金属硅价格是很多金属硅投资人士很多金属硅企业关注的焦点，及时掌握金属硅的价格信息、交易状况、市场供求关系、行情走势等，是在金属硅投资交易中获得成功的关键。    2010年8月17日讯，今日国内现货金属硅价格市场随着国内外需求升温，询盘积极，但实际成交一般。最新SMM黄埔港金属硅价格报价：553#12200-12400元/吨，441#13000-13200元/吨，3303#13600-13800元/吨，2202#14100-14300元/吨。国内金属硅贸易商在海外日韩、欧美等地夏休假期期间备货积极，使得当前金属硅生产厂家以完成订单量为主，现货库存量极为有限。从而出现目前国内金属硅生产厂家惜售情绪较浓，金属硅价格持续坚挺且一路攀升。    昨日，国内金属硅持货商以惜售来推动金属硅价格上涨。但由于涨势过快，国内金属硅采购商尚未完全接受当前金属硅价格，还需一定时日消化。今日国内金属硅价格涨势趋缓，市场整体成交一般。刚止跌反弹的金属硅价格能快速上涨，主要是受金属硅生产原材料价格的持续上涨，以及国家工信部近日公布了2010年9月底前关停落后产能的淘汰企业名单，其中包含了部分金属硅生产企业。而人为的价格助推只是短期行为，大部分金属硅生产厂家由于前期订单已基本消耗库存，一两周的惜售囤积是为了缓解现货库存量。    从6月下旬来时，随着金属硅主生产大区--西南地区已进入传统丰水期，金属硅生产开工恢复明显，当地现货供应量正在稳步增加。金属硅生产厂家报价出现松动，惜售情绪有所缓解，特别是四川地区，出货意愿明显加强。因此，近日低品位553#金属硅跌势持续。目前，高品位金属硅云南产区厂家在7月中旬已基本完成前期订单量，当地现货市场金属硅供应量增加迅速，由此高品位3303#、2202#金属硅也开始出现下跌趋势。    另外，在德国削减光伏补贴的预期下、中国硅片出口近来猛增，导致市场供应出现缺口，硅片价格因此大涨，目前环比前一季度涨幅已达10%左右。有市场分析人员说，现在单晶硅片的最高报价为29元/片，多晶硅片的价格区间则在26元-28 元/片，三个月内涨了10%左右。而硅片上游产品——多晶硅的报价则在55美元-57美元/公斤，环比上季度高出5%-10%。    有关人士认为，此波金属硅价格攀升走势是否得以持久，需待国内外消费商的接受度，以及是否能承受为回笼资金而抛售的部分生产企业的高价冲击。 

国际多晶硅 价格 重新攀上70美元/公斤，8月23日的 市场 成交价已经高达75美元/公斤。这是继国际多晶硅 价格 2008年从510美元/公斤的高点回落到2009年40美元/公斤的低点之后，正式呈现强劲上攻态势。　　作为直接以多晶硅为原材料的企业，下游光伏企业已经开始感受到多晶硅供应的紧张气氛。尽管不少硅片企业表示年内的多晶硅长单已经签订并确定 价格 ，但由于长单在总订单中占比较小，多晶硅涨价还是将对企业带来不可回避的供给和 价格 压力。　　据业内专家介绍，由于今年整个光伏 行业 的复苏，其 产业 链上的所有产品如太阳能电池硅片、电池片、组件等都呈现出供不应求的态势。这直接反映到国际多晶硅 价格 的波动上。目前，硅料 价格 已从40美元/公斤上涨到接近80美元/公斤，并且仍然存在很大的上升空间。　　有分析人士 预测 ，由于硅料 价格 的周期性涨价规律，随着半导体及光伏 产业 的增长，多晶硅 价格 将有望在年内突破100美元/公斤。

中国出口的工业硅 价格 一直偏低。特别是20世纪90年代以来，由于欧盟和美国以及后来的澳大利亚等对中国出口的工业硅长期征收高额反倾销税，再加上中国国内低水平重复建设和竟相降价的无序竞争，使中国出口的工业硅 价格 一直严重偏低。 随着WTO的进一步深化，2007年以来中国出口的工业硅 价格 有所提高，2007年1-12月，中国出口工业硅的平均离岸价为381美元/吨，这比2006年全年的平均离岸价提高了27%。 　　从2008年1月1日起，中国工业硅暂定关税为10%。此次关税上调的目的是控制工业硅的出口。但尽管关税上调，中国产工业硅 价格 在国际 市场 上仍然是最低的， 价格 优势明显。 

2010年国内碳化硅 价格 仍将趋于平稳。我国碳化硅的主要分布在甘肃、宁夏、青海、新疆、河南、四川、贵州、湖北等地区。全国黑碳化硅产能约100万吨左右。其中甘肃地区约占50%，宁夏约占25%，其他地区黑碳化硅产能约占25%。绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。2008年到2009年，国内碳化硅 市场价格 呈暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的 走势 。  2008年上半年，因担心奥运会期间影响原料供应，制品企业大量备货，原燃料 价格 大幅上涨，碳化硅也进入暴涨期。其中，4-5月一级碳化硅涨势最为迅猛，涨幅超过30%，创单月涨幅最高。7月份，电价统一上调，加之原料无烟煤 价格 的上涨，为碳化硅 价格 上涨再度提供动力。到奥运前，一级碳化硅 价格 已经涨至8000元/吨，为2008年历史最高，较年初碳化硅 价格 增长74%。  奥运结束后，前期备货较多的企业开始消化库存， 市场交易 量开始下滑。2008年9月金融危机全面爆发，低迷的 市场 需求导致碳化硅 价格 迅速下滑。从2008年9月到2009年1月，碳化硅一路下跌，一级碳化硅降幅23.38%。在此期间，因需求不旺，碳化硅 市场交易 量大幅下降，国内碳化硅生产企业停产、减产来应对金融危机。11月底，政府为刺激经济，下调电价，但电价的下调，再次推动碳化硅 价格 的走低，并未带动当地电石、铁合金、硅铁、碳化硅等耗能企业动工复产。  进入2009年，因 市场 需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力， 价格 继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅 价格 下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内 市场 的同时，多数出口到国外 市场 ，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年 价格 波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅 价格 迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦 价格 开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅 价格 开始反弹，但下游 市场 需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统 产业 、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高 产业 集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等 行业 实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能 行业 进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、 行业 准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加， 价格 走高。  2010年，我国将继续实施积极的财政政策和适度宽松的货币政策。中国国务院发展研究中心称，2010年中国经济有望出现相对温和的增长和较低 价格 上涨的良好局面，国内生产总值(GDP)增长率预计在9.5%。国内经济的稳步增长将在一定程度上带动国内碳化硅 市场 需求。  工信部部长李毅中指出，2009年我国出口下降16%，2010年预计出口增长8%。在全球经济回暖预期加强的情况下，2010年碳化硅出口情况将好于2009年。虽然出口形势比较乐观，外贸企业仍应时刻关注国际经济形势和汇率变化情况。目前国内碳化硅 价格 趋于平稳。

  2008年9月，多晶硅 价格 最高时接近每公斤500美元，为了避免原材料 价格 进一步上涨造成更大的损失，光伏企业纷纷大规模囤积多晶硅。但短短几个月，供需状况全面逆转，多晶硅从供不应求变成大量积压，到2008年末，多晶硅 价格 已经跌至每公斤150美元左右。    作为 产业 链的上游，多晶硅 行业 显然也面临着 市场 与技术的两大成本方面的挑战。特别是经过2008年金融危机的洗礼，曾享受高毛利的多晶硅 行业 已逐步转向价值回归。    自2004年起，多晶硅 行业 毛利率一直处于快速增长，从最初的30%一度上升到2007年的70%左右。而相反，其下游环节硅片、电池、组件系统却呈现稳定下降趋势。其中，硅片环节的毛利由35%下降到20%，而电池环节则由20%下降到15%，组件系统由10%降至7%左右。2008年多晶硅 市场 的暴跌则成为各环节毛利分配的转折点。上游多晶硅部分利润逐步向中下游转移，截止2009年其已基本回归至五年前约35%的水平。     2008年在金融危机影响下，多晶硅 价格 暴跌，从最高时的四五百美元/公斤，跌至最低至每公斤五六十美元。2010年随着海外 市场 复苏，多晶硅进入新一轮投产热，乐电天威、鄂尔多斯子公司等多晶硅生产企业纷纷发布投产消息。多晶硅 价格 重拾回升态势。由于2010年整个光伏 行业 的复苏，其 产业 链上的所有产品如太阳能电池硅片、电池片、组件等都呈现出供不应求的态势。

     国际多晶硅 产业 概况 当前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料,其 市场 占有率在 90%以上,而且在 今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料.多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美,日, 德等 3 个国家 7 个公司的 10 家工厂手中,形成技术封锁, 市场 垄断的状况. 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池.按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级.其中,用 于电子级多晶硅占 55%左右,太阳能级多晶硅占 45%,随着光伏 产业 的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅 需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展。     1994 年全世界太阳能电池的总 产量 只有 69MW, 2004 年就接近 1200MW, 而 在短短的 10 年里就 增长了 17 倍.专家 预测 太阳能光伏 产业 在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一. 据悉,美国能源部计划到 2010 年累计安装容量 4600MW,日本计划 2010 年达到 5000MW,欧盟 计划达到 6900MW,预计 2010 年世界累计安装量至少 18000MW.从上述的推测分析,至 2010 年太 阳能电池用多晶硅至少在 30000 吨以上。     据国外资料分析报 道,世界多晶硅的 产量2005 年为 28750 吨,其中半导体级为 20250 吨,太阳能级为 8500 吨,半导体 级需求量约为 19000 吨,略有过剩;太阳能级的需求量为 15000 吨,供不应求,从 2006 年开始太阳能 级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大. 据日本稀有 金属 杂质 2005 年 11 月 24 日报道, 世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张, 主要是由于以 欧洲为中心的太阳能 市场 迅速扩大,预计 2006 年,2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多 晶硅 价格 方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005 年世界太阳能电池 产量 约 1GW,如果以 1MW 用多晶硅 12 吨计算,共需多晶硅是 1.2 万吨,2005-2010 年世界太阳能电池平均 年增长率在 25%,到 2010 年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过 6.3 万吨. 世界多晶硅主要生产企业有日本的 Tokuyama,三菱,住友公司,美国的 Hemlock,Asimi,SGS, MEMC 公司,德国的 Wacker 公司等,其年产能绝大部分在 1000 吨以上,其中 Tokuyama,Hemlock, Wacker 三个公司生产规模最大,年生产能力均在 3000-5000 吨.     国际多晶硅主要技术特征有以下两点: (1)多种生产工艺路线并存, 产业 化技术封锁,垄断局面不会改变.由于各多晶硅生产工厂所用主辅 原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标,产品质量指标,用途,产 品检测方法,过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产 主要的传统工艺有:改良西门子法,硅烷法和流化床法.其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世 界总产能的 80%,短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变. (2)新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃.除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升 级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的低 价格 工艺;冶 金法从 金属 硅中提取高纯度硅; 高纯度 SiO2 直接制取; 熔融析出法 (VLD: Vaper to liquid deposition) ; 还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si 溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等.     国内多晶硅 产业 概况 我国集成电路的增长,硅片生产和太阳能电池 产业 的发展,大大带动多晶硅材料的增长. 太阳能电池用多晶硅按每生产 1MW 多晶硅太阳能电池需要 11-12 吨多晶硅计算,我国 2004 年多 晶,单晶太阳能电池 产量 为 48.45MW,多晶硅用量为 678 吨左右,而实际产能已达 70MW 左右,多晶 硅缺口达 250 吨以上. 2005 年底国内太阳能电池产能达到 300MW, 到 实际能形成的 产量 约为 110MW, 需要多晶硅 1400 吨左右,预测 到 2010 年太阳能电池 产量 达 300MW, 需要多晶硅保守估计约 4200 吨, 因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加,见表 3. 2005 年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在 20%-30%,半导体用单晶硅企业开工率在 80%- 90%,都不能满负荷生产,主要原因是多晶硅供给量不足所造成的.预计多晶硅生产企业扩产后的 产量 , 仍然满足不了快速增长的需要. 2005 年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为 10448 吨,而 2005 年太阳能用硅材料需求量约为 回收单晶硅公司 15953101283 提供 22881 吨,如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的 65%计,则太阳能电池用多晶硅需求量约为 14873 吨, 这样全球太阳能电池用多晶硅的 市场 缺口达 4424 吨. 2005 年半导体用多晶硅短缺 6000 吨, 加上太阳能用多晶硅缺口 4424 吨,合计 10424 吨,供给严重不足,导致全球多晶硅 价格 上涨.目前多 晶硅 市场 的持续升温,导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划,根据来自国际光伏组织的统计,至 2008 年 全球多晶硅的产能将达 49550 吨,至 2010 年将达 58800 吨.预计到 2010 年全球多晶硅需求量将达 85000 吨,缺口 26200 吨.    从长远来看,考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能 产业 的大力支持, 需求将持续增长.根据欧洲光伏工业联合会的 2010 年各国光伏 产业 发展计划预计,届时全球光伏 产量 将 达到 15GW(1GW=1000MW) ,设想其中 60%使用多晶硅(包括多晶硅和单晶硅)为原材料,如果技术进步每 MW 消耗 10 吨 多晶硅,保守估计全球至少需要太阳能多晶硅 5 万吨以上. 与国际水平相比,国内多晶硅生产物 耗能耗高出 1 倍以上,产品成本缺乏竞争力.  

单晶硅多晶硅都是硅的一种形态。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。想要了解更多单晶硅多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

单晶硅 多晶硅.首先要了解两者的本质和性质。单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。接下来了解两者的性质。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。想要了解更多单晶硅 多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

6N多晶硅是多晶硅的一种型号，其纯度很低。由吉林市白山市八道江福源硅业有限公司与上海太阳能科技有限公司共同研发的。牌号 6N;产地 美国;含量≥ 99.99994（%）,目前6N多晶硅 价格 约在2500/公斤左右。   多晶硅产品是电子信息 产业 和光伏 产业 不可缺少的原材料，世界上98％的芯片以多晶硅为基础原料。随着全球电子信息 产业 的迅猛发展，多晶硅 市场 一直供不应求。目前，国内电子信息 产业 和光伏 产业 每年多晶硅的需求量达1万吨，但国内的年 产量 不足300吨。世界多晶硅产品 市场价格 高达每公斤200美元。据有关资料表明，到2010年，全球多晶硅的需求量将达13．5万吨左右， 市场 缺口达2．5万吨，而中国仅太阳能 行业 就需要多晶硅2．5万吨。　 长期以来，大规模的多晶硅生产技术一直被美、日、德等国垄断，对我国一直实行技术封锁。白山市八道江福源硅业有限公司1000吨太阳能级多晶硅项目的建成投产将成功打破西方国家的技术封锁，对我国的信息 产业 、民族工业产生巨大推动作用。白山市八道江福源硅业有限公司1000吨太阳能级多晶硅项目采用自主研发的“物理法”提纯工艺技术，生产成本预计仅是国外的2／3，总投资节省2／3。项目建成投产后，可以有效促进我国矿产资源的合理利用开发、保护生态环境、促进我国新能源 产业 的发展。产品不仅可以供给国内企业，解决我国多晶硅长期依赖进口的难题，而且可以出口创汇，提高我国在国际光伏 产业 链的地位。   更多6n多晶硅 价格 相关信息请查看上海 有色 网。

       多晶硅 价格 重拾升势,日前，我国部分省市取消针对多晶硅项目的优惠电价，导致多晶硅生产成本提升，加上全球光伏产品需求超预期，国内多晶硅尤其是高纯多晶硅的供应又呈现供不应求的苗头。对此，不少晶硅电池生产商担忧多晶硅 价格 的提升会带来成本压力的增加。来源:多晶硅 价格 网　　优惠电价取消　　日前，浙江省物价局联合有关部门下发通知，自6月1日起取消对高耗能企业的用电 价格 优惠，凡是自行对高耗能企业（包括多晶硅）实行电价优惠的，要立即停止执行。同样取消多晶硅 产业 优惠电价的省份还有宁夏、广西、内蒙古等。　　多晶硅的国际 价格 自2008年下半年迅速回落至今，一直在50-60美元/公斤的 价格 徘徊，目前国内多晶硅优惠电价的取消将直接导致多晶硅成本 价格 的提升，多晶硅作为光伏 产业 链最基本的原料，其 价格 上涨将导致全 产业 链遭遇较大成本压力。　　事实上，除了多晶硅优惠电价取消之外，全球光伏产品的终端需求大幅提升，也使得去年曾因“产能过剩”而备受诟病的多晶硅 产量 目前又呈现出供不应求的迹象。数据显示，国内2010年一季度多晶硅的进口量年增长率约达65%，反映出供给增加远不及需求增速。　　国内一家光伏生产商表示，现在光伏终端 市场 至少比2008年扩大了接近两倍，而多晶硅产能至多比2008年扩大了50%，因此多晶硅供需形势又开始偏紧。　　据了解，由于今年光伏 产业 全 行业 满载生产，受光伏 产业 和半导体 产业 双重需求拉动，多晶硅供应紧张，目前多晶硅 价格 已经从50-52美元/公斤上涨到60-65美元/公斤。诸多 行业 一线厂商预计，多晶硅 价格 将会逐步上涨到70-80美元/公斤。　　涨价短期将持续　　江西赛维有关人士表示，公司到目前为止多晶硅能够实现的产能超过6000吨，年底可能超过10000吨，但也只能满足公司年需求量的不到一半，目前多晶硅 价格 的上涨幅度尚在公司承受范围内。　　中国可再生能源学会副理事长、光伏分会主任赵玉文表示，在目前全球 市场 需求旺盛、原材料供应不足的情况下，多晶硅 价格 出现上涨是 市场 行为。在去年我国多晶硅“产能过剩”的质疑之下，预计国内多晶硅产能释放不会太快。对于国内硅片生产商而言，短期内可能依旧需要进口。　　业内人士介绍说，对于多晶硅而言，从投产到达产最快也要有2年左右的时间，而组件厂商从投产到达产只需要不到一年时间，相比去年，今年尚德、赛维的组件产能增长显著，主要源于光伏终端需求的增加。　　也有乐观人士表示，目前多晶硅的涨幅对国内多数光伏生产商而言，还是在可承受范围内的，毕竟2008年一季度多晶硅最高曾涨到500美元/公斤，而此次多晶硅 价格 上涨更多是一种补涨，毕竟今年一季度多晶硅片和组件 价格 都出现了一定幅度的上扬。　　此次多晶硅 价格 上扬可能会带动国内已经投产多晶硅生产线的厂商扩张产能。然而，对于规模实力较小的投资商来说，在目前的情况下，再进入多晶硅 行业 也受到重重限制，除了技术门槛之外，在至少两三年的建设周期内，需要支付巨额资金，而金融机构对多晶硅项目的贷款也有限制，国内对多晶硅项目目前尚谈不上有明显的鼓励政策。　　因此，分析人士认为，短期内多晶硅 价格 的上涨还会持续一段时间，尤其是严重依赖进口的高纯度多晶硅，短期内被动上涨的可能性较大。多晶硅 价格 网上也按 市场 的变动而变稍作调整. 

2010年国内绿碳化硅 价格 仍将持稳。国内碳化硅 市场价格 在经历2008年到2009年暴涨、暴跌、持续下跌、反弹的 走势 之后，2010年国内绿碳化硅 价格 仍将持稳。我国绿碳化硅产能在55万吨左右，其中青海、四川、新疆为主产区，产能占80%以上。  绿碳化硅主要用于线切割 行业 。2008-2009年，绿碳化硅 走势 也同样经历了先涨后跌的 走势 。因原料和国家政策的刺激，绿碳化硅 价格 下滑略微滞后于黑碳化硅。直至2009年底，随着原料和电价的上涨，绿碳化硅 价格 逐步回升。进入2009年，因 市场 需求不旺，一级碳化硅难以承受库存压力， 价格 继续走低。5月份，丰水期优惠电价的实施，为碳化硅 价格 下滑再一次提供动力。二级黑碳化硅在满足国内 市场 的同时，多数出口到国外 市场 ，供应略显紧张，因此二级碳化硅全年 价格 波动较小。  2009年底，国家统一上调电价。西北各地区根据实际情况上调电价，其中甘肃地区电价上调0.08元/千瓦时，宁夏地区上调0.05元/千瓦时，青海地区电价上调超过0.03元/千瓦时，一时间碳化硅 价格 迅速上涨，最低上调200元/吨，最高上调500元/吨。此时，原料无烟煤和石油焦 价格 开始上涨，涨幅接近30%。碳化硅 价格 开始反弹，但下游 市场 需求仍处于低迷状态。2010年，我国有关部委将着力开展提升优化传统 产业 、抑制过剩产能扩张，开展节能降耗、减排治污，淘汰落后产能等工作。  我国碳化硅总产能约155万吨，产能严重过剩。2009年，西北地区黑、绿碳化硅产能均有增长，但各地区均存在部分落后产能。2010年，各地区将采取实质性措施提高 产业 集中度。其中，青海省政府决定在2010年底前，淘汰6300KVA以下的冶炼炉；宁夏地区将继续对铁合金、碳化硅等 行业 实施能耗电价联动机制，最大限度地降低高载能产品单耗；甘肃省也将继续对小功率冶炼炉进行整顿。在国家对高耗能 行业 进行控制的情况下，下一步相关部门将对电价、 行业 准入标准进行相应调整，或推动碳化硅成本增加， 价格 走高。    目前国内绿碳化硅 价格 趋于平稳。

太空中的单晶硅      遥望星空，茫茫宇宙，探索太空是人类几百年的梦想。人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。航天飞机、宇宙飞船、人造卫星都要以单晶硅作为必不可少的原材料。航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。离开单晶硅，卫星会没有能源，没有单晶硅，航天飞机和宇航员不会和地球取得联系，单晶硅作为人类科技进步的基石，为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。火星上的单晶硅    当今，“火星热”在全世界范围内掀起了浪潮，仅在今年，人类就有三颗探测器在火星表面登陆，先是欧州航天局的“猎兔犬”号，接着就是美国的“勇气”号和“机遇”号的两次难度最高、惊心动魄的人工智能控制着陆。现在，两辆火星探测车正在火星表面进行漫步，在地球上的工程技术人员控制下进行火星探测，已经发回了大量珍贵的火星探测数据，甚至还发现了火星曾有水存在的证据，这在人类探索宇宙的历程上无疑是一个里程碑。    火星探测器进行所有的探测活动所需的能源都是由探测器上携带的太阳能电池板转化太阳能得来的，太阳能电池板把太阳能转化为电能，供给火星探测器使用。这样，火星探测器可以在距离地球数千万英里之外的火星上接收来自地球的控制信号，进行一系列复杂的探测活动。这些能源的来源都是以单晶硅为材料制成的太阳能转换器，火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光，探测器白天休息——利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来，晚上则进行科学研究活动。也就是说，只要有了单晶硅，在太阳光照到的地方，就有了能量来源。你身边的单晶硅    不知道你发现了没有，在你的日常生活里，单晶硅可以说是无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中各个角落。    ２1世纪是材料的世纪，科学技术的飞速发展给人们的生活带来了日新月异的变化，而每一项科学技术的应用与普及都与单晶硅有着密不可分的关系，单晶硅作为科技基础材料已经成为科技发展的基石和人们日常生活中必不可少的一部分。

二氧化硅 价格 产品名称                货品所在地              单价(不含运费) 起批量                  查看 M-5气相二氧化硅         广东佛山市顺德区        55.00/公斤 0公斤                     查看详情 树脂轻粉(白炭黑,二氧化硅)">硅)">树脂轻粉(白炭黑,二氧化硅) 广东中山市 7.00/pcs 1pcs   查看详情 石英砂                 湖北蕲春县               1.00/吨 1吨                           白碳黑                 上海上海市               6500.00/吨 1吨                         二氧化硅               河南郑州市二七区         12000.00/吨 0吨                        石英砂|二氧化硅        河北石家庄市新华区       600.00/T 100T                          沉淀水合二氧化硅       河北石家庄市             5000.00/吨 0吨                         分析纯二氧化硅         广东广州市               1.00/瓶 0瓶                            白炭黑（二氧化硅）     广东广州市               4500.00/吨 0吨                         二氧化硅               河南郑州市               15.00/kg 0kg                           二氧化硅               山东济南市               4000.00/吨 1吨                        二氧化硅又称硅石，化学式SiO2。自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种。  结晶二氧化硅因晶体结构不同，分为石英、鳞石英和方石英三种。纯石英为无色晶体，大而透明棱柱状的石英叫水晶。若含有微量杂质的水晶带有不同颜色，有紫水晶、茶晶、墨晶等。普通的砂是细小的石英晶体，有黄砂(较多的铁杂质)和白砂(杂质少、较纯净)。二氧化硅晶体中，硅原子的4个价电子与4个氧原子形成4个共价键，硅原子位于正四面体的中心，4个氧原子位于正四面体的4个顶角上，整个晶体是一个巨型分子，SiO2是表示组成的最简式不表示单个二氧化硅分子，仅是表示二氧化硅晶体中硅和氧的原子个数之比。SiO2中Si—O键的键能很高，熔点、沸点较高（熔点1723℃，沸点2230℃）。自然界存在的硅藻土是无

二氧化硅 价格 :二氧化硅含量在99.99%以上的高纯石英粉是广泛用于宇航、国防军工、电子、光纤通讯、光学仪器、激光等高科技领域的基础原材料。 二氧化硅 价格 产品名称                货品所在地              单价(不含运费) 起批量                    M-5气相二氧化硅         广东佛山市顺德区        55.00/公斤 0公斤                       树脂轻粉(白炭黑,二氧化硅)">硅)">树脂轻粉(白炭黑,二氧化硅) 广东中山市 7.00/pcs 1pcs     石英砂                 湖北蕲春县               1.00/吨 1吨                            白碳黑                 上海上海市               6500.00/吨 1吨                         二氧化硅               河南郑州市二七区         12000.00/吨 0吨                        石英砂|二氧化硅        河北石家庄市新华区       600.00/T 100T                          沉淀水合二氧化硅       河北石家庄市             5000.00/吨 0吨                         分析纯二氧化硅         广东广州市               1.00/瓶 0瓶                          白炭黑（二氧化硅）     广东广州市               4500.00/吨 0吨                        二氧化硅               河南郑州市               15.00/kg 0kg                           二氧化硅               山东济南市               4000.00/吨 1吨                      二氧化硅,SiO2,又称硅石。在自然界分布很广，如石英、石英砂等。白色或无色，含铁量较高的是淡黄色。密度2.2 ～2.66.熔点1670℃（鳞石英）；1710℃（方石英）。沸点2230℃，相对介电常数为3.9。不溶于水微溶于酸，呈颗粒状态时能和熔融碱类起作用。用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、硅铁、型砂、单质硅等。二氧化硅矿物是指分子表达式相同（SiO2），但结构有差异的矿物，这些矿物统称为类质异像体，主要包括石英、方石英和鳞石英。这些矿物在地球

2024-06-19长江 553#-331#硅价格市场行情： 长江 553#-331#硅价格12800-13800，对比前一交易日价格跌50

2023-03-03长江 3303#-2202#硅价格市场行情： 长江 3303#-2202#硅价格18600-30500，对比前一交易日价格跌50

2022-08-10长江 3303#-2202#硅价格市场行情： 长江 3303#-2202#硅价格18900-30000，对比前一交易日价格涨50

2023-03-03长江 553#-331#硅价格市场行情： 长江 553#-331#硅价格17000-18600，对比前一交易日价格跌50

2023-06-30长江 553#-331#硅价格市场行情： 长江 553#-331#硅价格13000-13900，对比前一交易日价格涨0

2023-06-30长江 3303#-2202#硅价格市场行情： 长江 3303#-2202#硅价格13900-21500，对比前一交易日价格涨0

2023-06-13长江 553#-331#硅价格市场行情： 长江 553#-331#硅价格13200-14300，对比前一交易日价格跌250

2023-06-13长江 3303#-2202#硅价格市场行情： 长江 3303#-2202#硅价格14300-22000，对比前一交易日价格跌100

2024-02-28长江 553#-331#硅价格市场行情： 长江 553#-331#硅价格14500-15200，对比前一交易日价格跌50

2024-12-17长江 3303#-2202#硅价格市场行情： 长江 3303#-2202#硅价格12400-17000，对比前一交易日价格跌50

  整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

  整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

人造单晶金刚石作为刀具材料，市场上能买到的目前有戴比尔斯(DE-BEERS)生产的工业级单晶金刚石材料。这种材料硬度略逊于天然金刚石。其它性能都与天然金刚石不相上下。由于经过人工制造，其解理方向和尺寸变得可控和统一。随着高温高压技术的发展，人造单晶金刚石最大尺寸已经可以做到8mm。由于这种材料有相对较好的一致性和较低的价格，所以受到广泛的注意。作为替代天然金刚石的新材料，人造单晶金刚石的应用将会有大的发展。

天然单晶金刚石是一种各向异性的单晶体。硬度达HV9000-10000，是自然界中最硬的物质。这种材料耐磨性极好，制成刀具在切削中可长时间保持尺寸的稳定，故而有很长的刀具寿命。     天然金刚石刀具刃口可以加工到极其锋利。可用于制作眼科和神经外科手术刀；可用于加工隐形眼镜的曲面；可用于切割光导玻璃纤维；用于加工黄金、白金首饰的花纹；最重要的用途在于高速超精加工有色金属及其合金。如铝、黄金、巴氏合金、铍铜、紫铜等。用天然金刚石制作的超精加工刀具其刀尖圆弧部分在400倍显微镜下观察无缺陷，用于加工铝合金多面体反射镜、无氧铜激光反射镜、陀螺仪、录像机磁鼓等。表现粗糙度可达到Ra(0.01-0.025)μm。     天然金刚石材料韧性很差，抗弯强度很低，仅为(0.2-0.5)Gpa。热稳定性差，温度达到700℃-800℃时就会失去硬度。温度再高就会碳化。另外，它与铁的亲和力很强，一般不适于加工钢铁。

1、外观上的区别外观上面看的话，单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。2、使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形（四边都是圆弧状），因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满；而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题。3、制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保！

钨是战略资源，是我国的丰产元素和保护矿种。长期以来，我国出口钨的初级产品，进口高端产品，出口产品的价格仅为进口产品的1％，与我国的经济发展要求极不适应。为加快钨新材料研发进程，实现钨产品由初级向高技术含量、高附加值产品的转变，使我国钨资源优势转化为经济优势，研究高性能钨材料的制备技术具有重要的现实意义和发展前景。     由于遗传关系，仲钨酸铵(APT)的晶体特性，如晶体形貌、平均粒度和粒度分布、松装密度和流动性对后续粉末冶金产品－钨粉、钨丝和钨合金的材料性能影响极大。单晶APT因其具有优良的物理性能，是生产高性能钨材料的理想原料。首先，单晶APT粉体具有良好的流动性，由单晶APT经焙烧－氢还原制取的钨粉，在压制过程中因滑动磨擦阻力小，坯料的空洞缺陷明显降低，加工材料的力学性能大幅度提高。由于抗拉、抗断裂性能好，拉制过程钨丝的成品率为90％，而以多晶APT为原料生产的钨丝其成品率仅为70％。因此，单晶APT成为生产车用高品质钨丝的必选粉体原料。此外，单晶APT粉体具有较高的松装密度，坯料中晶粒间隙小而均匀，力学缺陷少，压实密度高，以其制取的合金材料其抗压、抗剪力、抗冲击性能优良。如以单晶APT制取的顶锤寿命是以多晶APT制取的2～3倍。由于配重作用大，单晶APT是生产装甲弹、高密度合金、微钻、数控刀片等高性能钨材料的优良粉体原料。     因此，单晶APT粉体的制备技术及其制备原理的研究，是一关键课题。国内外现有的对APT性能的研究，较多的是关注工艺条件与仲钨酸铵的粒度、粒度分布、松装密度和流动性等晶体特性的关系。笔者在探明单晶APT结晶原理基础上，研究了结晶装置、搅拌转速、温度等因素对仲钨酸铵团聚的影响。     一、试验部分     （一）试验原料及试剂     (NH4)2WO4溶液：为黑钨矿精矿经碱溶、离子交换法除杂净化转型后所得溶液，其ρ（WO3）＝285.66 g/L，pH＝9.80，c（Cl－）＝2.5mol/L，Mo、Si、P、As杂质微量。     试验过程中，溶液结晶至初始溶液体积的40％。     （二）试验仪器     DF－1集热式恒温磁力搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；5312数显搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；0.1mg电光分析天平（成都科学仪器厂）；721型分光光度计（上海精密科学仪器有限公司）；SFC－100FL麦克奥迪显微镜；红外线快速干燥器。     （三）试验装置    试验装置如图1所示。图1  制备球形仲钨酸铵的蒸发结晶装置     二、单晶仲钨酸铵的制取机理     晶粒团聚的先决条件是接触。晶粒的接触方式有2种：一是沉积于结晶器底部的堆积接触；二是悬浮于结晶溶液中的碰撞接触。其中，碰撞接触的机会大小与结晶器内流体的流动方式和溶液中固体颗粒的浓度有直接关系。     堆积接触可以通过搅拌使晶体颗粒悬浮而避免，因此，在保证晶粒处于悬浮前提下，降低以至消除晶粒在溶液中运动碰撞的机会是制取仲钨酸铵单粒晶体的前提。     由于搅拌装置和搅拌转速不同，晶粒在运动中碰撞的机会有很大不同。根据研究，在横截面为圆形的结晶器中，流体围绕搅拌轴做圆周同心层流运动时，晶粒碰撞机会最小。     流体运动是层流还是紊流，取决于流速，即搅拌速度。搅拌越慢，流体偏离紊流越远。因此，在保证晶粒不沉积的前提下，搅拌转速越慢越好。     APT晶粒的沉降速度与其粒度有关。粒度越大，越易沉降，维持其保持悬浮状态所需的转速越快。因此，结晶过程根据晶粒长大的情况，对搅拌转速进行由慢到快的控制，确定不同粒径范围，APT晶粒既不沉积也不碰撞的最佳转速是制取单粒晶形APT的技术关键之一。     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会也与单位体积晶液中颗粒多少（即固相浓度）、晶粒大小有关。根据前期研究结果，在起始钨酸铵溶液浓度相同条件下，降低结晶前期溶液温度、搅拌转速是降低成核数量（即降低固相浓度）和晶粒生长速度（即降低晶粒粒径）、减少APT晶粒碰撞、制取单粒晶形APT的技术关键之二。     三、结果和讨论     （一）结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响     反应条件：搅拌转速70 r/min，结晶温度95℃。定性考察结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响。     结晶装置均为横截面为圆形的结晶器。根据仲钨酸铵结晶动力学理论及流体力学原理，这种结晶装置中，流体围绕搅拌轴作圆周运动，相同半径点的流体速度基本一致，基本实现流体层流。研制的结晶器与普通结晶器流体流动状态显著不同，如图2所示。图2  不同结晶器中流体的流动状态     基于上述原理，对搅拌浆进行改进。装置分为A、B、C 3种。A未进行改进，B、C分别为改进1和改进2装置。试验结果见表1。可见，经过改进的结晶装置，所得APT粉体单晶率明显升高。以下试验均在C装置中进行。 表1  结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响结晶装置APT粉体单晶率/%APT粉体粒度/μmAPT粉体松装密度/（g·cm－3）A46462.2B78351.8C85422.1     （二）搅拌转速对仲钨酸铵团聚的影响     结晶温度95℃，试验结果如图3所示。图3  搅拌速度对APT粉体团聚的影响     由图3可知：1、低搅拌速度下所得APT的单晶率较低，转速为30 r/min时，单晶率为62％。这是因为搅拌转速较慢时，APT颗粒在溶液中不能充分悬浮于溶液中，而是以堆积方式沉积于结晶器底部，这必然导致APT团聚现象发生。随着搅拌速度提高，APT团聚现象逐步得到缓解，因而APT单晶率逐步提高，并在70～90 r/min时达到最佳值，此时单晶率在86％左右。     2、随着搅拌转速的进一步提高，APT单晶率逐步下降。这是因为搅拌转速的提高必然导致结晶器内溶液的流动状态从层流变为紊流，紊流状态使悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞接触机会加大，从而导致APT团聚现象发生。     3、可以得出结论：搅拌转速70～90r/min是一个分界点。低于70r/min，溶液中的APT颗粒有部分因搅拌力不足而沉积团聚；在此范围内，溶液中的APT颗粒基本悬浮于溶液中；大于90r/min，溶液搅拌加剧，悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞加剧而团聚。因而，从结晶的整个过程来看，搅拌转速应控制在70～90r/min范围内。     （三）搅拌转速对不同时期仲钨酸铵团聚的影响     从结晶局部过程来看，搅拌速度70～90r/min并非为最佳值。如前所述，最佳搅拌速度是在保证APT晶粒不沉积前提下越慢越好。但在结晶不同时期，由于晶粒的数量和大小是不同的，因而保证APT晶粒不沉积的最慢转速也不同。因此，有必要进一步探索不同结晶时间时维持层流和阻止晶粒沉积的最佳转速。     结晶从开始到结束，APT颗粒的大小应该呈总体增大趋势，因而搅拌速度在结晶初期可以取较小值，随着结晶过程的进行，搅拌速度应逐步提高。在结晶后期，搅拌转速达到70^90 r/min总体最佳值。     结晶时间取3个点：晶核出现前，晶核出现时和晶核出现后1h。对于时间点1，取转速分别为10，20，30r/min；对于时间点2，取转速分别为30，40，50r/min；对于时间点3，取转速分别为60，70，80r/min；结晶温度为95℃。在此条件下进行正交试验。试验结果见表2。 表2  不同结晶时期搅拌转速对APT团聚的影响试验序号时间点1时间点2时间点3APT单晶率/%120406089230507093340608091420508092530606088640407092720607091830408092940506090     由表2可知：2号试验所得产品单晶率最高，即晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期，搅拌转速控制在70～90r/min范围内。在此条件下，所得产品APT单晶率达93％。     结晶后期指的是溶液中不再形成新的晶核，即溶液的过饱和度达到了最低值。据测算，这个点溶液的密度为1.116～1.125g/cm3。结晶后期到结晶结束，仍有5～6h的结晶时间，但这段时间工艺条件的改变对APT单晶率影响很小，因为这段时间晶体已经长的比较大了，相互的碰撞不再易于团聚。     （四）温度对仲钨酸铵团聚的影响     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会与单位体积溶液中颗粒数量的多少也有关系。如上所述，对APT单晶率影响最大的阶段是结晶前期，即从成核开始至成核结束。因此，着重研究了结晶前期不同温度对APT单晶率的影响。溶液温度仍取95℃，加速加热以缩短周期；成核终了至结晶结束，温度仍控制在95℃。     试验条件：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现后1h，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶终了，搅拌转速为80r/min。结晶前期，改变蒸汽温度，试验结果如图4所示。图4  结晶温度对APT粉体单晶率的影响     由图4可知：适当降低结晶前期的温度，APT粉体的单晶率有较大的提升空间，但温度不能降低得太多；温度为80℃时，APT单晶率达到最佳值，为96％；进一步降低温度，晶体成核率过低，晶体长大速度过快，晶粒粗大，反而对APT粉体单晶率有负面影响。     四、验证试验     根据上述试验结果，在最佳工艺条件下进行验证试验。结果表明，APT粉体单晶率大于95％，松装密度1.5～3.0 g/cm3，费氏粒度在30～60μm之间，霍尔流动性30～50s/50g。产品单晶电镜扫描图如图5所示。图5  单晶APT电镜扫描图     五、结论     采用改进的结晶装置，APT粉体单晶率明显提高。这种改进主要体现在搅拌浆上，可以促进结晶器内溶液层流的实现。所研发的单晶APT粉体制备流体层流控制技术及装置，可有效减少晶粒间的碰撞，使制备出的单晶APT粉体单晶率达90％以上。     APT粉体最佳结晶条件为：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶结束，搅拌转速为70～90r/min；适当降低结晶前期温度，APT粉体单晶率有较大提升空间，在结晶温度为80℃时达到最佳值，单晶率为96％。