去年曾因“产能过剩”而备受诟病的多晶硅产量目前又呈现出供不应求的迹象。数据显示，国内2010年一季度多晶硅的进口量年增长率约达65%，反映出供给增加远不及需求增速。　　国内一家光伏生产商表示，现在光伏终端市场至少比2008年扩大了接近两倍，而多晶硅产能至多比2008年扩大了50%，因此多晶硅供需形势又开始偏紧。　　据了解，由于今年光伏产业全行业满载生产，受光伏产业和半导体产业双重需求拉动，多晶硅供应紧张，目前多晶硅价格已经从50-52美元/公斤上涨到60-65美元/公斤。诸多行业一线厂商预计，多晶硅价格将会逐步上涨到70-80美元/公斤。　　涨价短期将持续　　江西赛维有关人士表示，公司到目前为止多晶硅能够实现的产能超过6000吨，年底可能超过10000吨，但也只能满足公司年需求量的不到一半，目前多晶硅价格的上涨幅度尚在公司承受范围内。　　中国可再生能源学会副理事长、光伏分会主任赵玉文表示，在目前全球市场需求旺盛、原材料供应不足的情况下，多晶硅价格出现上涨是市场行为。在去年我国多晶硅“产能过剩”的质疑之下，预计国内多晶硅产能释放不会太快。对于国内硅片生产商而言，短期内可能依旧需要进口。　　业内人士介绍说，对于多晶硅而言，从投产到达产最快也要有2年左右的时间，而组件厂商从投产到达产只需要不到一年时间，相比去年，今年尚德、赛维的组件产能增长显著，主要源于光伏终端需求的增加。　　也有乐观人士表示，目前多晶硅的涨幅对国内多数光伏生产商而言，还是在可承受范围内的，毕竟2008年一季度多晶硅最高曾涨到500美元/公斤，而此次多晶硅价格上涨更多是一种补涨，毕竟今年一季度多晶硅片和组件价格都出现了一定幅度的上扬。　　此次多晶硅价格上扬可能会带动国内已经投产多晶硅生产线的厂商扩张产能。然而，对于规模实力较小的投资商来说，在目前的情况下，再进入多晶硅行业也受到重重限制，除了技术门槛之外，在至少两三年的建设周期内，需要支付巨额资金，而金融机构对多晶硅项目的贷款也有限制，国内对多晶硅项目目前尚谈不上有明显的鼓励政策。　　因此，分析人士认为，短期内多晶硅价格的上涨还会持续一段时间，尤其是严重依赖进口的高纯度多晶硅，短期内被动上涨的可能性较大。多晶硅价格网上也按市场的变动而变稍作调整. 

绿碳化硅价格

2017-06-06 17:50:03

2010年国内绿碳化硅价格仍将持稳。国内碳化硅市场价格在经历2008年到2009年暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的走势之后，2010年国内绿碳化硅价格仍将持稳。我国绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。  绿碳化硅主要用于线切割行业。2008-2009年，绿碳化硅走势也同样经历了先涨后跌的走势。因原料和国家政策的刺激，绿碳化硅价格下滑略微滞后于黑碳化硅。直至2009年底，随着原料和电价的上涨，绿碳化硅价格逐步回升。进入2009年，因市场需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力，价格继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅价格下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内市场的同时，多数出口到国外市场，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年价格波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅价格迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦价格开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅价格开始反弹，但下游市场需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统产业、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高产业集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等行业实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能行业进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、行业准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加，价格走高。    目前国内绿碳化硅价格趋于平稳。

多晶硅单晶硅

2017-06-06 17:50:10

     国际多晶硅产业概况当前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料,其市场占有率在 90%以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料.多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美,日, 德等 3 个国家 7 个公司的 10 家工厂手中,形成技术封锁, 市场垄断的状况. 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池.按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级.其中,用于电子级多晶硅占 55%左右,太阳能级多晶硅占 45%,随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展。     1994 年全世界太阳能电池的总产量只有 69MW, 2004 年就接近 1200MW, 而在短短的 10 年里就增长了 17 倍.专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一. 据悉,美国能源部计划到 2010 年累计安装容量 4600MW,日本计划 2010 年达到 5000MW,欧盟计划达到 6900MW,预计 2010 年世界累计安装量至少 18000MW.从上述的推测分析,至 2010 年太阳能电池用多晶硅至少在 30000 吨以上。     据国外资料分析报道,世界多晶硅的产量2005 年为 28750 吨,其中半导体级为 20250 吨,太阳能级为 8500 吨,半导体级需求量约为 19000 吨,略有过剩;太阳能级的需求量为 15000 吨,供不应求,从 2006 年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大. 据日本稀有金属杂质 2005 年 11 月 24 日报道, 世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张, 主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大,预计 2006 年,2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005 年世界太阳能电池产量约 1GW,如果以 1MW 用多晶硅 12 吨计算,共需多晶硅是 1.2 万吨,2005-2010 年世界太阳能电池平均年增长率在 25%,到 2010 年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过 6.3 万吨. 世界多晶硅主要生产企业有日本的 Tokuyama,三菱,住友公司,美国的 Hemlock,Asimi,SGS, MEMC 公司,德国的 Wacker 公司等,其年产能绝大部分在 1000 吨以上,其中 Tokuyama,Hemlock, Wacker 三个公司生产规模最大,年生产能力均在 3000-5000 吨.     国际多晶硅主要技术特征有以下两点: (1)多种生产工艺路线并存, 产业化技术封锁,垄断局面不会改变.由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标,产品质量指标,用途,产品检测方法,过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法,硅烷法和流化床法.其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的 80%,短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变. (2)新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃.除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的低价格工艺;冶金法从金属硅中提取高纯度硅; 高纯度 SiO2 直接制取; 熔融析出法 (VLD: Vaper to liquid deposition) ; 还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si 溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等.     国内多晶硅产业概况我国集成电路的增长,硅片生产和太阳能电池产业的发展,大大带动多晶硅材料的增长. 太阳能电池用多晶硅按每生产 1MW 多晶硅太阳能电池需要 11-12 吨多晶硅计算,我国 2004 年多晶,单晶太阳能电池产量为 48.45MW,多晶硅用量为 678 吨左右,而实际产能已达 70MW 左右,多晶硅缺口达 250 吨以上. 2005 年底国内太阳能电池产能达到 300MW, 到实际能形成的产量约为 110MW, 需要多晶硅 1400 吨左右,预测到 2010 年太阳能电池产量达 300MW, 需要多晶硅保守估计约 4200 吨, 因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加,见表 3. 2005 年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在 20%-30%,半导体用单晶硅企业开工率在 80%- 90%,都不能满负荷生产,主要原因是多晶硅供给量不足所造成的.预计多晶硅生产企业扩产后的产量 , 仍然满足不了快速增长的需要. 2005 年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为 10448 吨,而 2005 年太阳能用硅材料需求量约为回收单晶硅公司 15953101283 提供 22881 吨,如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的 65%计,则太阳能电池用多晶硅需求量约为 14873 吨, 这样全球太阳能电池用多晶硅的市场缺口达 4424 吨. 2005 年半导体用多晶硅短缺 6000 吨, 加上太阳能用多晶硅缺口 4424 吨,合计 10424 吨,供给严重不足,导致全球多晶硅价格上涨.目前多晶硅市场的持续升温,导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划,根据来自国际光伏组织的统计,至 2008 年全球多晶硅的产能将达 49550 吨,至 2010 年将达 58800 吨.预计到 2010 年全球多晶硅需求量将达 85000 吨,缺口 26200 吨.    从长远来看,考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能产业的大力支持, 需求将持续增长.根据欧洲光伏工业联合会的 2010 年各国光伏产业发展计划预计,届时全球光伏产量将达到 15GW(1GW=1000MW) ,设想其中 60%使用多晶硅(包括多晶硅和单晶硅)为原材料,如果技术进步每 MW 消耗 10 吨多晶硅,保守估计全球至少需要太阳能多晶硅 5 万吨以上. 与国际水平相比,国内多晶硅生产物耗能耗高出 1 倍以上,产品成本缺乏竞争力.  

单晶硅多晶硅

2017-06-06 17:50:08

单晶硅多晶硅都是硅的一种形态。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。想要了解更多单晶硅多晶硅的相关资讯，请浏览上海有色网（ www.smm.cn ）有色金属频道。

单晶硅多晶硅

2017-06-06 17:50:07

单晶硅多晶硅.首先要了解两者的本质和性质。单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。接下来了解两者的性质。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。想要了解更多单晶硅多晶硅的相关资讯，请浏览上海有色网（ www.smm.cn ）有色金属频道。

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