类金刚石薄膜和薄膜镀制技术
2019-02-18 10:47:01
内容简介：类金刚石薄膜作为新式的薄膜材料，具有优异的红外光学、力学、电学、声学、热学等功能，具有宽广的运用规模。跟着航空航天、红外技能；激光、光纤通信等高科技的开展，对红外光学材料提出了更高的要求。而现在运用的锗、硅、硫化锌、等光学材料，现已不能满意要求，现在国际上非常重视类金刚石薄膜技能。类金刚石薄膜作为新一代的光学材料，它具有一系列优异功能：红外区通明、硬度高、耐磨擦、化学功能安稳、耐热冲击、热膨胀系数小等，能满意日益开展的军用及民用光学仪器的需求。用类金刚石薄膜作窗口维护膜及红外光学系统的红外增透膜及维护膜，有着非常广泛的运用远景。 选用脉冲真空电弧离子镀技能来镀制类金刚石薄膜，具有膜层功能安稳、3．4μm处无吸收峰、办法简略等长处。这一新技能我院具有自主的知识产权。现在咱们已在硅、锗基片上成功地镀制了类金刚石红外增透膜、维护膜，还为国内有关厂商镀制了刀具涂层，经测定在3～5μm和8～12弘m区域均匀透过率超越95％，膜层附着力好，耐磨、耐高低温、耐化学腐蚀。咱们现可镀制类金刚膜，氮化钛、碳化钛、钼、钨、钽等膜，这些膜在红外光学、刀具、磁头维护、芯片维护、表面改性、光滑、装修等范畴有着广泛的运用。
多层薄膜材料概述
2019-01-03 09:37:01
多层薄膜材料，就是在一层厚度只有纳米级的材料上，再铺上一层或多层性质不同的其他薄层材料，最后形成多层固态涂层。由于各层材料的电、磁及化学性质各不相同，多层薄膜材料会拥有一些奇异的特性。目前，这种制造工艺简单的新型材料正受到各国关注，已从实验室研究进入商业化阶段，可以广泛应用于防腐涂层、燃料电池及生物医学移植等领域。
《科学新闻》报道说，从事多层薄膜材料研究达10年之久的麻省理工学院鲁伯诺称，多层薄膜材料的研究开发已经到了开始收获的阶段。该材料的处理工艺简单，应用前景十分广泛。
1991年，法国斯特拉斯堡路易斯博斯卡大学的Decher首先提出由带正电的聚合物和带负电的聚合物组成2层薄膜材料的设想，由于静电的作用，在一层材料上添加另外一层材料非常容易。此后，多层薄膜材料的研究工作进展很快。通常，研究人员将带负电的天然衬材如玻璃片等，浸入含有大分子量的带正电物质的溶液中，然后冲洗、干燥，再采用含有带负电物质的溶液，不断重复上述过程，每一次产生的薄膜材料厚度仅有几纳米或更薄。由于多层薄膜材料的制造可采用重复性工艺，人们可利用机器人来完成，因此这种自动化工艺很容易实现商业化。多层薄膜材料已成为新材料领域中的一支新军。
目前，研究人员已经或即将开发的多层薄膜材料主要有以下几种：
1 制造具有珍珠母强度的材料
制造具有珍珠母强度的材料。俄克拉何马州立大学化学家柯多夫，正在仿制一种具有珍珠母强度的材料。他首先在玻璃片上铺上一层带负电的粘土材料，然后再铺上一层带正电的聚合物薄膜，新产生的双层薄膜的强度可以与珍珠母相媲美。目前，柯多夫已建立了Strala材料公司，并打算将这种材料商业化，用来制造防弹衣、航空电子设备及人造骨。
2 新型防腐蚀薄膜材料
新型防腐蚀材料。佛罗里达州立大学的施利诺夫，正在利用2种聚合电解质(PDDA和PSS)制造防腐蚀涂层。他希望这种涂层可用于保护水管以及其他接触水的金属。此外，他正在开发另外一种薄膜，可望用于制药和化学工业中的分子筛选。施利诺夫还将对有相同化学结构、但互为镜像的两种药物分子进行分离。在今年6月出版的《美国化学学会期刊》上，他宣布已经研制成一种薄膜，它可让一些分子以比其镜像分子更快的速度扩散。他建立并自任总裁的NanoStrata公司所开发的“机器人多层薄膜施加系统”已销往世界各地。
3 耐高温电池薄膜材料
可使燃料电池在高温条件下工作的多层薄膜材料。宾夕法尼亚州立大学的马鲁克认为，多层薄膜材料的特性使其能够在诸如发光二极管、太阳能电池以及传感器等高技术产品中发挥重要作用。目前，马鲁克正计划制造用于燃料电池上的超薄传导离子的多层薄膜，这种材料可在高温条件下工作，而燃料电池在低温条件下工作需要昂贵的铂催化剂。新薄膜由大约10层带正电的锆铝和带负电的钙钛矿石薄膜组成。他希望这种新的薄膜可以帮助燃料电池制造厂采用成本低廉的催化剂。马鲁克还在探索由多薄层钙钛矿石形成的铁电体材料。较厚的铁电体目前用于传感器和调速控制器中，但研究人员希望降低这种材料的厚度，以减少器件的体积，并改进其性能。
美国哈拉奥维大学也在采用多层纳米半导体颗粒结构，研制光电转换效率更高的新型太阳能电池。
多晶硅薄膜
2017-06-06 17:50:11
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料多晶硅薄膜太阳能电池特点：即将晶体硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电他的激活层，不仅保持了晶体硅太阳电他的高性能和稳定性，而且使硅材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池如能有效突破
产业
化瓶颈，将会在太阳能电池
市场
上占据主导地位。有如下几个特点：1) 材料成本低，工艺较复杂且尚未成熟2) 光电转换效率很高3) 电池稳定性较高4）尚未突破
产业
化瓶颈多晶硅薄膜太阳能电池技术原理1)利用晶体硅薄膜制备太阳电池的基本要求为：（a）晶体硅薄膜厚度为5-150μm；（b）增加光子吸收；（c）晶体硅薄膜的宽度至少是厚度的一倍；（d）少数载流子扩散长度至少是厚度的一倍；（e）衬底必须具有机械支撑能力；（f）良好的背电极；（g）背表面进行钝化；（h）良好的晶粒间界。2）多晶硅薄膜的现有生成方法a)半导体液相外延生长法（LPE法）LPE法生长技术已广泛用于生长高质量的外延层和化合物半导体异质结构，如GaAs、AIGaAs、Si、Ge、siGe等。LPE可以在平面和非平面衬底上生长，能获得结构十分完美的材料。用LPE技术生长晶体硅薄膜来制备高效薄膜太阳电池，近年来引起了广泛兴趣。 LPE生长可以进行掺杂，形成n-型和p-型层，LPE生长设备为通用外延生长设备，生长温度为300°C-900°C，生长速率为0.2μm-2μm／min，厚度为0.5μm-100μm。外延层的形貌决定于结晶条件，并可直接获得具有绒面织构表面的外延层。 b)区熔再结晶法（ZMR法）在硅（或其它廉价衬底材料上）形成SiO，层，用Lp-CVD法在其上沉积硅层（3μm-5μm，晶粒尺寸为0.01-0.μm），将该层进行区熔结晶（ZMR）形成多晶硅层。 控制ZMR条件，可使再结晶硅膜中的腐蚀坑密度由1×I07cm-2下降到1-2×106cm-2，同时（100）晶相面积迅速增加到90％以上。为了满足光伏电池对层厚的要求，在ZMR层上用CVD法生长厚度为50μm-60μm的硅层作为激活层，用扫描加热使其晶粒增大至几毫米，从而形成绝缘层硅结构（SOI），激活层为p 型，电阻率为1Ω·cm-2Ω·cm。为获得高质量的激活层，在进行Lp-CVD前，对ZMR层表面进行HCI腐蚀处理。为制备多晶硅薄膜太阳龟池，在激活层表面进行腐蚀形成绒面织构，并在其上进行n-型杂质扩散形成p-n结，然后进行表面钝化处理和沉积减反射层，并制备上电极，进行背面腐蚀和氢化处理，制作背电极，即制成多晶硅薄膜太阳能电池。 上述结构不但有效地降低串联电阻，还能增加背反射。在10cm×10cm面积上获得转换效率为14. 22％的多晶硅薄膜太阳电池。c）等离子喷涂法（PSM） 采用DC一RF混合等离子系统。以纯度为99.9999％，粒度为50μm一150μm的p-型晶体硅粉作为原材料，用Ar气作为携带气体，由DC-RF等离子体进行喷涂。原料贮存盒和携带气体管道涂覆Si-C-N-O化合物，防止
金属
杂质污染硅粉在高温等离子体中加热熔化。熔化的粒子沉积在衬底上，衬底由加热器加热，沉积前，用红外热偶测试衬底温度，使之保持在1200℃，沉积室由不锈钢制成，用无油泵抽真空，其真空度为1.33×10-2pa。等离子体由Ar和少量H构成，沉积时压强为8×10-8pa。沉积的多晶硅膜厚度为200μm-1000μm。多晶硅晶粒尺寸为20μm-50μm，沉积速率大于10μm／s。用等离子体喷涂沉积多晶硅薄膜太阳电池，全部采用低温等离子CVD工艺。用碱或酸溶液腐蚀沉积的多晶硅层，在其上于200℃用等离子CVD形成厚度约200×10-8cm的微晶硅作为发射层，并制备ITO减反射层和银浆电极构成太阳电池。面积为lcm2，在AM1.5、100mW／cm2条件下，电他转换效率为了η=4.3%。d)叠层法 在较低的温度300℃下，用叠层技术，在经预先氟化处理的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜，该方法类似于沉积a-Si：H薄膜。在低温下用等离子增强化学气相沉积法（PELVD）沉积大面积多晶硅薄膜。 一般，p。型掺杂多晶硅薄膜用叠层技术沉积，其厚度为0.28mm～5.78mm。典型的沉积条件为：SiF4流量为60SCCm，氢流量为15SCCm，沉积温度为300℃，微波功率为200W，压强为53.3Pa。进行卜型掺杂沉积时，在氢气中混合10ppmPH3，流量为18SCCm。每次沉积持续和原子氢处理时间为10s。由于沉积时，掺杂用的PH3和源SiF4加入氢等离子体区域，这样可以较好地控制膜中的P和Si的比例。在100K-400K温度范围内，用霍尔效应和电导测量确定其载流子输运特性。实验表明，材料结构是膜厚的函数，霍尔迁移率随膜厚度增加而增加，样品的最高迁移率区是在薄膜表面附近。载流子电导由晶粒问界势垒决定。e)化学气相沉积法（CVD）用化学气相沉积法（CVD），在铝陶瓷衬底上沉积3μm-5μm的硅薄膜。为了获得高质量的硅薄膜，铝陶瓷衬底上预先沉积Si3N4／SiOx双层膜。在硅薄膜沉积时，引入硼掺杂。用CW-Ar激光束溶化沉积的硅膜，在氮气氛中，400℃-500℃下再结晶。制备薄膜太阳电池时，用常规方法进行P扩散和沉积ITO膜，用氢等离子处理来钝化晶体缺陷。电池也可采用MgF2（110×10-8cm）／TiO2（650×l0-8cm）双层减反射膜，MgF2层用电子束蒸发方法沉积，TiO2层用常压CVD沉积。该方法制备的太阳电池厚度为4．2μm，短路电流为25.5mA／cm2，开路电压为0.48V，FF为0．53，η=6.52％。f)固相结晶法（SPC）开始材料a-Si用SiH，或Si2H，辉光放电沉积在平面或绒面衬底上，沉积时加A PH3，形成p。掺杂层，其作用起增强晶核和形成大晶核的作用。p-掺杂层典型的厚度为170nm，在其上沉积不掺杂的a-Si层。通过改变沉积条件，如压力，RF功率等来改变不掺杂的a-Si层的结构。沉积后，在真空中600℃下进行退火，使a-Si层进行固相结晶，形成多晶硅。用Raman光谱研究未掺杂a-Si结构和多晶硅膜关系，经Secco腐蚀显露出晶界，用扫描电镜测量晶粒尺寸和密度用上述SPC法制备的多晶硅薄膜电池，其结构为衬底采用钨，SPC后n型多晶硅层厚度为～10μm，在n型多晶硅上沉积卜型a-Si和p型a-Si，其厚度为～10μm，在p型a-Si上沉积～70nm的ITO膜，并沉积
金属
电极。制作的多晶硅太阳电池，面积为1cm2，转换效率为6．3％，当波长为900nin时，电他的收集系数为51％，电他少数载流子扩散长度为11μm，最高短路电流为28.4mA／cm2。p型掺杂层的P杂大于1020cm-3。 3)根据目前的文献多晶硅薄膜适用的衬底材料（类似于非晶硅薄膜电池的导电玻璃）如下a)单晶硅 b）多晶硅 c）石墨包SiC d）SiSiC e）玻璃碳 f）SiO2膜多晶硅薄膜太阳能电池近期技术发展情况1)根据公开信息，无锡尚德自2001年起已在研发多晶硅薄膜生产技术，２００５年，尚德在国家科技部和江苏省、无锡市三级的支持下，加快第二代多晶硅薄膜太阳电池大规模
产业
化研究，但目前尚未披露实质性进展；2)德国夫朗霍费太阳能研究所采用RTCVD法在SSP衬底上制备的太阳能电池转换效率可达8％以上；3)1998年北京市太阳能研究所赵玉文等报道了以SiH2Cl2为原料气体，采用快速热化学气相沉积（RTCVD）工艺在石英反应器中沉积多晶硅薄膜。气源为H2和SiH2Cl2的混合物，石英管内配有石墨样品托架，采用程控光源将石墨样品托架加热到1200℃。试验所用衬底为重掺杂磷非活性单晶硅片或非硅质底材。在1030℃下薄膜生长速率为10nm／s，研究了薄膜生长特性，薄膜的微结构，并研制了多晶硅薄
氧化镍薄膜
2017-06-06 17:49:58
用电子束反应蒸发方法制备了氧化镍薄膜，分别用三电机和二电极方法测量了薄膜在KOH电解液中的循环伏安特性和循环变色寿命，经过170h约17000次电致变色循环试验，薄膜仍保持相当好的变色性能。X-射线衍射（XRD）分析发现，原始态薄膜含有NiO多晶颗粒，经变色循环寿命试验后，薄膜仍保持其原先的结构。红外（IR）反射测量发现，薄膜内不含有结晶水式结构水。X-射线光电子能谱（XPS）分析表明，薄膜中的主要组分在原始态时为NiO，经循环寿命试验后，在致色时为NiOOH，消色态时为Ni（OH）<,2>。根据测试结果，讨论了氧化镍薄膜的电致变色机理。一种纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料的复合领域。本发明采用溶胶－凝胶法制备Ａｕ↓［ｘ］／Ｎｉ↓［（１－ｘ）］Ｏ复合光学薄膜，其中，ｘ表示Ａｕ的质量百分比，０＜ｘ≤０．９。原料为氯金酸与硝酸镍，溶剂为乙二醇独甲醚，硝酸镍溶液的浓度为０．１～１ｍｏｌ／Ｌ。本发明的优点在于：本发明使用溶胶－凝胶法制备前驱体溶液，薄膜化学计量成分容易控制；用匀胶机制备薄膜。工艺简单，价格低廉，反应温度２００℃～７００℃，比传统烧结方法低，制备周期短，节省能源；制备的纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，在光开关，光计算机，光波分离。一种纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜，其特征在于，薄膜的化学式为Ａｕ↓［ｘ］／Ｎｉ↓［（１－ｘ）］Ｏ，其中，ｘ表示Ａｕ的质量百分比，０＜ｘ≤０．９。在研究薄膜所呈现出的不同电致变色性能的同时，分析氧化镍薄膜电致变色性能变化的规律和微观机理。
碳化硅
2017-06-06 17:50:02
碳化硅（SiC）又称碳硅石、金钢砂、耐火砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。碳化硅的硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。工业用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供开采的矿源。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85％）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
碳化钨
2017-06-06 17:50:00
碳化钨粉(WC)是生产硬质合金的主要原料，化学式WC。全称为 Wolfram Carbide, 也译作tungsten carbide为黑色六方晶体，有金属光泽，硬度与金刚石相近，为电、热的良好导体。熔点2870℃, 沸点6000℃，相对密度 15.63(18℃)。碳化钨不溶于水、盐酸和硫酸，易溶于硝酸－氢氟酸的混合酸中。纯的碳化钨易碎，若掺入少量钛、钴等金属，就能减少脆性。用作钢材切割工具的碳化钨，常加入碳化钛、碳化钽或它们的混合物，以提高抗爆能力。碳化钨的化学性质稳定。提炼方法: 用金属钨粉和炭黑为原料，按一定比例配成混合料，将混合料装入石墨舟皿中，置于炭管炉内或高中频感电炉中，在一定温度下进行炭化，再经球磨、筛分即得碳化钨粉。粗晶碳化钨分子式为WC，具有一些中、细晶WC粉不同的特殊性能和用途，尤其是高温WC具有结构缺陷少、显微硬度高、微观应变小等优点，广泛应用在地矿开采、石油钻探、车床加工等方面。硬度仅次于金刚石，价值极高。目前粗晶WC的生产方法主要有：1.钨粉高温碳化 高温长时碳化，可以使WC的晶格缺陷降至最低、微观应变最小，WC的塑性得到改善。这是目前国内的主要生产方式。碳化的温度不宜超过1800-1900℃，在超过1800℃，WC晶粒间易发生晶界融合长大，致使WC粒度分布不均。一些研究表明，降低原料钨的粒度，提高碳化温度，降低碳化时间，可以提高获得的WC品质。2.氧化钨掺锂盐的中温还原和高温碳化 该法原理为：通过加入添加剂，加速WO3还原过程中的挥发沉积速率，致使钨粉粒度在较低的温度下得以长大，用于钨粉长大的添加剂为锂盐，该法主要用于制取矿用合金和冷微模合金。3.添加钴、镍高温碳化 在钨粉配碳时加入少量钴、镍或它们的氧化物，可以改变碳化机理，提高碳化的速度，此种方法生产的粗晶WC的晶粒度受配钴量的影响极大，配钴量越大所得WC越粗。4.添加钠盐法 在APT中添加钠盐，然后在较高的温度下还原，可得粒度大于10μm的粗钨粉，再经高温碳化可得粗颗粒WC粉。该法还处于研究中，一些技术还不成熟。5 .APT快速锻烧快速还原法 此法的实质是将APT在850-1000℃下于氧化气氛中快速加热锻烧，然后在氢气炉中快速加热到1100-1300℃的温度下还原，用此种方法可制备粒度为25-36μm的钨粉。6. 卤化物沸腾层氢还原法 将钨的氯化物或氟化物在沸腾层中用H2还原。首先将H2和原始钨粉送入反应器底部，制成钨沸腾层，而卤化物蒸气由反应器上部通入反应器内，在给定的最佳温度下被H2还原成钨粉，并沉积在原始钨粉上，使原始钨粉逐渐粗化，定期有反应器内部卸出钨粉。用此种方法制备的钨粉粒度大于40μm。7.粗晶铝热工艺 通过高吸热反应使WC直接从钨精矿中生产出来，该法能生产高纯度、粗颗粒、大块、单相WC晶粒。8.钨精矿熔盐碳化法（气体喷射法） 首先在1050-1100℃的高温下，用Na2SiO3-NaCl熔盐将钨精矿分解，将所生成的Na2WO4-NaCl熔盐相同含有Fe、Mn、Ca的硅酸盐相分离，然后用甲烷喷入熔盐相中，生成粗晶WC。该法优点成本低，约为通常60%，缺点是杂质（Mo、Cr、Fe、Ni、Si）含量偏高，需要长时间的化学处理。
碳化硅板
2017-06-06 17:50:03
碳化硅板是民用
产业
中不可缺少的材料。碳化硅板导热性能好，热振稳定性高，高温下长时间使用不变形、不软化、不产生疏松膨胀，可保持碳化硅固有的高的热传导率，使用在高温窑炉上，作为隔焰板使用，可显著提高炉膛温度，节约能源、增加
产量
，提高经济效益。碳化硅板特点：1.耐火度高．2.导热性能好．3.膨胀系数小．4.强度高.5.超薄型，节能．碳化硅板适用于各种日用瓷、艺术瓷、中高档卫生瓷、磁性材料、建陶、砂轮等窑炉上，作为隔焰板、推板、棚板、支架、匣钵使用，应用于燃煤、燃气、燃油等各种工业窑炉中，也可作为内衬材料，及粉末冶金
行业
罐体材料使用。未来碳化硅板的应用会越来越广泛。
铜铟镓硒薄膜
2017-06-06 17:50:12
铜铟镓硒薄膜主要用于太阳能电池的生产.铜铟镓硒薄膜太阳能电池板的制造 用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制，进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现，在一个溅射周期中，Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大，其次是In靶溅射时间，非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测，合金相主要为Cu11In9。铜铟镓硒薄膜太阳能电池板的应用 铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大
市场
。 铜铟镓硒电站的建设已经达到兆瓦级水平，据瑞士的SolarMax光伏并网逆变器公司提供的资料，2008年9月在西班牙建成了的3.24兆瓦铜铟镓硒电站，并成功运行。这必将加快CIGS的商业应用。当前全球大环境景气不佳，传统硅晶太阳能电池厂正面临售价跌破成本压力，但铜铟镓硒薄膜太阳能电池具成本优势，逐步崭露头角。全球经济衰退意味着投资风险的加大，而中外风投却在这时不惧风险，集体逆市投资太阳能薄膜电池。薄膜电池已成为国内光伏领域新的投资热点。其中CIGS转换效率足以媲美传统太阳能电池，加上稳定性和转换效率都已相当优异，被视为是相当具有潜力的薄膜太阳能电池种类。未来几年，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的销售将会加速增长，到2015年，CIGS将占薄膜太阳能电池
市场
的43.3%。想要了解更多关于铜铟镓硒薄膜的资讯，请继续浏览上海
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镀金属薄膜替代铝箔的优势
2019-02-28 09:01:36
长久以来，人们都以为铝箔是要求低湿蒸汽和氧气透过率的层压包装薄膜结构的抱负阻隔层。事实上，平板铝箔湿蒸汽透过率(MVTR)和氧气透过率(OTR)都挨近零。由于有这些特性，所以传统上一向用于纸／聚乙烯／金属薄片／聚乙烯(PPFP)结构，一起在外层的纸上能够经过印刷和涂布以前进其外形漂亮度。
食物中常见的以PPFP结构包装的有配料粉末、调料、汤、大米、烤面包片、填塞料、干奶酪和养分／能量饮料以及糖块。这些食物要求包装不只要确保它们不被降解，并且要有很好的耐刺穿性，由于许多食物有尖利的棱角。在竞赛剧烈的商场，节约本钱也是要考虑的一个重要方面。
铝箔以外的挑选
现在，镀金属薄膜技能的发展为加工商和较终用户供给了除金属薄片外的另一种挑选。镀金属处理的聚(MOPP)薄膜现在答应加工商和较终用户开发“无金属薄片”包装，这种包装与铝箔结构比较具有阻隔性更强、漂亮、耐穿刺性和经济实惠等方面的优势。Toray Plastics美国公司新的镀金属OPP产品是一种名为PCF—2的超薄45—gauge膜，此膜由专有技能制造，可能是包装行业界现在可运用的较薄的MOPP薄膜。
薄膜的一个显着长处是每磅薄膜可制造的面积更大。厚度为45—gauge时，与普通运用的0．000285英寸的金属薄片仅有的36，000平方英寸／磅，以及盛行的0．00025英寸的金属薄片具有的41，100平方英寸／磅比较，超薄MOPP膜每磅可制造68，200平方英寸／磅。虽然细薄膜每磅的产值更高——超越较薄铝金属薄片的65％，但它们的湿蒸汽透过率(MVTR)和透氧率(OTR)十分低。在华氏100度和90％相对湿度(RH)下，典型的MVTR仅为0．0l克／100平方英寸／天，而在华氏73度和0％RH下，OTR为1．5毫升／100平方英寸／天。
粘合
加工商面临的一个遍及问题是重复处理后的传统PPFP结构的脱层，在零售环境下食物包装经常呈现这样的状况。不过，现在能够加以运用的新MOPP膜可协助战胜这种问题。与惯例电晕处理的PP比较，它能够供给非金属层压和挤出层压或涂层之间更好的金属粘附力和更强的粘合强度。新MOPP膜的金属粘合强度超越400g／in，一般状况下的脱层现象成为不可能。
新的镀金属薄膜不只供给丁比传统PPFP结构更好的金属粘附力，并且粘附力比挤出层压和涂布薄膜非金属面的更超卓。例如，新MOPP薄膜非金属面的粘合强度，经过运用一层挤出涂布的低密度聚乙烯(LDPE)进行测验。丈量的粘合强度为477g／in，简直比传统MOPP结构的369g／in高出30％。一起，新MOPP薄膜与PPFP结构比较，也能供给更超卓的耐穿刺性，虽然它们很薄。
挠曲性
新MOPP薄膜的初始性质与传统的PPFP结构比较有优势，经过重复操作和处理后，其优势乃至会变得更显着。不像金属薄片曲折后仅几分钟就构成针孔，MOPP薄膜在重复曲折后还能够坚持其阻隔性。为了模仿此类型的重复性挠曲可能会遇到的实在环境，TomyPlastics美国公司测验了新超薄MOPP膜和运用Gelbo测验器取样的传统PPFP结构的样本。
Gelbo测验器由两个直径为90毫米的可固定样本的心轴组成，一个是可移动的，一个是固定的，每次循环开端的时分相对间隔为180毫米。运用重复歪曲和碾压薄膜来曲折被测验的样本，一般为每分钟45个循环。根据测验的样本，测验冲程的严峻强度和数量会有所改变，，经过运用五颜六色松脂在整个以白色为底色的歪曲薄膜中上色以断定是否有针孔。
经过测验，Toray的新MOPP薄膜能接受住重复的“歪曲”和“碾压”循环，至少16个循环内不会呈现针孔以及损失阻隔性。而传统的PPFP结构几个循环后就接受不住，且重复的歪曲会使状况敏捷恶化。
新MOPP薄膜的另一个重要优势是即使是在超出正常处理强度的条件下仍能够长时间坚持其漂亮的外形。而铝箔则不能康复折痕和皱纹，有了任何变形之后都不能康复，这使得食物包装看上去很陈腐。另一‘方面，新MOPP薄膜包装具有柔韧性，并能康复在处理和操作过程中引起的任何变形，所以不论被客户或商铺雇员处理过多少次，它都能坚持其本来的外形和魅力。
铝本钱的约束
在经济方面，新MOPP薄膜比传统PPFP结构更有优势，由于食物制造商能够运用相同分量的薄膜生产出更多的包装，另一个原因则是对铝报价的考虑。铝和铝合金本钱的增长速度高于聚。别的，美国商场对铝材料继续的高需求将会使其报价更高。结果是铝和聚之间的报价距离将会越拉越大。
为了下降传统PPFP结构的本钱，加工商求助于更细规格的金属薄片。但是，这对衬底的初始阻隔性并没有很大的协助，乃至使得在正常处理过程中更简单呈现针孔。另一方面新MOPP膜的短期和长时间阻隔性不会随厚度的添加而前进。事实上，新45—gauge膜具有和80—gaugeMOPP膜相同的阻隔性。 相对于传统的PPFP结构而言，新呈现的MOPP膜代表了技能的——个重要前进，它能供给上述的一切优势。
碳化钨粉
2017-06-06 17:50:12
什么是碳化钨粉？碳化钨粉(WC)是生产硬质合金的主要原料，化学式WC。全称为 Wolfram Carbide, 也译作tungsten carbide为黑色六方晶体，有
金属
光泽，硬度与金刚石相近，为电、热的良好导体。熔点2870℃, 沸点6000℃，相对密度 15.63(18℃)。碳化钨不溶于水、盐酸和硫酸，易溶于硝酸－氢氟酸的混合酸中。纯的碳化钨易碎，若掺入少量钛、钴等
金属
，就能减少脆性。用作钢材切割工具的碳化钨，常加入碳化钛、碳化钽或它们的混合物，以提高抗爆能力。碳化钨的化学性质稳定。碳化钨粉的主要性质：碳化钨粉呈深灰色粉末，能溶于多种碳化物中，尤其是在碳化钛中的溶解度很大，形成TiC-WC固熔体。钨与碳的另一个化合物为碳化二钨，化学式为 W2C，熔点为2860℃，沸点6000℃,相对密度17.15。其性质、制法、用途同碳化钨。碳化钨粉的主要用途：碳化钨粉主要用于生产硬质合金。在碳化钨中，碳原子嵌入钨
金属
晶格的间隙，并不破坏原有
金属
的晶格，形成间隙固溶体，因此也称填隙（或插入）化合物。碳化钨可由钨和碳的混合物高温加热制得，氢气或烃类的存在能加速反应的进行。若用钨的含氧化合物进行制备，产品最终必须在1500℃进行真空处理, 以除去碳氧化合物。碳化钨适宜在高温下进行机械加工，可制作切削工具、窑炉的结构材料、喷气发动机、燃气轮机、喷嘴等。碳化钨粉的产地：国内主要生产企业有株洲、自贡、南昌、旅顺硬质合金厂。每年生产的碳化钨粉主要供国内使用，部分出口到日本、美国、德国、意大利、法国、瑞典等国家。质量规格碳化钨粉的技术条件是GB/T4295—93，一般执行的是企业内控标准，碳化钨粉质量规格 类 别 费氏平均粒度(μ) 总碳量(%) 游离碳(%) WC-1 ≤1.0 6.08～6.18 ≤0.08 WC-2 1～1.99 6.08～6.18 ≤0.08 WC-3 2～3.99 6.08～6.18 ≤0.08 WC-4 4～5.99 6.08～6.18 ≤0.08 WC-5 6～7.99 6.08～6.18 ≤0.08 WC-6 8～11.99 6.08～6.18 ≤0.08 WC-7 12～15.99 6.08～6.18 ≤0.08 WC-8 ≥16 6.08～7.18 ≤0.08 表6-6-43 碳化钨粉化学成分指标 级别含量% WC Fe Mo Al Si Ca Mn Mg Ni Na FWC-1 ≥99.8 ≤0.04 ≤0.010 ≤0.001 ≤0.01 ≤0.005 ≤ 0.002 ≤0.002 ≤0.005 ≤0.003 FWC-2 ≥99.7 ≤0.06 ≤0.015 ≤0.002 ≤0.01 ≤0.008 ≤ 0.002 ≤0.004 ≤0.008 ≤0.005更多有关碳化钨粉请详见于上海
有色
网
二氧化锡薄膜
